【課題】 低湿度のクリーンルーム内でも剥離帯電が起こりにくく、ダイボンディング時の接着性、パッケージの信頼性等に優れたダイシング・ダイボンドフィルム、及び当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、フェノール樹脂及び導電性粒子を含み、前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、前記導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上９×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層３０と、金属箔からなる電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０、又は、接着剤層３０と、蒸着により形成された電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０。前記ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 １の半導体チップから放出される電磁波が、同一パッケージ内にある他の半導体チップ、実装されている基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減すること。
【解決手段】 接着剤層と、電磁波シールド層とを有する半導体装置用接着フィルムであって、半導体装置用接着フィルムを透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、３ｄＢ以上である半導体装置用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ工程で、接着剤層に切削屑の付着が低減され、その後のダイボンド工程において基板との十分な接着力を有し、パッケージクラックなどの工程不具合が著しく低減できる半導体加工用テープを提供する。
【解決手段】 基材樹脂フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用テープであって、該粘着剤層が、アクリル系粘着剤１００質量部に対し、下記一般式（１）で表される構造の化合物または下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を構成成分として有する重合体（Ｘ）０．１〜５０質量部を含有する放射線硬化性樹脂組成物を用いて構成されていることを特徴とする半導体加工用テープ。
ＣＨ_２＝ＣＲ^１−ＣＯＯ−Ｒ^２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＲ^３ ・・・・・（１）
[ 一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又はメチルを表す。Ｒ^２は炭素数２〜２０の有機残基を表す。Ｒ^３は水素原子又は炭素数１〜１１の有機残基を表す。] （もっと読む）

【課題】基板上に配置された電子部品に対する加圧機構の位置精度を向上することができる電子部品の実装方法および装置の提供。
【解決手段】半導体チップ１１を本圧着する前に、半導体チップ１１を撮像カメラ２２ｆで撮像し、その後、撮像カメラの認識結果に応じて第２の圧着部２２の動作を行うようにした。これにより、多数個取り基板１０ｆ上に配置された半導体チップ１１に対して正しい対向位置に第２のヘッド２２ａの加圧面Ｐを平行移動させた後、半導体チップ１１の多数個取り基板１０ｆに対する加圧動作を行うことができ、よって、半導体チップ１１に対する加圧面Ｐの位置精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】
粘着シートとダイアタッチフィルムを積層した粘着シートでは、粘着剤に含有される低分子量成分である光重合開始剤がダイアタッチフィルム側にマイグレーションし、半導体製造工程においてチップとリードフレームとの接着不良が発生する場合があった。
【解決手段】
本発明は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、紫外線重合性化合物と、多官能イソシアネート硬化剤と、光重合開始剤とを有し、光重合開始剤の２３℃から５００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温したときの質量減少率１０％となる温度が２５０℃以上である粘着剤である。 （もっと読む）

【課題】外部端子接続箇所での破断の発生を低減し、半導体装置の二次実装の信頼性を向上する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、配線基板２と、配線基板２の一面に接着部材１０を介して搭載された半導体チップ３と、配線基板２の他面に形成され、半導体チップ３と電気的に接続された外部電極５とを有し、接着部材１０の周端部１０ａが外部電極５と重ならない位置に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置を効率よく製造でき、特にＬＥＤ、ＬＤをはじめとした光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができる光半導体装置用接着剤、光半導体装置用接着剤シート、光半導体装置用接着剤シートの製造方法、及び光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート２上からピックアップし、前記光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、前記光半導体素子を前記素子取付部に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤１であって、フィルム状に成形されており、基材シート２上に配置されており、基材シート２から剥離できるものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップに対する紫外線の影響を低減することが可能なダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、紫外線透過性の基材上に、紫外線硬化性の粘着剤層及びダイボンド層を形成するダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法であって、紫外線遮光剤としてのフィラーを含有するフィラー分散溶液と、前記ダイボンド層用ワニスとを混合して形成材料を調製し、前記形成材料をセパレータ上に塗布して乾燥し、これにより形成した塗布層を前記粘着剤層上に転写することにより、又は前記粘着剤層上に直接塗布した後乾燥することにより、前記ダイボンド層を形成し、前記ダイボンド層は紫外線に対し１０％以下の透過率を有する。 （もっと読む）

【課題】配線付支持部材と配線付半導体チップとをダイボンディングフィルムで加熱圧着する際、未充填部位を好適に取り除くことを可能とするとともに、良好な吸湿リフロー耐性を有すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１０の製造方法は、配線６付き支持部材４と配線３付き半導体チップ２とをダイボンディングフィルム１を介して加熱圧着する加熱圧着工程と、加熱圧着工程後、ダイボンディングフィルム１を加熱する熱硬化工程と、熱硬化工程後、支持部材の配線と半導体チップの配線をボンディングワイヤ８で接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程後、支持部材４と半導体チップ２とを封止する封止工程と、を備え、ダイボンディングフィルム１の接着剤層Ａとして、熱硬化工程におけるフィルム温度１００℃〜１２０℃でのずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下である接着剤層を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温ウェハ裏面ラミネート性、良好なピックアップ性、及び、支持部材表面凹凸埋め込み性を併せ持つ接着フィルム、ダイシングテープ付接着フィルム、並びに、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面と他方の面とを有する接着フィルムであって、前記一方の面の２５℃における半導体ウェハドライポリッシュ面密着強度をＡＡ、前記他方の面の２５℃における半導体ウェハドライポリッシュ面密着強度をＡＢとした場合、ＡＡ＞ＡＢ及びＡＡ≧２００Ｎ／ｍの関係を満たし、前記一方の面は第１接着剤樹脂組成物を含み、前記他方の面は第１接着剤樹脂組成物とは異なる第２接着剤樹脂組成物を含み、前記第２接着剤樹脂組成物の硬化物の２５０℃における貯蔵粘弾性が２０ＭＰａ以下である接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装する半導体レーザの発光領域に対する応力をより低減し、且つ、半導体レーザとの接合強度を確保することができる半田付け構造及び半田付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半田付け構造は、発光領域を有する半導体レーザを実装可能な半田付け構造であって、第一の電極と、第一の電極の第一領域に形成された第一の半田と、第一の電極の第二領域に形成された第二の半田と、を有し、第一領域は、第一の電極の表面のうち、半田付け構造に半導体レーザが実装された場合に、発光領域の直下に位置する領域であり、第二領域は、第一の電極の表面のうち、第一の領域を除いた領域であり、第一の半田の引張強度は、第二の半田の引張強度よりも小さく、第一の半田と第二の半田とは、半田付け構造に半導体レーザが実装された状態において、互いに接触しない。 （もっと読む）

【課題】積層体を剥離基材から剥離する工程において、剥離基材と支持層との界面に剥がれが生じることが抑制される接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】剥離基材１と、剥離基材１の面３０上に部分的に設けられた接着剤層２と、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２が設けられた領域の周囲で剥離基材１に接するように設けられた粘着フィルム層３と、剥離基材１の面３０のうち、粘着フィルム層３が設けられていない領域の少なくとも一部に、剥離基材１に接するように設けられた粘着フィルム層４と、を有し、剥離基材１の面３０は、粘着フィルム層４が設けられた領域の少なくとも一部に、コロナ放電処理が施された領域を有する、接着シート１００である。 （もっと読む）

【課題】プリカット加工が施されており、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不良を防止することができ、上記半導体素子を容易にピックアップすることが可能な接着シート、接着シートの製造方法、並びにそれを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】剥離基材と、前記剥離基材の表面上に部分的に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層が設けられた領域の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルム層とを有し、前記粘着フィルム層の表面は、前記接着剤層と接する領域の全部もしくは一部に、凹凸を有する処理が施された領域を有する、接着シート。 （もっと読む）

【課題】 容易にダイシングテープとウェハリング間の密着力を上げ、ダイシングテープの剥れを抑制し、容易な取扱いを行うことができる半導体装置の製造方法、前記製造方法に用いるダイボンディングフィルム、および、前記ダイボンディングフィルムを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを貼り付けるダイシングテープの粘着層１の面の周囲にプラズマ放電処理６を施す工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープに径方向外側に広がる応力を加えたとしても、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に確実に割裂させることができるダイシング−ダイボンディングテープを得る。
【解決手段】粘接着剤層からなる円形のダイボンディング層３に、円形のダイシングテープ５が直接または間接に積層されており、ダイボンディング層３の外周縁またはその近傍に複数の欠落部３ａが形成されており、該複数の欠落部３ａは、ダイシングテープ５の中心を通る第１の直線に平行な方向に径方向外側への引っ張り応力が加えられた際、及び第１の直線と直交し、ダイシングテープ５の中心を通る第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、第１の直線と第２の直線との間の方向に延びる第３の直線に沿う方向におけるダイボンディング層３の伸長を抑制するように、第３の直線がダイボンディング層３の外周縁と交差する位置において外周縁またはその内側に設けられている、ダイシング−ダイボンディングテープ１。 （もっと読む）

【課題】プリカット加工により所定の平面形状に形成されたフィルム状接着剤を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、フィルム状接着剤に転写が発生することを十分に抑制し、半導体ウエハとシート状接着剤を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】支持部材６００と、剥離基材２１０と、該剥離基材上の長さ方向に分散配置された接着剤層２４０と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルム２２０と、を有する接着シートであって、所定の形状にプリカットもしくは打ち抜きにより加工された接着シートをロール状に巻いた形態であり、前記支持部材が、剥離基材の短手方向の両端部を折り曲げられたことにより設けられたものである、接着シート。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープに径方向外側に広がる応力を加えたとしても、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に確実に割裂させることができるダイシング−ダイボンディングテープを得る。
【解決手段】粘接着剤層からなるダイボンディング層３に、平面形状が円形のダイシングテープ５が直接または間接に積層されており、ダイシングテープ５の外周縁に複数の切欠き５ｃまたは切込みが形成されており、該複数の切欠き５ｃまたは切込みは、前記円形のダイシングテープの中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、及び第１の直線と直交する第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、該ダイシングテープの伸長を促進するように、前記第１の直線に平行な方向及び第２の直線に平行な方向に延びる部分５ｃ１，５ｃ２を有する、ダイシング−ダイボンディングテープ１。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングフィルムが降伏・破断してしまうことを防止するとともに、ダイボンドフィルムを引張張力により好適に破断することが可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ステルスダイシング（登録商標）、又は、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）法に使用されるものであり、ダイシングフィルムの接触部における２５℃での引張強度が、１５Ｎ以上８０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が８０％以上であり、ウェハ貼付部における２５℃での引張強度が、１０Ｎ以上７０Ｎ以下であり、且つ、降伏点伸度が３０％以上であり、［（接触部の引張強度）−（ウェハ貼付部の引張強度）］が、０Ｎ以上６０Ｎ以下であり、ダイボンドフィルムの２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイのピックアップ装置において、より薄い半導体ダイを容易にピックアップする。
【解決手段】ステージ２０と、吸引開口４１と、吸引開口４１を開閉する蓋２３と、吸引開口４１の周縁に配置され、密着面２２から突出する各突起３１，３２と基本孔３３ａ〜３３ｄと、を備え、半導体ダイ１５をピックアップする際に、半導体ダイ１５の外形の少なくとも一部が各突起３１，３２からステージ外周方向に向かってはみ出した状態で基本孔３３ａ〜３３ｄによってはみ出した部分の保持シート１２を吸引すると共に、蓋２３の先端２３ａを上方向に進出させ、保持シート１２と半導体ダイ１５とを押し上げながら蓋２３をスライドさせて吸引開口４１を順次開き、開いた吸引開口４１に保持シート１２を順次吸引させて半導体ダイ１５から保持シート１２を順次引き剥がす。 （もっと読む）