電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
【課題】電子素子の傾斜による、電子素子の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減する電子デバイスの提供。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、絶縁体からなるベース部１１を有し、ベース部１１の底面１１ａにメタライズパターン１１ｂを設けたパッケージ１０と、メタライズパターン１１ｂ上に実装され、他方の主面２８が略矩形形状の弾性表面波素子片２０とを備え、メタライズパターン１１ｂが、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成されていることを特徴とする。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、絶縁体からなるベース部１１を有し、ベース部１１の底面１１ａにメタライズパターン１１ｂを設けたパッケージ１０と、メタライズパターン１１ｂ上に実装され、他方の主面２８が略矩形形状の弾性表面波素子片２０とを備え、メタライズパターン１１ｂが、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波を利用した弾性表面波デバイスなどに代表される電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスとしての、弾性表面波を利用した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器及び弾性表面波フィルタなどの弾性表面波デバイスに関して、パッケージの凹部に形成された金属層からなる載置面に、弾性表面波チップを載置した構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２９３７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記構成において、電子素子としての弾性表面波チップ（以下、弾性表面波素子片という）は、パッケージの載置面に接着剤などの接合部材により実装されている。
これにより、弾性表面波デバイスは、周囲の温度変化に伴う接合部材の収縮により、弾性表面波素子片に応力が発生することがある。また、弾性表面波デバイスは、外部機器へのリフロー実装などの加熱時に、接合部材からガスが発生し、ガスの成分が凝縮して弾性表面波素子片に付着することがある。
これらにより、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の周波数特性が劣化し、所望の性能を得られないことがある。
【０００５】
このことから、高性能が求められる分野に用いられる弾性表面波デバイスにおいては、弾性表面波素子片の接合部材による実装範囲を実装面の一部に留めることにより、弾性表面波素子片に発生する応力を低減させるとともに、接合部材から発生するガスの量を低減させる対策が取られている。
【０００６】
しかしながら、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の接合部材による実装範囲を実装面の一部に留めることから、接合面積が減少し、弾性表面波素子片が載置面に対して傾斜して実装されることがある。この際、弾性表面波素子片は、長辺方向の傾きと短辺方向の傾きとがあった場合、両者の傾きが合成され、弾性表面波素子片の実装面の隅部が載置面に最も接近した状態となる。
【０００７】
これにより、弾性表面波デバイスは、周囲の温度変化に起因する弾性表面波素子片の膨張などにより弾性表面波素子片の実装面の隅部が載置面に接触することがある。
この接触により、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の振動状態が変化し、周波数のエージング特性の劣化、特定の温度領域における著しい周波数の変化など、周波数特性が劣化し所望の性能を得られないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、前記メタライズパターン上に実装され、実装面が略矩形形状の電子素子とを備え、前記メタライズパターンが、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、電子デバイスは、ベース部の一面にメタライズパターンが設けられ、このメタライズパターン上に、実装面が略矩形形状の電子素子が実装されている。そして、電子デバイスは、メタライズパターンが、平面視で電子素子の実装面の隅部と重ならないように形成されている。
このことから、電子デバイスは、電子素子の実装時に、電子素子の実装面とベース部の一面との間隔が、従来と比較してメタライズパターンの厚み分広がることから、電子素子の傾斜による電子素子の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記パッケージは、前記ベース部に前記電子素子と接続される接続端子が設けられ、前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に絶縁部が形成され、前記絶縁部が平面視において前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に見えていることが好ましい。
【００１２】
これによれば、電子デバイスは、ベース部に電子素子と接続される接続端子が設けられ、接続端子とメタライズパターンとの間に絶縁部が形成され、絶縁部が平面視において接続端子とメタライズパターンとの間に見えている。
このことから、電子デバイスは、例えば、メタライズパターンに接着剤などを塗布して電子素子を実装する際に、メタライズパターンの濡れ性などによる接着剤の流出を、絶縁部によって遮断することができる。これにより、電子デバイスは、接続端子への接着剤の不要な接近または付着のリスクを回避することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記電子素子が弾性表面波素子片であることが好ましい。
【００１４】
これによれば、電子デバイスは、電子素子が弾性表面波素子片である。このことから、電子デバイスは、弾性表面波素子片の傾斜による弾性表面波素子片の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減することにより、弾性表面波素子片の周波数のエージング特性の向上、特定の温度領域における著しい周波数の変化の回避など、周波数特性が向上し所望の性能を得られ易くなる。
【００１５】
［適用例４］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、実装面が略矩形形状の電子素子とを備えた電子デバイスの製造方法であって、前記メタライズパターンを、前記ベース部の前記一面に、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成するメタライズパターン形成工程と、前記メタライズパターンを画像認識して、前記メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程と、認識された前記メタライズパターンの位置により、前記電子素子の前記隅部が前記メタライズパターンに重ならないように、前記電子素子を前記メタライズパターン上に実装する実装工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
これによれば、電子デバイスの製造方法は、メタライズパターンを、ベース部の一面に、平面視で電子素子の実装面の隅部と重ならないように形成し、メタライズパターンを画像認識して、メタライズパターンの位置を認識し、電子素子の隅部がメタライズパターンに重ならないように、電子素子をメタライズパターン上に実装する。
【００１７】
このことから、電子デバイスの製造方法は、適用例１に記載した作用・効果を有する電子デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
（実施形態）
図１は、電子デバイスの一例としての弾性表面波共振子の概略構成を示す構成図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。なお、平面図では、理解を容易にするためにリッド（蓋）部を省略し、リッド部の外形を２点鎖線で表している。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の弾性表面波共振子１は、パッケージ１０、電子素子としての弾性表面波素子片２０、接合部材３０などから構成されている。
【００２１】
パッケージ１０は、ベース部１１、メタライズパターン１１ｂ、リッド部１２、シール部１３などから構成されている。
ベース部１１は、セラミックグリーンシートを成形して積層し、焼成した酸化アルミニウム質焼結体などの絶縁体からなり、凹状に形成されている。
ベース部１１の一面としての底面１１ａには、メタライズパターン１１ｂが設けられている。メタライズパターン１１ｂは、タングステン、モリブデンなどのメタライズ層、またはこのメタライズ層にニッケル、金などの金属の被膜をメッキ、スパッタなどにより積層した金属被膜からなる。なお、メタライズパターン１１ｂの表層には、金被膜が好ましい。
【００２２】
メタライズパターン１１ｂは、平面形状が矩形形状であって、平面視で、後述する弾性表面波素子片２０における実装面としての他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成されている。 つまり、メタライズパターン１１ｂは、ベース部１１の底面１１ａと弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄとの間隔を、より大きくするように形成されている。
【００２３】
メタライズパターン１１ｂは、弾性表面波素子片２０の長辺方向においては、弾性表面波素子片２０の中央近傍に位置し、弾性表面波素子片２０の短辺方向においては、一辺がベース部１１の側壁１１ｊに接し、一辺に対向する他辺が弾性表面波素子片２０と重なる位置になるように形成されている。
メタライズパターン１１ｂは、長辺が弾性表面波素子片２０の長辺と略直交するように形成されている。換言すれば、メタライズパターン１１ｂは、長辺が弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向と略直交するように形成されている。
【００２４】
また、メタライズパターン１１ｂは、数μｍ〜数十μｍの厚みで形成されている。なお、メタライズパターン１１ｂの厚みは、上記の範囲で適宜設定されるが、ベース部１１の底面１１ａと弾性表面波素子片２０との間隔を充分確保するために、約２０μｍ程度の厚みが好ましい。
【００２５】
ベース部１１には、外周部の内側に沿って、底面１１ａより一段高い位置に接続端子部１１ｃが形成されている。接続端子部１１ｃには、弾性表面波素子片２０と接続される接続端子１１ｄ，１１ｅが設けられている。
接続端子１１ｄ，１１ｅは、タングステンなどのメタライズ層にニッケル、金などの各被膜をメッキ、スパッタなどにより積層した金属被膜からなる。
【００２６】
接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間には、絶縁部１１ｆが形成されている。絶縁部１１ｆは、接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間における、ベース部１１の底面１１ａが露出している部分であり、平面視において接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間に見えている。
【００２７】
ベース部１１の外面１１ｇには、上記金属被膜からなる実装端子１１ｈ，１１ｉが形成されている。この実装端子１１ｈ，１１ｉは、図示しない内部配線によりそれぞれ接続端子１１ｄ，１１ｅに接続されている。
なお、弾性表面波共振子１は、実装端子１１ｈ，１１ｉにより外部機器に実装される。
【００２８】
ベース部１１の底面１１ａのメタライズパターン１１ｂ上には、弾性表面波素子片２０が接合部材３０を介して実装されている。
弾性表面波素子片２０は、圧電基板２１、すだれ状電極２２、反射器２３，２４などから構成されている。
【００２９】
圧電基板２１は、所定の厚みに研磨された圧電単結晶材料である水晶から、切削などにより一方の主面２５及び他方の主面２８が、略矩形形状となる板状に形成されている。
圧電基板２１の一方の主面２５には、一対のすだれ状電極２２が形成され、一対のすだれ状電極２２は、電極指を交互に噛み合わせて配置されている。すだれ状電極２２の両端には、弾性表面波を反射する反射器２３，２４が形成されている。
【００３０】
また、圧電基板２１の一方の主面２５には、すだれ状電極２２と反射器２４とを接続端子１１ｄ，１１ｅと接続するためのボンディングパッド２６，２７が形成されている。すだれ状電極２２、反射器２３，２４及びボンディングパッド２６，２７は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電性に優れた材料により形成されている。
【００３１】
圧電基板２１の他方の主面２８は、前述したようにメタライズパターン１１ｂへの実装面となっている。
なお、接合部材３０には、シリコーン樹脂系、エポキシ樹脂系などの接着剤が用いられ、ディスペンサなどによりメタライズパターン１１ｂ及び底面１１ａに塗布されている。なお、接合部材３０の塗布量は、弾性表面波素子片２０が実装された状態で、約２０μｍ程度の厚みとなる量が好ましい。
【００３２】
ここで、図１（ｂ）に示すように、弾性表面波素子片２０は、メタライズパターン１１ｂ上に、接合部材３０を介して実装されている。これにより、ベース部１１の底面１１ａと弾性表面波素子片２０の他方の主面２８との間隔Ｌは、従来の、弾性表面波素子片２０が底面１１ａに直接接合部材３０を介して実装されている場合と比較して、充分広くなる。
本実施形態では、Ｌが約４０μｍ程度となる（メタライズパターン１１ｂの厚み：約２０μｍ＋接合部材３０の厚み：約２０μｍ）。
【００３３】
弾性表面波素子片２０のボンディングパッド２６，２７と、ベース部１１に設けられた接続端子１１ｄ，１１ｅとは、金属ワイヤ４０のボンディングにより接続されている。なお、金属ワイヤ４０には、金などが用いられている。
【００３４】
リッド部１２は、コバールなどの金属からなり、同じくコバールなどの金属からなるシール部１３にシーム溶接されている。なお、リッド部１２は、表面にニッケルメッキが施されている。また、シール部１３は、表面にニッケルメッキが施され、さらにニッケルメッキの表面に金メッキが施されている。なお、シール部１３は、ろう付けなどによりベース部１１に接合されている。
これらにより、弾性表面波共振子１のパッケージ１０内は、気密に封止されている。なお、パッケージ１０の内部は、真空または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが封入されている。
【００３５】
上述したように、本実施形態の弾性表面波共振子１は、ベース部１１の底面１１ａにメタライズパターン１１ｂが設けられ、このメタライズパターン１１ｂ上に実装面としての他方の主面２８が、略矩形形状に形成されている弾性表面波素子片２０が実装されている。
そして、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂが、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならない位置に、矩形形状で形成されている。
【００３６】
このことから、弾性表面波共振子１は、弾性表面波素子片２０の実装時に、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８とベース部１１の底面１１ａとの間隔Ｌが、従来と比較してメタライズパターン１１ｂの厚み分広くなる。
これにより、弾性表面波共振子１は、弾性表面波素子片２０が傾斜した状態で実装されても、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと、底面１１ａとの間隔を、従来より充分広くすることができる。
【００３７】
従って、弾性表面波共振子１は、周囲の温度変化に起因する弾性表面波素子片２０の膨張などによって、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと、ベース部１１の底面１１ａとが接触するリスクを、低減することができる。
これにより、弾性表面波共振子１は、弾性表面波素子片２０の周波数のエージング特性の向上、特定の温度領域における著しい周波数の変化の回避など、周波数特性が向上し所望の性能を得られ易くなる。
【００３８】
また、弾性表面波共振子１は、ベース部１１に形成された接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間に絶縁部１１ｆが形成されている。このことから、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂに接合部材３０を塗布して弾性表面波素子片２０を実装する際に、メタライズパターン１１ｂの濡れ性などによる接合部材３０の流出を、絶縁部１１ｆによって遮断することができる。
これにより、弾性表面波共振子１は、接続端子１１ｄ，１１ｅへの接合部材３０の付着を回避することができ、接続端子１１ｄ，１１ｅに金属ワイヤ４０を確実にボンディングすることができる。
【００３９】
また、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂが矩形形状に形成されている点と、金属被膜からなるメタライズパターン１１ｂと酸化アルミニウム質焼結体からなるベース部１１との光の反射率が大きく異なっている点とから、メタライズパターン１１ｂの位置の認識を画像認識装置による画像認識により行うことができる。
これにより、弾性表面波共振子１は、基準位置に対するメタライズパターン１１ｂの位置ずれを補正して、弾性表面波素子片２０を実装できることから、弾性表面波素子片２０のメタライズパターン１１ｂに対する実装位置の精度を向上することができる。
【００４０】
また、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂの長辺が、弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向と略直交するように形成されていることから、弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向におけるメタライズパターン１１ｂの濡れ性による接合部材３０の濡れ広がりが、短辺の長さの範囲に留まる。
これにより、弾性表面波共振子１は、周囲の温度変化に伴う接合部材３０の収縮による弾性表面波素子片２０の応力の発生を、メタライズパターン１１ｂの長辺が弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向に沿って形成されている場合と比較して、低減することができる。
【００４１】
ここで、弾性表面波共振子１の製造方法について図１、図２を参照して説明する。
図２は、弾性表面波共振子１の製造方法を工程順に示す断面図である。
ここでは、メタライズパターン形成工程、メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程、弾性表面波素子片２０をメタライズパターン上に実装する実装工程を中心に説明する。
【００４２】
［メタライズパターン形成工程］
まず、図２（ａ）に示すように、予め形成されたベース部１１を用意し、タングステン、モリブデンなどの金属をペースト状にした金属ペーストを、ベース部１１の底面１１ａに、図１（ａ）の１１ｂで示す矩形形状で印刷する。
ついで、金属ペーストを焼成しメタライズ層にした後、メタライズ層にニッケル、金などの金属の被膜をメッキ、スパッタなどにより積層して、メタライズパターン１１ｂを形成する。なお、メタライズパターン１１ｂは、メタライズ層のみでもよい。
【００４３】
ここで、メタライズパターン１１ｂの形状は、弾性表面波素子片２０が実装されたときに、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成する。
【００４４】
［画像認識工程］
ついで、図示しない画像認識装置により、矩形形状に形成されたメタライズパターン１１ｂを画像認識して、メタライズパターン１１ｂの基準となる角部により、メタライズパターン１１ｂの位置を認識する。
【００４５】
ついで、図２（ｂ）に示すように、メタライズパターン１１ｂ及び底面１１ａに、接合部材３０をディスペンサなどにより塗布する。
【００４６】
［実装工程］
ついで、認識されたメタライズパターン１１ｂの位置に基づき、メタライズパターン１１ｂの実際の位置と、メタライズパターン１１ｂの基準として設定されている基準位置とのずれを算出する。
ついで、このずれ分を補正して、図２（ｃ）に示すように、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄが、メタライズパターン１１ｂに重ならないように、弾性表面波素子片２０を、前記メタライズパターン１１ｂ上に搭載する。
ついで、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８を、接合部材３０によりメタライズパターン１１ｂに接着し、接合部材３０を加熱硬化することで、弾性表面波素子片２０を、メタライズパターン１１ｂ上に実装する。
【００４７】
ついで、図２（ｄ）に示すように、弾性表面波素子片２０のボンディングパッド２６，２７と、ベース部１１の接続端子１１ｄ，１１ｅとを、金属ワイヤ４０のボンディングにより接続する。
ついで、アニール後、真空または不活性ガス中において、リッド部１２をシール部１３にシーム溶接する。なお、シール部１３は、予めろう付けなどによりベース部１１に接合しておく。
これらの工程により、図１に示す弾性表面波共振子１を得る。
【００４８】
上述したように、弾性表面波共振子１の製造方法は、メタライズパターン１１ｂを、ベース部１１の底面１１ａに、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成する。
そして、弾性表面波共振子１の製造方法は、メタライズパターン１１ｂの位置を画像認識して、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄがメタライズパターン１１ｂに重ならないように、弾性表面波素子片２０をメタライズパターン１１ｂ上に実装する。
【００４９】
このことから、弾性表面波共振子１の製造方法は、前述した作用・効果を有する弾性表面波共振子１を提供することができる。
【００５０】
なお、メタライズパターン１１ｂの形状は、図１の形状に限定するものではなく、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならない形状であればよい。
【００５１】
（変形例）
以下、メタライズパターン１１ｂの形状を変更した変形例について、図３、図４を参照して説明する。
図３、図４は、弾性表面波共振子１の変形例を示す模式平面図である。なお、図３、図４では、理解を容易にするために、一部の構成部品、弾性表面波素子片２０の電極類などを省略し、弾性表面波素子片２０の外形を２点鎖線で表している。
また、メタライズパターン１１ｂには、ハッチングを施している。なお、上記実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００５２】
弾性表面波共振子１のメタライズパターン１１ｂの形状は、上記実施形態の形状以外に図３、図４に示すような形状にしてもよい。
図３（ａ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、紙面下側が短くなり、ベース部１１の側壁１１ｊから離れた形状で形成されている。
図３（ｂ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、紙面上側が長くなり、ベース部１１の接続端子部１１ｃの側壁１１ｋに接触した形状で形成されている。
図３（ｃ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、紙面上側が長くなり、弾性表面波素子片２０の外形に一致した形状で形成されている。
【００５３】
図４（ａ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、形成箇所が２箇所になり、２つのメタライズパターン１１ｂ，１１ｂが並んで形成されている。
図４（ｂ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、メタライズパターン１１ｂの形成方向が９０°異なり、メタライズパターン１１ｂの長辺が弾性表面波素子片２０の長辺に沿って形成されている。なお、この場合は、弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向が、メタライズパターン１１ｂの長辺と略直交するように構成されていることが好ましい。
図４（ｃ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、矩形形状ではなく、十字形状に形成されている。
【００５４】
なお、メタライズパターン１１ｂの形状は、図３、図４に示す形状以外に、円形、楕円形、三角形、五角形以上の多角形などでもよい。
なお、上記実施形態及び変形例において、接続端子部１１ｃは、弾性表面波素子片２０を挟んで、ベース部１１の両側に形成されていてもよい。
【００５５】
なお、上記実施形態及び変形例では、電子デバイスの一例として弾性表面波共振子について説明したが、これに限定するものではなく、弾性表面波発振器及び弾性表面波フィルタなどでもよい。
また、上記実施形態及び変形例は、電子素子として、半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサなどのチップ状の電子部品にも適用できる。従って、上記実施形態及び変形例は、これらの電子部品が実装された電子デバイスにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態の弾性表面波共振子の概略構成を示す構成図。
【図２】本実施形態の弾性表面波共振子の製造方法を工程順に示す断面図。
【図３】弾性表面波共振子の変形例を示す模式平面図。
【図４】弾性表面波共振子の変形例を示す模式平面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…電子デバイスとしての弾性表面波共振子、１０…パッケージ、１１…ベース部、１１ａ…一面としての底面、１１ｂ…メタライズパターン、２０…電子素子としての弾性表面波素子片、２８…実装面としての他方の主面、２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ…隅部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波を利用した弾性表面波デバイスなどに代表される電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスとしての、弾性表面波を利用した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器及び弾性表面波フィルタなどの弾性表面波デバイスに関して、パッケージの凹部に形成された金属層からなる載置面に、弾性表面波チップを載置した構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２９３７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記構成において、電子素子としての弾性表面波チップ（以下、弾性表面波素子片という）は、パッケージの載置面に接着剤などの接合部材により実装されている。
これにより、弾性表面波デバイスは、周囲の温度変化に伴う接合部材の収縮により、弾性表面波素子片に応力が発生することがある。また、弾性表面波デバイスは、外部機器へのリフロー実装などの加熱時に、接合部材からガスが発生し、ガスの成分が凝縮して弾性表面波素子片に付着することがある。
これらにより、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の周波数特性が劣化し、所望の性能を得られないことがある。
【０００５】
このことから、高性能が求められる分野に用いられる弾性表面波デバイスにおいては、弾性表面波素子片の接合部材による実装範囲を実装面の一部に留めることにより、弾性表面波素子片に発生する応力を低減させるとともに、接合部材から発生するガスの量を低減させる対策が取られている。
【０００６】
しかしながら、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の接合部材による実装範囲を実装面の一部に留めることから、接合面積が減少し、弾性表面波素子片が載置面に対して傾斜して実装されることがある。この際、弾性表面波素子片は、長辺方向の傾きと短辺方向の傾きとがあった場合、両者の傾きが合成され、弾性表面波素子片の実装面の隅部が載置面に最も接近した状態となる。
【０００７】
これにより、弾性表面波デバイスは、周囲の温度変化に起因する弾性表面波素子片の膨張などにより弾性表面波素子片の実装面の隅部が載置面に接触することがある。
この接触により、弾性表面波デバイスは、弾性表面波素子片の振動状態が変化し、周波数のエージング特性の劣化、特定の温度領域における著しい周波数の変化など、周波数特性が劣化し所望の性能を得られないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、前記メタライズパターン上に実装され、実装面が略矩形形状の電子素子とを備え、前記メタライズパターンが、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、電子デバイスは、ベース部の一面にメタライズパターンが設けられ、このメタライズパターン上に、実装面が略矩形形状の電子素子が実装されている。そして、電子デバイスは、メタライズパターンが、平面視で電子素子の実装面の隅部と重ならないように形成されている。
このことから、電子デバイスは、電子素子の実装時に、電子素子の実装面とベース部の一面との間隔が、従来と比較してメタライズパターンの厚み分広がることから、電子素子の傾斜による電子素子の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記パッケージは、前記ベース部に前記電子素子と接続される接続端子が設けられ、前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に絶縁部が形成され、前記絶縁部が平面視において前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に見えていることが好ましい。
【００１２】
これによれば、電子デバイスは、ベース部に電子素子と接続される接続端子が設けられ、接続端子とメタライズパターンとの間に絶縁部が形成され、絶縁部が平面視において接続端子とメタライズパターンとの間に見えている。
このことから、電子デバイスは、例えば、メタライズパターンに接着剤などを塗布して電子素子を実装する際に、メタライズパターンの濡れ性などによる接着剤の流出を、絶縁部によって遮断することができる。これにより、電子デバイスは、接続端子への接着剤の不要な接近または付着のリスクを回避することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記電子素子が弾性表面波素子片であることが好ましい。
【００１４】
これによれば、電子デバイスは、電子素子が弾性表面波素子片である。このことから、電子デバイスは、弾性表面波素子片の傾斜による弾性表面波素子片の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減することにより、弾性表面波素子片の周波数のエージング特性の向上、特定の温度領域における著しい周波数の変化の回避など、周波数特性が向上し所望の性能を得られ易くなる。
【００１５】
［適用例４］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、実装面が略矩形形状の電子素子とを備えた電子デバイスの製造方法であって、前記メタライズパターンを、前記ベース部の前記一面に、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成するメタライズパターン形成工程と、前記メタライズパターンを画像認識して、前記メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程と、認識された前記メタライズパターンの位置により、前記電子素子の前記隅部が前記メタライズパターンに重ならないように、前記電子素子を前記メタライズパターン上に実装する実装工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
これによれば、電子デバイスの製造方法は、メタライズパターンを、ベース部の一面に、平面視で電子素子の実装面の隅部と重ならないように形成し、メタライズパターンを画像認識して、メタライズパターンの位置を認識し、電子素子の隅部がメタライズパターンに重ならないように、電子素子をメタライズパターン上に実装する。
【００１７】
このことから、電子デバイスの製造方法は、適用例１に記載した作用・効果を有する電子デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
（実施形態）
図１は、電子デバイスの一例としての弾性表面波共振子の概略構成を示す構成図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。なお、平面図では、理解を容易にするためにリッド（蓋）部を省略し、リッド部の外形を２点鎖線で表している。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の弾性表面波共振子１は、パッケージ１０、電子素子としての弾性表面波素子片２０、接合部材３０などから構成されている。
【００２１】
パッケージ１０は、ベース部１１、メタライズパターン１１ｂ、リッド部１２、シール部１３などから構成されている。
ベース部１１は、セラミックグリーンシートを成形して積層し、焼成した酸化アルミニウム質焼結体などの絶縁体からなり、凹状に形成されている。
ベース部１１の一面としての底面１１ａには、メタライズパターン１１ｂが設けられている。メタライズパターン１１ｂは、タングステン、モリブデンなどのメタライズ層、またはこのメタライズ層にニッケル、金などの金属の被膜をメッキ、スパッタなどにより積層した金属被膜からなる。なお、メタライズパターン１１ｂの表層には、金被膜が好ましい。
【００２２】
メタライズパターン１１ｂは、平面形状が矩形形状であって、平面視で、後述する弾性表面波素子片２０における実装面としての他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成されている。 つまり、メタライズパターン１１ｂは、ベース部１１の底面１１ａと弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄとの間隔を、より大きくするように形成されている。
【００２３】
メタライズパターン１１ｂは、弾性表面波素子片２０の長辺方向においては、弾性表面波素子片２０の中央近傍に位置し、弾性表面波素子片２０の短辺方向においては、一辺がベース部１１の側壁１１ｊに接し、一辺に対向する他辺が弾性表面波素子片２０と重なる位置になるように形成されている。
メタライズパターン１１ｂは、長辺が弾性表面波素子片２０の長辺と略直交するように形成されている。換言すれば、メタライズパターン１１ｂは、長辺が弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向と略直交するように形成されている。
【００２４】
また、メタライズパターン１１ｂは、数μｍ〜数十μｍの厚みで形成されている。なお、メタライズパターン１１ｂの厚みは、上記の範囲で適宜設定されるが、ベース部１１の底面１１ａと弾性表面波素子片２０との間隔を充分確保するために、約２０μｍ程度の厚みが好ましい。
【００２５】
ベース部１１には、外周部の内側に沿って、底面１１ａより一段高い位置に接続端子部１１ｃが形成されている。接続端子部１１ｃには、弾性表面波素子片２０と接続される接続端子１１ｄ，１１ｅが設けられている。
接続端子１１ｄ，１１ｅは、タングステンなどのメタライズ層にニッケル、金などの各被膜をメッキ、スパッタなどにより積層した金属被膜からなる。
【００２６】
接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間には、絶縁部１１ｆが形成されている。絶縁部１１ｆは、接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間における、ベース部１１の底面１１ａが露出している部分であり、平面視において接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間に見えている。
【００２７】
ベース部１１の外面１１ｇには、上記金属被膜からなる実装端子１１ｈ，１１ｉが形成されている。この実装端子１１ｈ，１１ｉは、図示しない内部配線によりそれぞれ接続端子１１ｄ，１１ｅに接続されている。
なお、弾性表面波共振子１は、実装端子１１ｈ，１１ｉにより外部機器に実装される。
【００２８】
ベース部１１の底面１１ａのメタライズパターン１１ｂ上には、弾性表面波素子片２０が接合部材３０を介して実装されている。
弾性表面波素子片２０は、圧電基板２１、すだれ状電極２２、反射器２３，２４などから構成されている。
【００２９】
圧電基板２１は、所定の厚みに研磨された圧電単結晶材料である水晶から、切削などにより一方の主面２５及び他方の主面２８が、略矩形形状となる板状に形成されている。
圧電基板２１の一方の主面２５には、一対のすだれ状電極２２が形成され、一対のすだれ状電極２２は、電極指を交互に噛み合わせて配置されている。すだれ状電極２２の両端には、弾性表面波を反射する反射器２３，２４が形成されている。
【００３０】
また、圧電基板２１の一方の主面２５には、すだれ状電極２２と反射器２４とを接続端子１１ｄ，１１ｅと接続するためのボンディングパッド２６，２７が形成されている。すだれ状電極２２、反射器２３，２４及びボンディングパッド２６，２７は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの導電性に優れた材料により形成されている。
【００３１】
圧電基板２１の他方の主面２８は、前述したようにメタライズパターン１１ｂへの実装面となっている。
なお、接合部材３０には、シリコーン樹脂系、エポキシ樹脂系などの接着剤が用いられ、ディスペンサなどによりメタライズパターン１１ｂ及び底面１１ａに塗布されている。なお、接合部材３０の塗布量は、弾性表面波素子片２０が実装された状態で、約２０μｍ程度の厚みとなる量が好ましい。
【００３２】
ここで、図１（ｂ）に示すように、弾性表面波素子片２０は、メタライズパターン１１ｂ上に、接合部材３０を介して実装されている。これにより、ベース部１１の底面１１ａと弾性表面波素子片２０の他方の主面２８との間隔Ｌは、従来の、弾性表面波素子片２０が底面１１ａに直接接合部材３０を介して実装されている場合と比較して、充分広くなる。
本実施形態では、Ｌが約４０μｍ程度となる（メタライズパターン１１ｂの厚み：約２０μｍ＋接合部材３０の厚み：約２０μｍ）。
【００３３】
弾性表面波素子片２０のボンディングパッド２６，２７と、ベース部１１に設けられた接続端子１１ｄ，１１ｅとは、金属ワイヤ４０のボンディングにより接続されている。なお、金属ワイヤ４０には、金などが用いられている。
【００３４】
リッド部１２は、コバールなどの金属からなり、同じくコバールなどの金属からなるシール部１３にシーム溶接されている。なお、リッド部１２は、表面にニッケルメッキが施されている。また、シール部１３は、表面にニッケルメッキが施され、さらにニッケルメッキの表面に金メッキが施されている。なお、シール部１３は、ろう付けなどによりベース部１１に接合されている。
これらにより、弾性表面波共振子１のパッケージ１０内は、気密に封止されている。なお、パッケージ１０の内部は、真空または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが封入されている。
【００３５】
上述したように、本実施形態の弾性表面波共振子１は、ベース部１１の底面１１ａにメタライズパターン１１ｂが設けられ、このメタライズパターン１１ｂ上に実装面としての他方の主面２８が、略矩形形状に形成されている弾性表面波素子片２０が実装されている。
そして、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂが、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならない位置に、矩形形状で形成されている。
【００３６】
このことから、弾性表面波共振子１は、弾性表面波素子片２０の実装時に、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８とベース部１１の底面１１ａとの間隔Ｌが、従来と比較してメタライズパターン１１ｂの厚み分広くなる。
これにより、弾性表面波共振子１は、弾性表面波素子片２０が傾斜した状態で実装されても、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと、底面１１ａとの間隔を、従来より充分広くすることができる。
【００３７】
従って、弾性表面波共振子１は、周囲の温度変化に起因する弾性表面波素子片２０の膨張などによって、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の、底面１１ａとの接触のリスクが最も高い隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと、ベース部１１の底面１１ａとが接触するリスクを、低減することができる。
これにより、弾性表面波共振子１は、弾性表面波素子片２０の周波数のエージング特性の向上、特定の温度領域における著しい周波数の変化の回避など、周波数特性が向上し所望の性能を得られ易くなる。
【００３８】
また、弾性表面波共振子１は、ベース部１１に形成された接続端子１１ｄ，１１ｅとメタライズパターン１１ｂとの間に絶縁部１１ｆが形成されている。このことから、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂに接合部材３０を塗布して弾性表面波素子片２０を実装する際に、メタライズパターン１１ｂの濡れ性などによる接合部材３０の流出を、絶縁部１１ｆによって遮断することができる。
これにより、弾性表面波共振子１は、接続端子１１ｄ，１１ｅへの接合部材３０の付着を回避することができ、接続端子１１ｄ，１１ｅに金属ワイヤ４０を確実にボンディングすることができる。
【００３９】
また、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂが矩形形状に形成されている点と、金属被膜からなるメタライズパターン１１ｂと酸化アルミニウム質焼結体からなるベース部１１との光の反射率が大きく異なっている点とから、メタライズパターン１１ｂの位置の認識を画像認識装置による画像認識により行うことができる。
これにより、弾性表面波共振子１は、基準位置に対するメタライズパターン１１ｂの位置ずれを補正して、弾性表面波素子片２０を実装できることから、弾性表面波素子片２０のメタライズパターン１１ｂに対する実装位置の精度を向上することができる。
【００４０】
また、弾性表面波共振子１は、メタライズパターン１１ｂの長辺が、弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向と略直交するように形成されていることから、弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向におけるメタライズパターン１１ｂの濡れ性による接合部材３０の濡れ広がりが、短辺の長さの範囲に留まる。
これにより、弾性表面波共振子１は、周囲の温度変化に伴う接合部材３０の収縮による弾性表面波素子片２０の応力の発生を、メタライズパターン１１ｂの長辺が弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向に沿って形成されている場合と比較して、低減することができる。
【００４１】
ここで、弾性表面波共振子１の製造方法について図１、図２を参照して説明する。
図２は、弾性表面波共振子１の製造方法を工程順に示す断面図である。
ここでは、メタライズパターン形成工程、メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程、弾性表面波素子片２０をメタライズパターン上に実装する実装工程を中心に説明する。
【００４２】
［メタライズパターン形成工程］
まず、図２（ａ）に示すように、予め形成されたベース部１１を用意し、タングステン、モリブデンなどの金属をペースト状にした金属ペーストを、ベース部１１の底面１１ａに、図１（ａ）の１１ｂで示す矩形形状で印刷する。
ついで、金属ペーストを焼成しメタライズ層にした後、メタライズ層にニッケル、金などの金属の被膜をメッキ、スパッタなどにより積層して、メタライズパターン１１ｂを形成する。なお、メタライズパターン１１ｂは、メタライズ層のみでもよい。
【００４３】
ここで、メタライズパターン１１ｂの形状は、弾性表面波素子片２０が実装されたときに、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成する。
【００４４】
［画像認識工程］
ついで、図示しない画像認識装置により、矩形形状に形成されたメタライズパターン１１ｂを画像認識して、メタライズパターン１１ｂの基準となる角部により、メタライズパターン１１ｂの位置を認識する。
【００４５】
ついで、図２（ｂ）に示すように、メタライズパターン１１ｂ及び底面１１ａに、接合部材３０をディスペンサなどにより塗布する。
【００４６】
［実装工程］
ついで、認識されたメタライズパターン１１ｂの位置に基づき、メタライズパターン１１ｂの実際の位置と、メタライズパターン１１ｂの基準として設定されている基準位置とのずれを算出する。
ついで、このずれ分を補正して、図２（ｃ）に示すように、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄが、メタライズパターン１１ｂに重ならないように、弾性表面波素子片２０を、前記メタライズパターン１１ｂ上に搭載する。
ついで、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８を、接合部材３０によりメタライズパターン１１ｂに接着し、接合部材３０を加熱硬化することで、弾性表面波素子片２０を、メタライズパターン１１ｂ上に実装する。
【００４７】
ついで、図２（ｄ）に示すように、弾性表面波素子片２０のボンディングパッド２６，２７と、ベース部１１の接続端子１１ｄ，１１ｅとを、金属ワイヤ４０のボンディングにより接続する。
ついで、アニール後、真空または不活性ガス中において、リッド部１２をシール部１３にシーム溶接する。なお、シール部１３は、予めろう付けなどによりベース部１１に接合しておく。
これらの工程により、図１に示す弾性表面波共振子１を得る。
【００４８】
上述したように、弾性表面波共振子１の製造方法は、メタライズパターン１１ｂを、ベース部１１の底面１１ａに、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成する。
そして、弾性表面波共振子１の製造方法は、メタライズパターン１１ｂの位置を画像認識して、弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄがメタライズパターン１１ｂに重ならないように、弾性表面波素子片２０をメタライズパターン１１ｂ上に実装する。
【００４９】
このことから、弾性表面波共振子１の製造方法は、前述した作用・効果を有する弾性表面波共振子１を提供することができる。
【００５０】
なお、メタライズパターン１１ｂの形状は、図１の形状に限定するものではなく、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならない形状であればよい。
【００５１】
（変形例）
以下、メタライズパターン１１ｂの形状を変更した変形例について、図３、図４を参照して説明する。
図３、図４は、弾性表面波共振子１の変形例を示す模式平面図である。なお、図３、図４では、理解を容易にするために、一部の構成部品、弾性表面波素子片２０の電極類などを省略し、弾性表面波素子片２０の外形を２点鎖線で表している。
また、メタライズパターン１１ｂには、ハッチングを施している。なお、上記実施形態との共通部分には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００５２】
弾性表面波共振子１のメタライズパターン１１ｂの形状は、上記実施形態の形状以外に図３、図４に示すような形状にしてもよい。
図３（ａ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、紙面下側が短くなり、ベース部１１の側壁１１ｊから離れた形状で形成されている。
図３（ｂ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、紙面上側が長くなり、ベース部１１の接続端子部１１ｃの側壁１１ｋに接触した形状で形成されている。
図３（ｃ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、紙面上側が長くなり、弾性表面波素子片２０の外形に一致した形状で形成されている。
【００５３】
図４（ａ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、形成箇所が２箇所になり、２つのメタライズパターン１１ｂ，１１ｂが並んで形成されている。
図４（ｂ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、メタライズパターン１１ｂの形成方向が９０°異なり、メタライズパターン１１ｂの長辺が弾性表面波素子片２０の長辺に沿って形成されている。なお、この場合は、弾性表面波素子片２０の弾性表面波の伝播方向が、メタライズパターン１１ｂの長辺と略直交するように構成されていることが好ましい。
図４（ｃ）のメタライズパターン１１ｂは、上記実施形態の形状と比較して、矩形形状ではなく、十字形状に形成されている。
【００５４】
なお、メタライズパターン１１ｂの形状は、図３、図４に示す形状以外に、円形、楕円形、三角形、五角形以上の多角形などでもよい。
なお、上記実施形態及び変形例において、接続端子部１１ｃは、弾性表面波素子片２０を挟んで、ベース部１１の両側に形成されていてもよい。
【００５５】
なお、上記実施形態及び変形例では、電子デバイスの一例として弾性表面波共振子について説明したが、これに限定するものではなく、弾性表面波発振器及び弾性表面波フィルタなどでもよい。
また、上記実施形態及び変形例は、電子素子として、半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサなどのチップ状の電子部品にも適用できる。従って、上記実施形態及び変形例は、これらの電子部品が実装された電子デバイスにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態の弾性表面波共振子の概略構成を示す構成図。
【図２】本実施形態の弾性表面波共振子の製造方法を工程順に示す断面図。
【図３】弾性表面波共振子の変形例を示す模式平面図。
【図４】弾性表面波共振子の変形例を示す模式平面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…電子デバイスとしての弾性表面波共振子、１０…パッケージ、１１…ベース部、１１ａ…一面としての底面、１１ｂ…メタライズパターン、２０…電子素子としての弾性表面波素子片、２８…実装面としての他方の主面、２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ…隅部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、
前記メタライズパターン上に実装され、実装面が略矩形形状の電子素子とを備え、
前記メタライズパターンが、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスにおいて、前記パッケージは、前記ベース部に前記電子素子と接続される接続端子が設けられ、前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に絶縁部が形成され、前記絶縁部が平面視において前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に見えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記電子素子が弾性表面波素子片であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、実装面が略矩形形状の電子素子とを備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記メタライズパターンを、前記ベース部の前記一面に、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成するメタライズパターン形成工程と、
前記メタライズパターンを画像認識して、前記メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程と、
認識された前記メタライズパターンの位置により、前記電子素子の前記隅部が前記メタライズパターンに重ならないように、前記電子素子を前記メタライズパターン上に実装する実装工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１】
絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、
前記メタライズパターン上に実装され、実装面が略矩形形状の電子素子とを備え、
前記メタライズパターンが、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスにおいて、前記パッケージは、前記ベース部に前記電子素子と接続される接続端子が設けられ、前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に絶縁部が形成され、前記絶縁部が平面視において前記接続端子と前記メタライズパターンとの間に見えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記電子素子が弾性表面波素子片であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
絶縁体からなるベース部を有し、前記ベース部の一面にメタライズパターンを設けたパッケージと、実装面が略矩形形状の電子素子とを備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記メタライズパターンを、前記ベース部の前記一面に、平面視で前記電子素子の前記実装面の隅部と重ならないように形成するメタライズパターン形成工程と、
前記メタライズパターンを画像認識して、前記メタライズパターンの位置を認識する画像認識工程と、
認識された前記メタライズパターンの位置により、前記電子素子の前記隅部が前記メタライズパターンに重ならないように、前記電子素子を前記メタライズパターン上に実装する実装工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−２１３００４（Ｐ２００９−２１３００４Ａ）
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５５８７７（Ｐ２００８−５５８７７）
【出願日】平成２０年３月６日（２００８．３．６）
【出願人】（０００００３１０４）エプソントヨコム株式会社 (1,528)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月６日（２００８．３．６）
【出願人】（０００００３１０４）エプソントヨコム株式会社 (1,528)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]