【課題】半導体装置製造工程においてダイアタッチ層付半導体素子を加熱された基板に搭載する場合のような高温環境下においても、半導体素子をダイシングダイアタッチフィルムの粘着層から安定してピックアップすることを可能とし、半導体装置の製造における生産性を安定させることができるダイシングダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】ダイアタッチ層、少なくとも１以上の粘着層、および基材層がこの順に積層されたダイシングダイアタッチフィルムであって、 前記ダイアタッチ層と粘着層との層間剥離強度（ＪＩＳ Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）を剥離強度Ａとし、その他の層間の層間剥離強度（ＪＩＳ Ｚ０２３７準拠、１８０°剥離）のうち最小のものを剥離強度Ｂとした場合、８０℃における剥離強度ＡとＢとが下記条件式１を満たすダイシングダイアタッチフィルム。
[条件式１ Ｂ／Ａ≧１．５] （もっと読む）

【課題】 低温にて接着フィルム等の硬化がフルキュアまで進行する半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着シートと基材層を備える接着部材であって、前記接着シートが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなる半導体用接着部材。 （もっと読む）

【課題】いわゆる基板品では、多層有機配線基板のデバイス搭載面上にマトリクス状にデバイス領域に半導体チップを、たとえば階段状に積層してダイ・ボンディングする。このため、ダイ・ボンダには、高精度の位置認識・位置決め機能が要求される。一方、このようなプロセスをスムースに進めるため、ダイ・ボンディング前の半導体チップの裏面には、接着剤層が設けられており、たとえば、摂氏１５０度前後の加熱下でダイ・ボンディングが実行されるが、基板の熱膨張による変位が、主要な位置ずれの原因となる可能性がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、基板品のダイ・ボンディング工程において、回路基板上の2点の位置をモニタしながら、当該回路基板の半導体チップを取り付けるべき部分を加熱しながら、所定の安定した温度領域に到達したことを確認した後、半導体チップをダイ・ボンディングする半導体集積回路装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板又は他の電子部品上に接着するのに用いられ、半導体チップ上の保護膜の収縮による半導体チップの反りを抑制でき、かつ外周面にひけと呼ばれる凹部が形成され難い接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の接着シート３を介して半導体チップ５を基板２上に接着したり、又は硬化後の接着シート４を介して半導体チップ６を他の半導体チップ５上に接着したりするのに用いられる接着シートであって、硬化性樹脂と、接着性を表面に有する粒子３１とを含有する接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板又は他の電子部品上に積層し、接着した後、半導体チップを樹脂モールド層により被覆したときに、半導体チップにクラックが生じ難い接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の接着シート３を介して半導体チップ８を基板２上に接着したり、又は硬化後の接着シート４〜７を介して半導体チップ９〜１２を他の半導体チップ８〜１１上に接着したりするのに用いられる接着シートであって、硬化性樹脂と、弾性粒子とを含有し、弾性粒子３ａ〜７ａの硬化後の接着シート３〜７の厚み方向に沿う寸法が、硬化後の接着シート３〜７の厚みと同等である接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの切断性と半導体チップのピックアップ性とを両立させた固定テープを用いることによって、半導体装置の製造工程における切断時およびピックアップ時の不良発生率を共に低減する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の第２の面（研削面）１ｂに接着剤フィルム６を貼り付けた後、ウェーハリング７に張設された固定テープ８を、半導体ウェーハ１の第２の面１ｂに接着剤フィルム６を介して貼り付ける。固定テープはウェーハ形状に対応する軟質な第１の領域Ａ１とウェーハリング７に固着された部分を含む硬質な第２の領域Ａ２とを有する。接着剤フィルム６と共に半導体ウェーハ１を切断して半導体チップを作製した後、半導体チップを固定テープからピックアップして装置構成基材上に接着する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程でチップ飛びの発生を抑制できると共に、ピックアップ工程で隣接チップが一緒に持ち上がるエラーの発生を抑制できるウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂからなる粘着フィルム１２と、粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂが０．０５〜０．６ＭＰa、接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａが０．１〜１ＭＰａである。ダイシング時に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂの溶融が抑制され、接着剤層、粘着剤層等に切り残りが発生するのが抑制される。ダイシング時に、粘着剤層の粘着力の低下が抑制され、粘着剤層と接着剤層の界面での剥離が抑制されると共に、接着剤層の接着力の低下が抑制され、個片化した接着剤層付き半導体チップと接着剤層との界面での剥離が抑制される。 （もっと読む）

【課題】硬化物の線膨張率及び弾性率が低く、接合された半導体チップへの応力の発生を低減することでハンダ等の導通部分のクラックの発生を防止し、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体チップ接合用接着剤を提供する。また、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】フルオレン骨格エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填材を含有する半導体チップ接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】ワークが薄型の場合にも、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイボンドフィルムと一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、ダイシングフィルム上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、粘着剤層は、１０〜３０ｍｏｌ％のヒドロキシル基含有モノマーを含むアクリル系ポリマーに、ヒドロキシル基含有モノマーに対し７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内のラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を付加反応させたポリマーと、ヒドロキシル基に対し反応性を示す官能基を分子中に２個以上備え、かつ、ポリマー１００重量部に対し含有量が２〜２０重量部の架橋剤を含み、ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含み構成される。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド状態を保持するための部品を設ける必要を無くし、製造コストおよび工数の低減を図ったウエハ加工用テープ及びウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１とその上に形成された粘着剤層１２とからなる粘着フィルム１３と、粘着フィルム１３上に積層された接着剤層１４とを有する。粘着剤層１２は、上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂとが積層された２層構造の粘着剤層である。上層粘着剤層１２ａは、放射線重合性化合物と、第１の波長λ１の光に反応する第１の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂは放射線重合性化合物と、第２の波長λ２の光に反応する第２の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと電極部材との固着にあたっては、塗工量のバラツキがなく安定した固着強度を与えることができ、かつ貯蔵安定性に優れた接着フィルムを形成しうる接着剤組成物から得られるダイボンド用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、合成ゴム（Ｃ）および、第四級ホスホニウムのテトラ置換フェニルボレートを含有する硬化促進剤（Ｄ）、を含有する接着剤組成物から得られる接着フィルムを用いた、ダイボンド用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】低温での加工性（低温貼付性）、及び、耐リフロー性を高度に満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴による十分な硬化性も達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】１００℃以下のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と、芳香族ビニル化合物とマレイミド基を有するマレイミド化合物とを含む熱硬化性成分と、を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】低温での加工性（低温貼付性）、及び、耐リフロー性を高度に満足することができ、かつＢステージにおける十分な熱流動性も達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】１００℃以下のガラス転移温度を有する熱可塑性樹脂と、シアネートエステル基を有するシアネート化合物とマレイミド基を有するマレイミド化合物とを含む熱硬化性成分と、を含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面での剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る接着剤組成物は、エネルギー線硬化型粘着成分と、光重合開始剤と、熱硬化型接着成分とを含み、
該光重合開始剤の重量平均分子量が４００〜１０００００であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】接着剤層及び粘着フィルムからなるダイシング・ダイボンディングフィルムを有するウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のウエハ加工用フィルムは、基材フィルム、及び前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤を含む箇所以外の部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤が反応する光の波長は、前記他の光開始剤が反応する光の波長と異なる。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化後においても被着体との密着性に優れた熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、１５重量％を超えて２５重量％以下の熱可塑性樹脂成分と、３５重量％以上４５重量％未満の熱硬化性樹脂成分とを主成分として含有し、熱硬化前の１２０℃に於ける溶融粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング機能付きダイボンディングフィルム又はダイシング・ダイボンディングフィルムを有するウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のウエハ加工用フィルムは、基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。 （もっと読む）

【課題】離型フィルム上に、接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用テープをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】離型フィルム１１上に設けられた接着剤層１２と、接着剤層を覆い、該接着剤層の周囲で離型フィルムに接触するように設けられたラベル部１３ａと、その外側を囲むように設けられた周辺部１３ｂを有する粘着フィルム１３とを含むウエハ加工用テープであって、接着剤層より外側のラベル部外周部に、ラベル部表面とラベル部側縁部との間の角度が鈍角になるよう離型フィルムに対して傾斜するように形成され、且つ、離型フィルムに対する角度が０．２度以上８４度以下に形成される溝を設けた。 （もっと読む）

【課題】裏面電極の最外層に金層を配置しないことで低コストとすることができ、かつ、裏面電極の最外層に金層を配置しなくても良好にハンダ付けすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体層装置は、半導体基板の裏面に裏面電極が配置されている半導体装置であって、裏面電極は、半導体基板の裏面側から順に、第１金属層４と、第１金属層４の裏面に積層された第２金属層５と、第２金属層５の裏面に積層された第３金属層６と、第３金属層６の裏面に積層された第４金属層７を有している。第１金属層４は、アルミニウムを含んでおり、第２金属層５は、チタンを含んでおり、第３金属層６は、ニッケルを含んでおり、第４金属層７は、銅、錫、又はチタンを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化型ダイボンドフィルム３は、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルム３であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内である。 （もっと読む）