ダイシング・ダイボンディング一体型テープ
【課題】半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができるダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１は、テープの基部をなす基材層２と、基材層２の一方面上に形成された粘接着層３と、を備え、粘接着層３は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部３ｂと、ウェハ保持部３ｂの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部３ａと、を有し、リング保持部３ａと基材層２との接着力が、ウェハ保持部３ｂと基材層２との接着力よりも高くなっている。これにより、リング保持部３ａは、ウェハ保持部３ｂと比べ基材層２から剥離し難いため、基材層２と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。
【解決手段】ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１は、テープの基部をなす基材層２と、基材層２の一方面上に形成された粘接着層３と、を備え、粘接着層３は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部３ｂと、ウェハ保持部３ｂの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部３ａと、を有し、リング保持部３ａと基材層２との接着力が、ウェハ保持部３ｂと基材層２との接着力よりも高くなっている。これにより、リング保持部３ａは、ウェハ保持部３ｂと比べ基材層２から剥離し難いため、基材層２と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体装置の製造に用いられるダイシング・ダイボンディング一体型テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のダイシング・ダイボンディング一体型テープとして、ダイシングの際に半導体ウェハに貼り付けるための粘着層と、ダイシング後の半導体チップに付与されるダイボンディング用の接着層と、を基材の一面側に備えたものがある。また、近年では、粘着層と接着層との双方の機能を持つ粘接着層を用いたダイシング・ダイボンディング一体型テープの開発も進められている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなダイシング・ダイボンディング一体型テープを用いたダイシング工程では、半導体ウェハと補強用のリングフレームとを粘接着層上に保持し、半導体ウェハと粘接着層とを共に切断する。そして、これに続くピックアップ工程では、ダイシングによって個片化された粘接着剤付きの半導体チップをピックアップする。ピックアップ工程の後、リングフレームは、ダイシング・ダイボンディング一体型テープを剥離して再利用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−３２１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した従来のダイシング・ダイボンディング一体型テープでは、粘接着剤が半導体チップと共にピックアップされ易くなるように、支持体と粘接着層との間の接着力が抑えられている場合がある。そのため、ピックアップ後にリングフレームからダイシング・ダイボンディング一体型テープを剥離する際に、支持体のみがリングフレームから剥離し、粘接着層をなす粘接着剤がリングフレームに残存してしまう場合があった。
【０００６】
本発明は、上記課題解決のためになされたものであり、半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができるダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープは、テープの基部をなす基材層と、基材層の一方面上に形成された粘接着層と、を備えたダイシング・ダイボンディング一体型テープであって、粘接着層は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部と、ウェハ保持部の外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部と、を有し、リング保持部と基材層との間の接着力が、ウェハ保持部と基材層との間の接着力よりも高くなっていることを特徴とする。
【０００８】
このようなダイシング・ダイボンディング一体型テープでは、リング保持部は、ウェハ保持部と比べ基材層から剥離し難いため、基材層と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。
【０００９】
ここで、リング保持部と基材層との間の接着力は、密着性補強剤によって、ウェハ保持部と基材層との間の接着力よりも高くなっていることが好ましい。この場合、リング保持部と基材層との間の接着力が、ウェハ保持部と基材層との間の接着力よりも高くなっているダイシング・ダイボンディング一体型テープを容易に製造することができる。
【００１０】
また、粘接着層は、高エネルギー線を照射すると接着力が低下することが好ましい。この場合、粘接着層のリング保持部に高エネルギー線を照射すると、リング保持部の接着力が低下するため、リングフレームへの粘接着剤の残存がより軽減される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープによれば、半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープの一実施形態を示す断面図である。
【図２】粘接着層上に半導体ウェハ及びリングフレームを設置した状態を示す断面図である。
【図３】ダイシング工程を示す断面図である。
【図４】ピックアップ工程を示す断面図である。
【図５】フレーム部材からダイシング・ダイボンディング一体型テープを剥離する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープの好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープの一実施形態を示す断面図である。図１に示すように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１は、基材層２と、基材層２の一方面上に形成された粘接着層３と、を備えている。
【００１５】
基材層２は、テープの基部をなし、ダイシング時に半導体ウェハ等を支持する。基材層２の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性エラストマー等が挙げられる。基材層２をこれらの材料で形成することにより、基材層２と粘接着層３との間の接着力が抑制される。基材層２は、２種以上の材料で形成されてもよく、単層又は複層であってもよい。
【００１６】
基材層２の厚みは、ダイシング工程、ピックアップ工程、ダイボンディング工程等の各工程の作業性を損なわない範囲で適宜に選択できる。例えば、ピックアップ工程において、粘接着層３に基材層２側から高エネルギー線（中でも紫外線）を照射し、粘接着層３の接着力を低下させる場合には、高エネルギー線の透過を阻害しない厚みとするのが好ましい。高エネルギー線の透過を阻害しない厚みは、通常１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍである。
【００１７】
粘接着層３は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部３ｂと、ウェハ保持部３ｂの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部３ａと、を有する。粘接着層３の材料としては、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらのうち、特に、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する（即ち、接着力が低下する）ものが好ましく、中でも高エネルギー線によって硬化するものが好ましく、更には紫外線によって硬化するものが特に好ましい。粘接着層３は、２種以上の材料で形成されてもよい。
【００１８】
リング保持部３ａと基材層２との界面４では、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、密着性補強剤によって補強されている。このため、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力よりも高くなっている。このように、密着性補強材を用いることにより、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力を容易に補強することができる。密着性補強材としては、例えば、エポキシ系、メタクリル系、ビニル系、アミノシラン系カップリング剤等が挙げられる。これらのうち、特に、ポリオレフィンフィルムに密着しやすいカップリング剤が好ましい。このようなカップリング剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００１９】
以上のように構成されたダイシング・ダイボンディング一体型テープ１を用いたダイシング工程、ピックアップ工程、及びリングフレームからテープを剥離する工程を説明する。
【００２０】
ダイシング工程では、図２に示すように、粘接着層３のウェハ保持部３ｂ上に半導体ウェハ５を設置し、リング保持部３ａ上にリングフレーム６を設置する。リングフレーム６は、通常は金属製またはプラスチック製の成形体である。
【００２１】
次に、図３に示すように、ブレード７で半導体ウェハ５を切断し、個片化して半導体チップ５ａを得る。この際に、粘接着層３も同時に切断され、各半導体チップ５ａに対応した粘接着剤に個片化される。
【００２２】
ピックアップ工程では、粘接着層３に、基材層２を通して高エネルギー線を照射し、粘接着層３を硬化させる。高エネルギー線は、基材層２側から照射されるため、粘接着層３の基材層２側では、半導体チップ５ａ側よりも硬化が進行する。次に、図４に示すように、半導体チップ５ａのピックアップが行われる。上述のように、基材層２は、粘接着層３との間の接着力を適度に抑制する材料で形成されているため、半導体チップ５ａに対応した粘接着剤は、基材層２から剥がれ、半導体チップ５ａと共にピックアップされる。このように、半導体チップ５ａ及び粘接着剤のピックアップ性が保たれる。また、上述のように、粘接着層３には、高エネルギー線が照射され、粘接着層３の基材層２側の硬化が進行し、粘接着層３と基材層２との間の接着力が低下しているため、半導体チップ５ａに対応した粘接着剤は、より確実に半導体チップ５ａと共にピックアップされる。このように、半導体チップ５ａ及び粘接着剤のピックアップ性が向上する。
【００２３】
ピックアップ工程において全ての半導体チップ５ａをピックアップした後には、図５（ａ）に示すように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１をリングフレーム６から剥離する。上述のように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１では、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力が、密着性補強剤によって補強され、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力よりも高くなっている。これにより、基材層２をリングフレーム６から剥離しようとした際に、リング保持部３ａと基材層２との間よりも、リング保持部３ａとリングフレーム６との間で剥離が生じ易くなる。その結果、リング保持部３ａは、基材層２に引かれ、基材層２と共にリングフレーム６から剥離し、リングフレーム６への粘接着剤の残存が軽減される。更に、上記ピックアップ工程における高エネルギー線の照射により、粘接着層３のリング保持部３ａの接着力も低下するため、リングフレーム６への粘接着剤の残存がより軽減される。このように、リングフレーム６への粘着接着剤の残存が軽減されることで、リングフレーム６から粘接着剤を除去するための洗浄回数が削減され、リングフレーム６の寿命が長くなる。
【００２４】
ここで、図５（ｂ）は、比較対象として、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力が、密着性補強剤によって補強されていない場合を示している。即ち、図５（ｂ）では、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力と略同等である。この場合、基材層２をリングフレーム６から剥離しようとした際に、リング保持部３ａとリングフレーム６との間よりも、リング保持部３ａと基材層２との間で剥離が生じ易くなる。その結果、リングフレーム６から基材層２のみが剥離し、粘接着層３の一部がリングフレーム６に残存することが生じる。
【００２５】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００２６】
例えば、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、密着性補強剤によって、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力よりも高くなっているが、これに限られない。例えば、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力が、離型剤等によって、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力よりも低くなっていてもよい。
【実施例１】
【００２７】
以下、本発明の実施例について説明する。
［ダイシング・ダイボンディング一体型テープの作製］
【００２８】
まず、基材層２として、厚さ１００μｍのポリオレフィンシートを準備した。次に基材層２の一方面上に、熱硬化型エポキシ樹脂を含有したアクリル系の材料からなる粘接着層３をラミネートし、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１の実施例１〜３及び比較例を作製した。粘接着層３の厚みは２０μｍとした。粘接着層３をラミネートする際の条件を次のように設定した。
【００２９】
実施例１：基材層２の一方面のうち、粘接着層３のリング保持部３ａに対応する領域に、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（密着性補強剤）を塗布した後、粘接着層３をラミネートした。
【００３０】
実施例２：基材層２の一方面のうち、粘接着層３のリング保持部３ａに対応する領域に、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（密着性補強剤）を塗布した後、粘接着層３をラミネートした。
【００３１】
実施例３：基材層２の一方面のうち、粘接着層３のリング保持部３ａに対応する領域に、ビニルトリメトキシシラン（密着性補強剤）を塗布した後、粘接着層３をラミネートした。
【００３２】
比較例：基材層２の一方面に密着性補強剤を塗布することなく、粘接着層３をラミネートした。
［リングフレームからの剥離性の評価］
【００３３】
リングフレームとして、ＤＩＳＣＯ社製のリングフレーム（商品名：ＭＯＤＴＦ ２−６−１）を準備した。実施例１〜３及び比較例のダイシング・ダイボンディング一体型テープ上にリングフレームを設置した後、各ダイシング・ダイボンディング一体型テープをリングフレームから剥離し、粘接着層３をなす粘接着剤がリングフレームに残存するかどうかを評価した。その結果、実施例１〜３では、粘接着剤はリングフレームに残存しなかった。比較例では、粘接着剤はリングフレームに残存した。
【符号の説明】
【００３４】
１…ダイシング・ダイボンディング一体型テープ、２…基材層、３…粘接着層、３ａ…リング保持部、３ｂ…ウェハ保持部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体装置の製造に用いられるダイシング・ダイボンディング一体型テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のダイシング・ダイボンディング一体型テープとして、ダイシングの際に半導体ウェハに貼り付けるための粘着層と、ダイシング後の半導体チップに付与されるダイボンディング用の接着層と、を基材の一面側に備えたものがある。また、近年では、粘着層と接着層との双方の機能を持つ粘接着層を用いたダイシング・ダイボンディング一体型テープの開発も進められている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなダイシング・ダイボンディング一体型テープを用いたダイシング工程では、半導体ウェハと補強用のリングフレームとを粘接着層上に保持し、半導体ウェハと粘接着層とを共に切断する。そして、これに続くピックアップ工程では、ダイシングによって個片化された粘接着剤付きの半導体チップをピックアップする。ピックアップ工程の後、リングフレームは、ダイシング・ダイボンディング一体型テープを剥離して再利用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−３２１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した従来のダイシング・ダイボンディング一体型テープでは、粘接着剤が半導体チップと共にピックアップされ易くなるように、支持体と粘接着層との間の接着力が抑えられている場合がある。そのため、ピックアップ後にリングフレームからダイシング・ダイボンディング一体型テープを剥離する際に、支持体のみがリングフレームから剥離し、粘接着層をなす粘接着剤がリングフレームに残存してしまう場合があった。
【０００６】
本発明は、上記課題解決のためになされたものであり、半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができるダイシング・ダイボンディング一体型テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープは、テープの基部をなす基材層と、基材層の一方面上に形成された粘接着層と、を備えたダイシング・ダイボンディング一体型テープであって、粘接着層は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部と、ウェハ保持部の外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部と、を有し、リング保持部と基材層との間の接着力が、ウェハ保持部と基材層との間の接着力よりも高くなっていることを特徴とする。
【０００８】
このようなダイシング・ダイボンディング一体型テープでは、リング保持部は、ウェハ保持部と比べ基材層から剥離し難いため、基材層と共にリングフレームから剥離し易い。その結果、リングフレームへの粘接着剤の残存が軽減される。
【０００９】
ここで、リング保持部と基材層との間の接着力は、密着性補強剤によって、ウェハ保持部と基材層との間の接着力よりも高くなっていることが好ましい。この場合、リング保持部と基材層との間の接着力が、ウェハ保持部と基材層との間の接着力よりも高くなっているダイシング・ダイボンディング一体型テープを容易に製造することができる。
【００１０】
また、粘接着層は、高エネルギー線を照射すると接着力が低下することが好ましい。この場合、粘接着層のリング保持部に高エネルギー線を照射すると、リング保持部の接着力が低下するため、リングフレームへの粘接着剤の残存がより軽減される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープによれば、半導体チップのピックアップ性を保ちつつ、リングフレームへの粘接着剤の残存を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープの一実施形態を示す断面図である。
【図２】粘接着層上に半導体ウェハ及びリングフレームを設置した状態を示す断面図である。
【図３】ダイシング工程を示す断面図である。
【図４】ピックアップ工程を示す断面図である。
【図５】フレーム部材からダイシング・ダイボンディング一体型テープを剥離する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープの好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明に係るダイシング・ダイボンディング一体型テープの一実施形態を示す断面図である。図１に示すように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１は、基材層２と、基材層２の一方面上に形成された粘接着層３と、を備えている。
【００１５】
基材層２は、テープの基部をなし、ダイシング時に半導体ウェハ等を支持する。基材層２の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性エラストマー等が挙げられる。基材層２をこれらの材料で形成することにより、基材層２と粘接着層３との間の接着力が抑制される。基材層２は、２種以上の材料で形成されてもよく、単層又は複層であってもよい。
【００１６】
基材層２の厚みは、ダイシング工程、ピックアップ工程、ダイボンディング工程等の各工程の作業性を損なわない範囲で適宜に選択できる。例えば、ピックアップ工程において、粘接着層３に基材層２側から高エネルギー線（中でも紫外線）を照射し、粘接着層３の接着力を低下させる場合には、高エネルギー線の透過を阻害しない厚みとするのが好ましい。高エネルギー線の透過を阻害しない厚みは、通常１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍである。
【００１７】
粘接着層３は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部３ｂと、ウェハ保持部３ｂの外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部３ａと、を有する。粘接着層３の材料としては、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらのうち、特に、紫外線や放射線等の高エネルギー線や熱によって硬化する（即ち、接着力が低下する）ものが好ましく、中でも高エネルギー線によって硬化するものが好ましく、更には紫外線によって硬化するものが特に好ましい。粘接着層３は、２種以上の材料で形成されてもよい。
【００１８】
リング保持部３ａと基材層２との界面４では、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、密着性補強剤によって補強されている。このため、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力よりも高くなっている。このように、密着性補強材を用いることにより、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力を容易に補強することができる。密着性補強材としては、例えば、エポキシ系、メタクリル系、ビニル系、アミノシラン系カップリング剤等が挙げられる。これらのうち、特に、ポリオレフィンフィルムに密着しやすいカップリング剤が好ましい。このようなカップリング剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００１９】
以上のように構成されたダイシング・ダイボンディング一体型テープ１を用いたダイシング工程、ピックアップ工程、及びリングフレームからテープを剥離する工程を説明する。
【００２０】
ダイシング工程では、図２に示すように、粘接着層３のウェハ保持部３ｂ上に半導体ウェハ５を設置し、リング保持部３ａ上にリングフレーム６を設置する。リングフレーム６は、通常は金属製またはプラスチック製の成形体である。
【００２１】
次に、図３に示すように、ブレード７で半導体ウェハ５を切断し、個片化して半導体チップ５ａを得る。この際に、粘接着層３も同時に切断され、各半導体チップ５ａに対応した粘接着剤に個片化される。
【００２２】
ピックアップ工程では、粘接着層３に、基材層２を通して高エネルギー線を照射し、粘接着層３を硬化させる。高エネルギー線は、基材層２側から照射されるため、粘接着層３の基材層２側では、半導体チップ５ａ側よりも硬化が進行する。次に、図４に示すように、半導体チップ５ａのピックアップが行われる。上述のように、基材層２は、粘接着層３との間の接着力を適度に抑制する材料で形成されているため、半導体チップ５ａに対応した粘接着剤は、基材層２から剥がれ、半導体チップ５ａと共にピックアップされる。このように、半導体チップ５ａ及び粘接着剤のピックアップ性が保たれる。また、上述のように、粘接着層３には、高エネルギー線が照射され、粘接着層３の基材層２側の硬化が進行し、粘接着層３と基材層２との間の接着力が低下しているため、半導体チップ５ａに対応した粘接着剤は、より確実に半導体チップ５ａと共にピックアップされる。このように、半導体チップ５ａ及び粘接着剤のピックアップ性が向上する。
【００２３】
ピックアップ工程において全ての半導体チップ５ａをピックアップした後には、図５（ａ）に示すように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１をリングフレーム６から剥離する。上述のように、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１では、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力が、密着性補強剤によって補強され、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力よりも高くなっている。これにより、基材層２をリングフレーム６から剥離しようとした際に、リング保持部３ａと基材層２との間よりも、リング保持部３ａとリングフレーム６との間で剥離が生じ易くなる。その結果、リング保持部３ａは、基材層２に引かれ、基材層２と共にリングフレーム６から剥離し、リングフレーム６への粘接着剤の残存が軽減される。更に、上記ピックアップ工程における高エネルギー線の照射により、粘接着層３のリング保持部３ａの接着力も低下するため、リングフレーム６への粘接着剤の残存がより軽減される。このように、リングフレーム６への粘着接着剤の残存が軽減されることで、リングフレーム６から粘接着剤を除去するための洗浄回数が削減され、リングフレーム６の寿命が長くなる。
【００２４】
ここで、図５（ｂ）は、比較対象として、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力が、密着性補強剤によって補強されていない場合を示している。即ち、図５（ｂ）では、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力と略同等である。この場合、基材層２をリングフレーム６から剥離しようとした際に、リング保持部３ａとリングフレーム６との間よりも、リング保持部３ａと基材層２との間で剥離が生じ易くなる。その結果、リングフレーム６から基材層２のみが剥離し、粘接着層３の一部がリングフレーム６に残存することが生じる。
【００２５】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００２６】
例えば、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力は、密着性補強剤によって、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力よりも高くなっているが、これに限られない。例えば、ウェハ保持部３ｂと基材層２との間の接着力が、離型剤等によって、リング保持部３ａと基材層２との間の接着力よりも低くなっていてもよい。
【実施例１】
【００２７】
以下、本発明の実施例について説明する。
［ダイシング・ダイボンディング一体型テープの作製］
【００２８】
まず、基材層２として、厚さ１００μｍのポリオレフィンシートを準備した。次に基材層２の一方面上に、熱硬化型エポキシ樹脂を含有したアクリル系の材料からなる粘接着層３をラミネートし、ダイシング・ダイボンディング一体型テープ１の実施例１〜３及び比較例を作製した。粘接着層３の厚みは２０μｍとした。粘接着層３をラミネートする際の条件を次のように設定した。
【００２９】
実施例１：基材層２の一方面のうち、粘接着層３のリング保持部３ａに対応する領域に、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（密着性補強剤）を塗布した後、粘接着層３をラミネートした。
【００３０】
実施例２：基材層２の一方面のうち、粘接着層３のリング保持部３ａに対応する領域に、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（密着性補強剤）を塗布した後、粘接着層３をラミネートした。
【００３１】
実施例３：基材層２の一方面のうち、粘接着層３のリング保持部３ａに対応する領域に、ビニルトリメトキシシラン（密着性補強剤）を塗布した後、粘接着層３をラミネートした。
【００３２】
比較例：基材層２の一方面に密着性補強剤を塗布することなく、粘接着層３をラミネートした。
［リングフレームからの剥離性の評価］
【００３３】
リングフレームとして、ＤＩＳＣＯ社製のリングフレーム（商品名：ＭＯＤＴＦ ２−６−１）を準備した。実施例１〜３及び比較例のダイシング・ダイボンディング一体型テープ上にリングフレームを設置した後、各ダイシング・ダイボンディング一体型テープをリングフレームから剥離し、粘接着層３をなす粘接着剤がリングフレームに残存するかどうかを評価した。その結果、実施例１〜３では、粘接着剤はリングフレームに残存しなかった。比較例では、粘接着剤はリングフレームに残存した。
【符号の説明】
【００３４】
１…ダイシング・ダイボンディング一体型テープ、２…基材層、３…粘接着層、３ａ…リング保持部、３ｂ…ウェハ保持部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープの基部をなす基材層と、前記基材層の一方面上に形成された粘接着層と、を備えたダイシング・ダイボンディング一体型テープであって、
前記粘接着層は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部と、前記ウェハ保持部の外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部と、を有し、
前記リング保持部と前記基材層との間の接着力が、前記ウェハ保持部と前記基材層との間の接着力よりも高くなっていることを特徴とするダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
【請求項２】
前記リング保持部と前記基材層との間の接着力は、密着性補強剤によって、前記ウェハ保持部と前記基材層との間の接着力よりも高くなっていることを特徴とする請求項１記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
【請求項３】
前記粘接着層は、高エネルギー線を照射すると接着力が低下することを特徴とする請求項１又は２記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
【請求項１】
テープの基部をなす基材層と、前記基材層の一方面上に形成された粘接着層と、を備えたダイシング・ダイボンディング一体型テープであって、
前記粘接着層は、半導体ウェハを保持するウェハ保持部と、前記ウェハ保持部の外側で補強用のリングフレームを保持するリング保持部と、を有し、
前記リング保持部と前記基材層との間の接着力が、前記ウェハ保持部と前記基材層との間の接着力よりも高くなっていることを特徴とするダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
【請求項２】
前記リング保持部と前記基材層との間の接着力は、密着性補強剤によって、前記ウェハ保持部と前記基材層との間の接着力よりも高くなっていることを特徴とする請求項１記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
【請求項３】
前記粘接着層は、高エネルギー線を照射すると接着力が低下することを特徴とする請求項１又は２記載のダイシング・ダイボンディング一体型テープ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−４７４６（Ｐ２０１３−４７４６Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４５０７（Ｐ２０１１−１３４５０７）
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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