【課題】 熱硬化性と放射線硬化性とを有し、半導体素子のダイシング工程およびダイボンド工程における接着信頼性、作業性に優れる接着シートと、該接着シートにより半導体搭載用支持部材に半導体素子を実装した信頼性の良好な半導体装置とを提供する。
【解決手段】 （Ａ）ポリイミド樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）放射線重合性化合物を含む粘接着剤層と表面張力が４０ｍＮ／ｍを超える基材層とを備える接着シート。 （もっと読む）

【課題】粘接着剤層の部分的な欠けが生じ難く、半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】ダイシング−ダイボンディングテープ１は、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするために用いられる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の面３ａに積層されており、非粘着部４Ａと、該非粘着部４Ａの外側部分の領域に粘着部４Ｂとを有する基材層４とを備える。粘接着剤層３は、粘接着剤層本体３Ａと、該粘接着剤層本体３Ａの外周から突出した突出部３Ｂとを有する。突出部３Ｂの先端は、基材層４の粘着部４Ｂの内周よりも内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 チップ状ワークの貼り剥がしを容易とするチップ保持用テープを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、粘着剤層において、フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であるチップ保持用テープ。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性及び速硬化性に優れ、かつ、透明性が高く、半導体チップボンディング時のアライメントマークの認識を容易なものとする半導体チップ接合用接着剤、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、水酸基当量が１１０以上のフェノール系硬化剤と、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールとを含有する半導体チップ接合用接着剤、並びに該接着剤を用いて製造されることを特徴とする非導電性ペースト及び非導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ｗの半導体基板１Ｓの内部に集光点を合わせた状態でレーザ光を照射することにより改質領域ＰＬを形成する。続いて、半導体ウエハ１Ｗの裏面に回転塗布法により液状の接着材を塗布した後、これを乾燥させて固体状の接着層８ａを形成する。その後、上記改質領域ＰＬを分割起点として半導体ウエハ１Ｗを個々の半導体チップに分割する。この半導体チップをその裏面の接着層８ａにより他の半導体チップの主面上に接着することにより、半導体チップが多段に積層された構成を有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上の長さ方向に分散配置された接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が、前記剥離基材上における前記粘着フィルム間に断続的に形成されている、接着シート。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】ワークの酸化膜や異物コンタミ等を均一に清浄化し、ばらつきのない良好なはんだ接合を実現するとともに、はんだ接合のスループットを向上させる。
【解決手段】リフロー装置内に設置されたワークを洗浄処理するカルボン酸含有ガスを生成する気化器が、金属カバーと、最内側の気化壁と、金属カバーと気化壁との間に充填された断熱材と、気化壁の外側面に設置された加熱ヒータとで形成されており、且つ気化壁の内側に空間部を有し、両端面が塞がれた筒状形状であり、キャリアガスを導入するガス導入管とカルボン酸含有液を供給する薬液供給管とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた場合であっても十分な気密封止性を得ることができる感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する熱圧着性を有し且つアルカリ現像が可能な感光性接着剤組成物１ａであって、露光後、更に加熱硬化された後の１１０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】非酸化性ガスを吹き付けてもＡｕＳｎシート状プリフォームが動かないようにし、また、ＡｕＳｎシート状プリフォームの下に残るボイドを減少させる。
【解決手段】サブマウント基板２の表面側に非酸化性ガス１６を吹き付けながら、吸引孔３を形成したサブマウント基板２の表面にＡｕＳｎシート状プリフォーム４を置き、ＡｕＳｎシート状プリフォーム４を吸引孔から真空吸引してサブマウント基板２の表面に吸着し、該ＡｕＳｎシート状プリフォーム４にＬＥＤチップ１を置くステップと、サブマウント基板２及びＬＥＤチップ１からＡｕＳｎシート状プリフォーム４を加熱して溶融させ、サブマウント基板２とＬＥＤチップ１とを接合するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド時のダイ圧着荷重が小さくても、または圧着時間が従来よりも短くてもボイドのない半導体装置を簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、硬化した接着剤層を介してチップが積層された基板からなる半導体装置を製造する方法であって、未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化させて硬化した接着剤層とする加熱硬化工程；および前記加熱硬化工程によって、前記未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板が、８０℃以上であって接着剤層の反応率が１０％となる温度以下である加圧開始温度まで加熱されてから、前記基板を、常圧に対し０．０５ＭＰａ大きい圧力以上の静圧により加圧する静圧加圧工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦがダイシングテープに溶着することのないレーザビームを使用したウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 裏面にダイシングテープで支持されたダイアタッチフィルムが配設されたウエーハの加工方法であって、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの交差点にレーザビームのエネルギーを低減させるエネルギー低減領域を形成するエネルギー低減領域形成工程と、第１分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブルとレーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして第１分割予定ラインに沿ってウエーハとダイアタッチフィルムとを分割する第１の分割工程と、第２分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブルとレーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして第２分割予定ラインに沿ってウエーハとダイアタッチフィルムとを分割する第２の分割工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチ工程での半導体チップの基板への加熱圧着時にボイドを抜くことができ、したがってダイアタッチ埋め込み性能に優れると共に、ワイヤボンディング工程および樹脂封止工程で特別な熱管理を必要とせず、半導体装置の製造に用いた場合には信頼性の高い半導体装置を与える接着剤組成物、該接着剤組成物を用いた接着用シート、該接着剤組成物を用い、特性安定性及びピックアップ安定性に優れるダイシング・ダイアタッチフィルム、ならびに該接着用シートまたは該ダイシング・ダイアタッチフィルムを使用して製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、（Ｂ）重量平均分子量が５０００以下である室温で固体状のエポキシ樹脂、および（Ｃ）芳香族ポリアミン化合物、を含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】マウント用シートに余分な張力を発生させることなくリングフレームとウェハとを一体化可能なマウント装置およびマウント方法を提供すること。
【解決手段】マウント装置は、変形許容部材３４１の先端をウェハＷ１の中央側に移動させつつ、この移動により弛んだマウント用シートＭＳを凹部Ｗ１２と頂面Ｗ１４に貼付し、さらに、第２押圧ローラにより、マウント用シートＭＳのウェハＷ１からはみ出ている部分をリングフレームＲＦに貼付する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供する。
【解決手段】シート状接着剤１２は、キレートにて変性されたキレート変性硬化樹脂を、接着剤層組成物として含んでおり、かつ、硬化樹脂成分に対するキレート変性エポキシ樹脂の配合割合が１０質量％以下であり、かつ、硬化樹脂成分量１００質量部に対して重量平均分子量が１０万以上である高分子量化合物成分量が４０〜１００質量部である。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンディング後の硬化収縮を抑制し、これにより被着体に対する反りの発生を防止することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が２０重量％以下の範囲内であり、かつ、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が１０〜３０重量％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンディング後の硬化収縮を抑制し、これにより被着体に対する反りの発生を防止することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を少なくとも含み、前記熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数に対する、前記熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数の割合が１．５〜６の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチフィルムと半導体チップの間の気泡の発生による不良を低減するとともに、製造費用の低減を可能とする半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ＤＡＦ１０４に対して剥離性を有する支持テープ１２２の一面上に、前記半導体チップ１０２の前記配線基板１０３に対する貼着面に対応する大きさを有する複数のＤＡＦ１０４を仮貼着する第一工程と、前記配線基板１０３に前記支持テープ１２２の一面側を重ね合わせることにより、前記ＤＡＦ１０４を前記配線基板１０３に一括して転写する第二工程と、前記支持テープ１２２を剥離した後に、前記各ＤＡＦ１０４上に前記半導体チップ１０２を貼着する第三工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】素子を保持した状態で拡張した場合に素子に浮きが生じない素子保持用粘着シートを提供すること。
【解決手段】基材層と、該基材層上に設けられた外部刺激によって硬化する粘着剤層とを有する素子保持用粘着シートであって、該粘着剤層が硬化した状態で伸長させた場合の下記式で表される亀裂発生伸度が１１５％より大きい、素子保持用粘着シート：
亀裂発生伸度（％）＝［（粘着剤層表面に亀裂が生じたときの粘着シートの長さ）−（粘着シートの元の長さ）］／（粘着シートの元の長さ）×１００。 （もっと読む）