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Fターム[5F047BB03]の内容

ダイボンディング (10,903) | 接合材供給時の形状 (2,598) | 固体状 (777) | リボン状、テープ状 (660)

Fターム[5F047BB03]に分類される特許

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【課題】α線による影響を低減することが可能な半導体装置製造用の接着シート、ダイシングフィルム一体型半導体装置製造用の接着シート、及び、当該半導体装置製造用の接着シートを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】α線放出量が0.002c/cm.h以下である半導体装置製造用の接着シート3。無機フィラー、及び、イオン捕捉剤を含むことを特徴とする半導体装置製造用の接着シート3。前記イオン捕捉剤は、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボン酸基含有化合物からなる群より選ばれる1種以上の有機系錯体形成化合物であることを特徴とする半導体装置製造用の接着シート3。ダイシングフィルム一体型接着シート10に於ける接着シート3の半導体ウェハ貼り付け部分3a上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定する。なお、ダイシングフィルム11は、基材1上に粘着剤層2が積層された構造である。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で正確なピックアップを行える接着剤層付き片状体を製造可能な転写装置および転写方法を提供することにある。
【解決手段】転写装置1は、接着シートS1を介してウェハWを支持する第1支持手段2と、ウェハWに対向配置させて転写シートS2を支持する第2支持手段3と、ウェハWと転写シートS2とを互いに接近する方向に移動して当接させる当接手段4と、転写シートS2の接着剤層AD2を流動化させる流動化手段5と、接着シートS1を変形させて接着剤層AD2に貼付する押圧手段6と、接着シートS1を転写シートS2から離間する方向に移動させて、接着剤層AD2を基材シートBS2から引き剥がす割断手段7と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 高温処理を施しても半導体チップからの剥離が生じず、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能な接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、175℃で5時間硬化させた後の260℃での引張貯蔵弾性率が0.5MPa以上1000MPa以下である接着シート。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを導電パターン付き絶縁基板に半田付けする工程において、半導体チップの位置ズレが発生しない半導体装置の組立治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】組立治具200の構成部品として上下に自在に可動できる仕切り板25を設けることで、導電パターン付き絶縁基板28が凸状または凹状のいずれに曲がっても、半田付け工程で半導体チップ29の位置ズレをの発生を防止できる半導体装置の組立治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートにおいて、チップと配線接続基板との間の熱応力を緩和できる構成を提供する。
【解決手段】本発明の接着シートは、放射性重合性基材上にダイボンディング剤として使用できる接着剤層を有しているので、ウェハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートを提供できる。また、接着剤層として、Bステージ状態で相分離する2種類の樹脂であって、Bステージ状態で分散相を形成する樹脂(A)と連続相を形成する樹脂(B)とを持ち、前記樹脂(A)は、未硬化状態での重量平均分子量が1万以下で、前記樹脂(B)は、未硬化状態での重量平均分子量が10万以上である。 (もっと読む)


【課題】ピックアップ工程において小さい突き上げ量でも、半導体チップを十分にピックアップ可能なダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供すること。
【解決手段】本発明のダイシング・ダイボンディング一体型テープは、基材層、粘着層及び接着層がこの順で積層されたものであり、粘着層は光照射前の破断伸びが140%以下である。 (もっと読む)


【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層81と、低融点メタル薄膜層81の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層82とを有する3層構造を複数積層化した積層化構造80と、積層化構造80の表面に配置された第1高融点メタル層1aと、積層化構造80の裏面に配置された第2高融点メタル層1bとを備え、低融点メタル薄膜層81と高融点メタル薄膜層82、積層化構造80と第1高融点メタル層1aおよび第2高融点メタル層1bは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層5、およびこの積層化高融点半田層5を適用する半導体装置10。 (もっと読む)


【課題】本発明は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、当該フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合せた接着シートならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも接着剤層を有してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤層は、(A)SP値が10.0〜11.0(cal/cm1/2であるポリイミド樹脂、及び(B)エポキシ樹脂を含有し、
tanδピーク温度が−20〜60℃かつフロー量が100〜1500μmであるフィルム状接着剤とする。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤボンディング性や凹凸追従性に優れ、積層後のオーバーハング部分のウエハのサポートが可能な半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接着剤層と基材層を備える接着部材であって、前記接着剤層が、(A)架橋性官能基を有し、重量平均分子量が10万〜100万でありガラス転移温度が−50℃〜50℃である高分子量成分と、(B)重量平均分子量500以上の多官能エポキシ樹脂と、(C)フェノール樹脂と、を含む熱硬化性樹脂、及び、(D)無機微粒子を含むことを特徴とし、且つ前記接着剤層の厚みが2〜7μmであることを特徴とする半導体用接着部材とする。 (もっと読む)


【課題】接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートロールを提供すること。
【解決手段】剥離基材と剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、接着シートは、接着シートの長手方向における接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、最長形成部の片側に接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、最長形成部のもう一方の片側に接着剤層非形成領域と、接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シート。 (もっと読む)


【課題】半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができるダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディング一体型テープ1は、テープの基部をなす基材層2と、基材層2の一方面上に形成された粘接着層3と、を備え、粘接着層3は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部3bと、ウェハ保持部3bの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部3aと、を有し、リング保持部3aと基材層2との接着力が、ウェハ保持部3bと基材層2との接着力よりも高くなっている。これにより、リング保持部3aは、ウェハ保持部3bと比べ基材層2から剥離し難いため、基材層2と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。 (もっと読む)


【課題】高熱伝導率で放熱特性に優れ、低温、低圧、短時間でのラミネート及びダイアタッチが可能であり、耐湿後の信頼性に優れた熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂反応性官能基をポリマー骨格に有するTg95℃以上のポリマー、(B)エポキシ樹脂反応性官能基をポリマー骨格に有するTg-30℃以下の液状ポリマー、(C)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、及び(D)熱伝導率が10W/mK以上の無機充填剤、を含む熱伝導性接着剤組成物;基材と、該基材上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた接着用シート;基材とその上に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、該ダイシングフィルムの粘着剤層上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム。 (もっと読む)


【課題】素子表面の凹凸発生を抑制したはんだ接合方法およびはんだ接合モジュールを得る。
【解決手段】Sn−Sb−Cu−Niはんだ、または、Sn−Sb−Cu−Ni−Inはんだを用いて素子と電極を接合するはんだ接合方法であって、素子と電極のはんだ接合プロセスとして、第1の昇温過程、第1の高温保持過程、第1の冷却過程を有する第1の加熱冷却工程と、第2の昇温過程、第2の高温保持過程、第2の冷却過程を有し、第1の加熱冷却工程に続いて行われる第2の加熱冷却工程とを備えており、第1の加熱冷却工程は、第1の高温保持過程における加熱保持温度が、はんだの液相線温度よりも30℃〜50℃高く、第1の冷却過程における冷却速度が、400℃/分以上であり、第2の加熱冷却工程は、第2の高温保持過程における加熱保持温度が、はんだの固相線温度よりも30〜50℃低いものである。 (もっと読む)


【課題】 熱履歴を経た後のイオン捕捉性の低下を抑制することが可能な半導体装置製造用の接着シートを形成可能な接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 陽イオンと錯体を形成する有機系錯体形成化合物を少なくとも含有し、有機系錯体形成化合物の熱重量測定法による5%重量減少温度が180℃以上である半導体装置製造用の接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップにかかる応力やストレスを緩和して、半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体装置(20)は、主面(22a)を持つ配線基板(22)と、この配線基板の主面上に配置された半導体チップ(24)と、配線基板(22)の主面(22a)と半導体チップ(24)の裏面(24b)との間に設けられた接着層と、を含む。接着層は、配線基板(22)の主面(22a)と半導体チップ(24)の裏面(24b)との間に隙間(38)ができるように介装された、少なくとも1片の接着部材(26)から成る。 (もっと読む)


【課題】薄膜形成性、低温での加工性(低温貼付性)、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】(A)熱可塑性樹脂と(B)熱硬化性成分とを含み、(A)熱可塑性樹脂が、(A1)ガラス転移温度が60℃以下、かつ重量平均分子量が10000〜100000のポリイミド樹脂、及び(A2)樹脂分が20質量%となるようにN−メチル−2−ピロリドンに溶解させたときの25℃における粘度が10ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、(B)熱硬化性成分が、(B1)エポキシ樹脂及び(B2)ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】 ダイボンドフィルムと半導体ウェハとを引張張力により好適に破断することが可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ステルスダイシング(登録商標)に使用されるものであり、基材は、半導体ウェハを貼り付ける部分に対応するウェハ貼付部を有しており、ダイボンドフィルムに貼り付けられる半導体ウェハの厚みをA(μm)、ダイボンドフィルムの厚みをB(μm)、基材のウェハ貼付部における厚みをC(μm)としたとき、C/Aが0.4以上20以下であり、C/Bが0.8以上67以下であり、且つ、A/Bが0.1以上67以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。 (もっと読む)


【課題】極薄チップからなる半導体素子であっても、接着面に空隙を生じさせることなくワイヤ埋込構造での実装を可能とし、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤、接着シート、及び、上記フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】(a)軟化点が100℃以下であり、且つ、エポキシ当量が140以上であるエポキシ樹脂または水酸基当量が140以上であるフェノール樹脂を20質量%以上含む熱硬化性樹脂を100質量部、
(b)架橋性官能基をモノマー比率で3〜15%有し、重量平均分子量が10万〜80万であり、かつTgが−50〜50℃である高分子量成分を30〜100質量部、
(c)無機フィラーを10〜60質量部、
(d)硬化促進剤を0〜0.07質量部、含有することを特徴とするフィルム状接着剤とする。 (もっと読む)


【課題】ダイシングに際して剥離補助フィルムとダイシングテープとの剥離が生じ難く、半導体チップのピックアップ不良を低減することができる、ダイシング・ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ2と、前記ダイシングテープ2上に積層された剥離補助フィルム3と、前記剥離補助フィルム3上に積層されたダイボンディングフィルム4とを備え、前記剥離補助フィルム3が、(メタ)アクリル酸エステル系樹脂フィルムからなり、かつ前記剥離補助フィルム3の前記ダイボンディングフィルム4側の粘着力に比べ、前記ダイシングテープ2側の粘着力が相対的に高くされている、ダイシング・ダイボンディングテープ1。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる信頼性の高いダイボンダ又は前記ダイボンダを用い信頼性の高い半導体製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、ボンディングヘッドがその先端に設けられた吸着手段でダイを真空吸着し、ウェハから剥離する剥離ステップと、剥離された前記ダイを基板にボンディングする装着ステップと、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを粘着保持するダイシング用粘着テープの所定の照射領域に照射部から前記紫外光を照射する照射ステップと、前記ダイシング用粘着テープと前記照射部を相対的に移動させる移動ステップと、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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