【課題】電子部品と支持部材の接着材料として、良好な熱時接着力及び耐高温半田付け性を有し、低応力性、低温接着性にも優れるダイボンディング材を得る。
【解決手段】半導体素子を接着するためのフィルム状のダイボンディング材であって、
テトラカルボン酸二無水物と、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサンを全ジアミンの３モル％以上含むジアミンとの反応から得られるTgが２００℃以下のポリイミド樹脂と、
加熱硬化後の２７０℃における弾性率が５MPa以上となり、前記ポリイミド樹脂１００重量部に対して１〜１００重量部の、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂と、
シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック及び銅粉から選択される前記ポリイミド樹脂１００重量部に対して４０００重量部以下のフィラーと、硬化剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高温加熱した場合及び加熱していない場合に接着層が半導体素子搭載用の支持部材から十分剥離し難く、支持部材の表面に形成された凹凸の凹部に対して接着層を十分良好に充填可能な接着シートを提供する。
【解決手段】 接着シート６は、基材２と半導体素子を支持部材上に搭載するための熱硬化型の接着層４とを備える。接着層４は、硬化後の２６０℃における引張弾性率が０．５〜５００ＭＰａとなる接着剤組成物を含有する。接着剤組成物は下記式（１）及び（２）で表される条件を満たす。
１．０×１０^３≦η１≦１．０×１０^７ （１）
１．０×１０^３≦η２≦１．０×１０^７ （２）
［式中、η１は硬化前の接着剤組成物の１８０℃における溶融粘度（単位：Ｐａ・ｓ）を示し、η２は硬化前の接着剤組成物を１７０℃で１時間加熱した後の１８０℃における溶融粘度（単位：Ｐａ・ｓ）を示す。］ （もっと読む）

【課題】低温貼付性及び低吸湿性等に優れ、さらに熱時において高い接着力を有し、耐ＰＣＴ性に優れる接着フィルムに用いるポリイミド樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物と、一般式（２）


（式中、Ｑ^１及びＱ^２は各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基などを示し、Ｑ^３、Ｑ^４、Ｑ^５及びＱ^６は各々独立に炭素数１〜１０のアルキル基などを示し、ｐは１〜５０の整数を示す）で表されるシロキサンジアミンと、他の酸無水物及び／又は他のジアミンとを原料としたポリイミド樹脂の製造方法であって、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物及び上記シロキサンジアミンを反応させた後に、他の酸無水物及び／又は他のジアミンを反応させることを特徴とするポリイミド樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属材質のリードフレームとの接着特性およびプラスチック材質の半導体チップ絶縁膜との接着特性を同時に満足させるとともに、低温接着工程を行うことが可能なＬＯＣ用両面テープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス転移温度３００℃以上、厚さ５〜１５０μｍのポリイミド基材フィルムと、前記ポリイミド基材フィルムの一面に酸末端基含有のポリイミド系接着剤用組成物を塗布して形成された接着剤層と、前記ポリイミド基材フィルムの他面にアミン末端基含有のポリイミド系接着剤用組成物を塗布して形成された接着剤層とから構成され、前記ポリイミド基材フィルムと前記それぞれの接着剤層との接着力が０．８ｋｇｆ／ｃｍ²以上である。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性、金属層との密着性に優れた導電性微粒子用基材エポキシ樹脂微粒子を提供することを目的とする。
【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）と、クレイ−有機カチオン挿入化合物である無機層状化合物（Ｂ）からなり、該無機層状化合物（Ｂ）が該エポキシ樹脂（Ａ）中で層剥離されて分散してなるエポキシ樹脂微粒子（Ｃ）を使用する。エポキシ樹脂微粒子（Ｃ）は無機層状化合物（Ｂ）を１重量％以上２５重量％以下含有し、数平均粒子径が０．１μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とするエポキシ樹脂微粒子（Ｃ）を使用する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子とリードフレーム等の半導体素子搭載用支持部材とを低温で接着することができる半導体用接着フィルムを提供する。
【解決手段】 半導体用接着フィルムは、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）軟化点が４０℃以上７０以下７０℃未満のエポキシ樹脂、（Ｃ）軟化点が７０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂、（Ｄ）軟化点が８０℃以上１３０℃以下のフェノール樹脂を含む樹脂組成物で構成される半導体用接着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】テープ基材の傷等の異常を検出し、当該異常箇所を除いて切り込みを入れダイシングテープを形成した半導体ウエハのマウント装置及び方法を提供する。
【解決手段】ダイカット装置１３の上流側に設けられたＣＣＤカメラ等の検査装置１４は、ガイドロール２５の直前位置に設けられ、この検査一回の撮像でダイシングテープＤＴの面積をカバーすることが好ましい。検査装置１４による検査データは制御装置に出力され、異常が検出されたときは、その位置データに基づいて、当該異常が存在する領域が切り込みＣの領域内に含まれないようにする。一枚のダイシングテープＤＴを形成する領域内に異常が検出された場合には、その異常箇所が素通りするまで前述したクリアランスＣＬを保ったままダイカット装置１３の駆動が停止されることとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とリードフレーム等の半導体素子搭載用支持部材とを低温で接着することができる半導体用接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体用接着フィルムは、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）軟化点が４０℃以上７０℃未満のエポキシ樹脂、（Ｃ）軟化点が７０℃以上１００℃以下のエポキシ樹脂、（Ｄ）軟化点が８０℃以上１３０℃以下のフェノール樹脂を含む樹脂組成物で構成される半導体用接着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】 半導体用部品または液晶表示用部品と、基板との間に生じる結露を防止することができる接着フィルムを提供する。
【解決手段】 半導体用部品または液晶表示用部品と、基板とを接合するために用いられる接着フィルムであって、
前記接着フィルムは、硬化性樹脂と、充填材とを含む樹脂組成物で構成され、かつ前記接着フィルムの透湿率が３０［ｇ／ｍ²・２４ｈ］以上である接着フィルムであり、前記硬化性樹脂は、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、並びに光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂を含むものであることが好ましい。前記充填材は、多孔質充填材を含むものであり、前記充填材の平均空孔径は、０．１〜５ｎｍ、前記接着フィルムの２５℃での透湿率は、４［ｇ／ｍ²・２４ｈ］以上であることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、第１の加工温度を有する第１のダイアタッチ剤を使用して基板に対してダイを取り付けることによって、また、第２の加工温度を有する第２のダイアタッチ剤を使用して後続のダイを取り付けることによって、マルチプルダイ装置を製造する方法に係り、第２のダイを取り付ける工程が第１のダイアタッチ剤を劣化させない。一実施例に対して、複数のダイは、各ダイアタッチ剤を使用して取り付けられる。一実施例に対して、第１のダイアタッチ剤は、熱可塑性フィルムであり、第２及び後続のダイアタッチ剤は、熱可塑性フィルムの改質である。 （もっと読む）

【課題】従来のダイボンド装置の仮圧着ユニット及びボンディングユニットに設けた一体の係着手段・撮像手段によれば、各五段階（係着・移動・認識・移動・供給段階）を順番に行わなければならないので、迅速に且つ精度良く行うことが非常に困難であった。
【解決手段】本発明のダイボンド装置５０の仮圧着ユニット５１及びボンディングユニット５４によれば、従来の各五段階から各三段階に省力化するために、それぞれの撮像手段９・１６と係着手段１０・１７とを独立した構成にすることにより、それぞれの撮像手段９・１６と係着手段１０・１７とが、各別に且つ略同時的に、行うようにしたことであり、さらに、前記装置５０全体に、少なくとも、仮圧着・本圧着・ピール・ボンディング・アフタプレスユニット５１から５５を一体化して連続的に行うようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 無鉛化と無アンチモン化による対環境性と信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子１とセラミックス回路基板３の回路パターンのろう付け接合使用されているチップ接合用ハンダ層２と、セラミックス回路基板３と金属基板６のろう付け接合使用されている基板接合用ハンダ層５に、固相線温度２２０℃の錫−銀−銅系ハンダなど、鉛及びアンチモンを含有しないハンダ材料を用い、これらのハンダ層を同時にリフローして樹脂封止型半導体装置を完成させた。 （もっと読む）

【課題】 リードピンに貼着された場合のワイヤボンディング性に優れ、得られる半導体装置の信頼性を高くできる電子部品用接着テープを提供する。さらには、その電子部品用接着テープを有する電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品用接着テープは、支持フィルムと接着剤層とを有し、支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ以上である。本発明の電子部品は、上述した電子部品用接着テープが貼着されている。 （もっと読む）

【課題】 薄型の半導体チップの形成が可能なウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 ウェハ１０の回路面１４側にサポート部材２０を貼り合わせる工程と、前記ウェハ１０の回路面１４とは反対側の裏面１８を薄型加工する工程と、前記ウェハ１０の裏面１８側に、接着剤層１０３を形成する工程と、前記接着剤層１０３上に、少なくとも粘着剤層１０２ｂを有するダイシングテープ１０２を、接着剤層１０３と粘着剤層１０２ｂとが対向する様に貼り合わせる工程と、前記ウェハ１０を、前記接着剤層１０３及びサポート部材２０と共に切断してチップ化する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬化前は取り扱い性に優れ、硬化後は、各種接着信頼性を発現し得る硬化性樹脂フィルム、及びこの硬化性樹脂フィルムからなる接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性フィルム、並びにダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂と、エポキシ基を有しエポキシ当量が100 〜1000のポリマー（好ましくは、Ｍｗが20万以上100 万未満でアクリルニトリルに由来する構造単位を有する）と、エポキシ樹脂用硬化剤とを有する硬化性樹脂組成物がフィルム状に成形されてなる硬化性樹脂フィルムであって、上記ポリマーの配合部数が好ましくは上記エポキシ樹脂との合計量100 重量部に対し10重量部以上50重量部未満であり、かつ、硬化前のフィルムの温度23℃の被膜強度が9.8 ×10⁵ N/ｍ² 以上で伸び率が10％以上であるフィルム。 （もっと読む）

【課題】 室温における貯蔵安定性を有しつつ、即硬化性があり、硬化後は接着信頼性を発現する硬化性樹脂組成物、及びこの硬化性樹脂組成物を用いた接着性エポキシ樹脂シート、並びにこれらを用いて得られた回路基板接合体を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂( 好ましくは多環式炭化水素骨格を主鎖に有する) と、エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマー( 好ましくはエポキシ当量が１００〜１０００であるアクリル系ポリマー) と、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂用硬化剤が融点１１０℃以下の固形脂環式酸無水物（特に好ましくは１−イソプロピル−４−メチルビシクロ−［2.2.2 ］−オクト−５−エン-2, 3-ジカルボン酸無水物）である、硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂シート及び回路基板接合体。 （もっと読む）

【要約書】
【課題】 基板上に適用したときに、樹脂組成物の適用のための位置合わせ精度に優れる上に、フォトリソグラフィ技術におけるパターニング処理の解像度を向上させる。
【解決手段】 半導体部品と、基板とを接合するために用いる接着層を形成する樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂と、を含んでいる。 （もっと読む）

【解決手段】 （Ａ）（ｉ）主鎖に有機置換基としてビニル基を有するジオルガノポリシロキサン結合を含有するポリイミド樹脂と、
（ｉｉ）分子中にケイ素原子結合水素原子とエポキシ基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを
（ｉｉｉ）白金系触媒
で付加反応させることによって得られるエポキシ基含有ジオルガノポリシロキサン結合を有するポリイミド樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）エポキシ樹脂硬化触媒
を必須成分として含む接着剤組成物。
【効果】 本発明の接着剤組成物より得られる接着フィルムは、熱圧着、加熱硬化により各種基材に高い接着力を与え、また封止樹脂に対する接着力も高く、更に低弾性率、高耐熱性を有し、高信頼性の樹脂パッケージング半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、ウエハより接着剤付きＩＣチップを作成し、キャリアに固着する電子部材の製造方法及び接着材付きＩＣチップに関し、ボイドの発生を防ぎＩＣチップと接着材間の接着力を確保しつつ、ダイシングフィルムにウエハを接着する熱硬化型の接着材をキャリアへ電子部材を固着する際の接着材としても利用することで、安価でかつ工程の簡略化を図るものである。
ベースフィルム上に設けられた熱硬化型の接着材に対して、ウエハを貼り付ける接着材貼り付け工程と、ベースフィルムをダイシングフィルムに貼り付けるダイシングフィルム貼り付け工程と、ウエハと熱硬化型の接着材を切断しＩＣチップに分離するＩＣチップ分離工程と、熱硬化型の接着材が貼り付いたＩＣチップをキャリアに貼り付けるマウント工程と、を含み、接着材貼り付け工程の貼り付け温度において、熱硬化型の接着材の粘度が２０，０００Ｐａ・ｓ以下とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】接着層１２によってキャリアテープ１３に接着されたウェーハ基板１１が、キャリアテープを最大限でもスクライビングするようにウェーハ基板を貫通し接着層を貫通してレーザ加工され、接着層１２とキャリアテープ１３の大幅な積層剥離や接着層１２からのバリの大量発生もなく、個片化された接着層が貼付された個片化されたダイ１５を形成する、ダイボンディング方法及び装置。キャリアテープ１３は、キャリアテープから接着層を外すために好ましくは紫外線光によって硬化される。個片化されたダイは掴み上げられダイパッド上に配置されて、ダイをダイパッドに接着するために、接着層１２が好ましくは熱によって硬化される。 （もっと読む）