【課題】 基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられた接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムであって、半導体ウェハが薄型の場合にもこれをダイシングする際の保持力を損なうことなく、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着フィルムと一体に剥離する際の剥離性に優れたダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓである。 （もっと読む）

【課題】金属不純物イオンの半導体デバイス領域への拡散による半導体装置の特性の悪化を防ぐ、半導体装置及び接着シートを提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板３と、基板３上に設けられた第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シート５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハ加工用テープの生産性に優れ、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することが可能なウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、粘着フィルム１２を直角形引裂試験片とした、ＪＩＳ Ｋ７１２８−３「プラスチックーフィルム及びシートの引裂強さ試験方法―第３部：直角形引裂法」に示される直角形引裂試験片の試験方法において、直角形引裂試験片１００の引裂強度をＣとし、直角形引裂試験片１００の直角部の先端を通る中央線上で、該直角部の先端から長さ略１ｍｍの切断部分１１５を入れた場合の直角形引裂試験片１１０の引裂強度をＤとしたとき、強度比（Ｄ／Ｃ）が、０．８以下である。更に、ＪＩＳ Ｋ７１１３の２号形試験片による伸び率の測定において、２号形試験片１２０である接着剤層１３の伸び率が、１５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクのはんだ付け面の形状をはんだパターンと同一にすることなく、はんだパターンの変更のみで、はんだ溶融時における半導体素子の素子搭載部の外側への位置ズレを防止する。
【解決手段】ヒートシンク１０のはんだ付け面１１はＮｉめっきよりなる。はんだ箔３１として、はんだ付け面１１における素子搭載部１１ａよりも平面サイズが大きいものであって、素子搭載部１１ａを被覆する内周部３１ａと、その外側の周辺部３１ｂとよりなり、且つ、周辺部３１ｂのうち内周部３１ａに当接又は近接する部分にはんだが除去されたはんだ除去部３１ｃが設けられたものを用いて、予備はんだ３２を形成する。半導体素子２０の搭載後における予備はんだ３２の溶融時には、はんだ付け面１１のうちはんだ除去部３１ｃに対応する部位では溶融したはんだを存在させない。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性の接着シートを介して半導体チップを配線パターンを有する基板に完全に接着する場合に、接着シートと基板との間に気泡が混入しないように接着する。
【解決手段】 基板ＣＢ上に熱硬化性の接着シートＳを介して半導体チップＣが仮着された接着対象物Ｄを加熱して接着する半導体チップ接着装置１において、加熱手段１８を含む加熱炉１４と、前記加熱炉１４内に所定のガスの供給を行って当該加熱炉１４内を加圧する加圧手段２７と、前記加熱炉１４内で少なくとも前記接着対象物Ｄを囲うように配置された導風手段１５と、前記加熱手段１８により加熱された前記加熱炉１４内のガスを前記接着対象物Ｄ方向に導く送風手段２１とを有し、前記導風手段１５の内側が前記加熱されたガスの順風路１６を形成するとともに、前記導風手段１５の外側と加熱炉１４の内壁とで接着対象物Ｄを通過したガスを前記送風手段２１方向に導く逆風路１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】
従来のＺｎ／Ａｌ／Ｚｎクラッド材を用いて接続した半導体装置によっては、半導体装置内のダイボンディング時に、熱膨張率差によって生じる熱応力を緩和できず、半導体素子が破壊してしまうことがある。また接続温度が３９０〜４００℃以上と高いと、Ｓｉチップ、フレームの被接続材を含む周辺部材の耐熱性は少なくとも４００℃以上必要となり、部材の選択肢の幅が狭まるという課題がある。
【解決手段】
Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンドフィルムが引張張力により好適に破断される熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体チップの被着体への固着に用いる、接着剤層を少なくとも有する熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化前における室温での単位面積あたりの破断エネルギーが１Ｊ／ｍｍ^２以下であり、破断伸び率が４０％以上５００％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 パッケージの電気的不具合の発生を十分に抑制することができるフィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】 半導体素子と、該半導体素子を搭載する支持部材とを接着するためのフィルム状接着剤であって、銅イオンと錯形成し得る骨格を有する樹脂を含有する銅イオン吸着層１を備える、フィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】薄型化された半導体ウエハを接着部材に貼り付けた状態で、ダイシングした後、半導体ウエハから個別の半導体チップをピックアップする場合、接着部材に半導体チップに対応して１対１にピックアップ用孔を設ける必要があるため、当該接着部材を他の半導体ウエハのピックアップには利用できなかった。
【解決手段】ピックアップ用孔を有しない接着部材に、半導体ウエハを取り付け、半導体ウエハをダイシングにより半導体チップに個片化した後、接着部材に孔を開けて、半導体ウエハと前記接着部材との間に気体を送り込んで、各半導体チップをピックアップする半導体装置の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】チップ厚の薄い半導体チップであっても、正確に画像取得を行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数のチップを積層する半導体装置の一連の製造工程において、ダイシングテープ等の固定用シートからの半導体チップのピックアップ（ＳＴＥＰ８−３）に先立ち、半導体チップの薄厚化による応力によって反ってしまった半導体チップを、透明矯正板を押圧することによって平坦化させ（ＳＴＥＰ８−１）、この状態で半導体チップの撮像を行い、得られた画像から半導体チップの位置・方向および良／不良マークの確認をする（ＳＴＥＰ８−２）。 （もっと読む）

【課題】低温貼付性、熱時流動性、及び加熱硬化後の信頼性のいずれの点でも十分に良好な接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アリル変性ポリイミド樹脂と、（Ｂ）熱硬化性成分と、を含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ワークが薄型の場合にも、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイボンドフィルムと一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルム３とを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、粘着剤層は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルと、アクリル酸エステルに対し含有量が１０〜３０ｍｏｌ％の範囲内のヒドロキシル基含有モノマーと、ヒドロキシル基含有モノマーに対し含有量が７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内のラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含み構成されるポリマーを含み、ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含み構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハへの密着力に優れ、ダイシング工程で発生する切削屑がウェハ裏面に侵入するのを防ぎ、密着力低下に起因する不具合を防止し半導体装置の信頼性を損なわない接着部材を提供できる接着剤組成物、及びそれを用いたダイボンドフィルム、ダイボンドダイシング一体型フィルム、半導体搭載用支持部材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の混合物（Ａ）１００質量部に対し、２質量％以下の反応性基含有モノマーを含む、重量平均分子量が１０万以上のアクリル共重合体（Ｂ）１００〜１５００質量部、及び、無機フィラー（Ｃ）１００〜６００質量部を含む、接着剤組成物、及びそれを用いたダイボンドフィルム、ダイボンドダイシング一体型フィルム、半導体搭載用支持部材及び半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ダイシング性およびピックアップ性に優れ、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、高い歩留まりで半導体装置を製造し得る半導体用フィルムを効率よく製造することができる半導体用フィルムの製造方法、およびかかる半導体用フィルムの製造方法により製造された半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３上に半導体ウエハーを積層させ、ダイシングする際に半導体ウエハーを支持しつつこれを個片化し、得られた個片をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が剥離するよう構成されている。半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と第２粘着層２と第１粘着層１と接着層３とがこの順で積層されたものであり、第１粘着層１と接着層３とを積層する際には、加熱温度と加熱時間の積が１０〜３００（℃・ｓ）となるようにこれらを加熱する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング性およびピックアップ性の向上を図り、半導体素子における不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離する機能を有するものである。そして、この半導体用フィルム１０は、接着層３の表面近傍に存在するフィラー単体または凝集体を、接着層３の表面に投影した投影像について、粒径５μｍ以上のものが占める面積が、投影像全体の１５％以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップを、小さな荷重によってピックアップすることができながら十分に高い接着力でダイアタッチすることのできるダイシング・ダイアタッチフィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた半導体装置の提供。
【解決手段】 ダイシング・ダイアタッチフィルムは、シート基材上に、粘着剤層および接着剤層がこの順に積層されてなるものであって、前記接着剤層は２層以上の接着剤構成層からなり、前記接着剤層において前記粘着剤層に接する第１の接着剤構成層が、半硬化状態の樹脂組成物よりなるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性と放熱性に優れたダイボンドフィルム及び当該ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る放熱性ダイボンドフィルムは、半導体素子を被着体上に接着して固定させる放熱性ダイボンドフィルムであって、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性フィラーを少なくとも含み、前記熱伝導性フィラーの含有量は有機樹脂成分と熱伝導性フィラーの合計に対し５０重量％〜１２０重量％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワークが薄型の場合にも、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイボンドフィルムと一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、ダイシングフィルム上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、粘着剤層は、１０〜３０ｍｏｌ％のヒドロキシル基含有モノマーを含むアクリル系ポリマーに、ヒドロキシル基含有モノマーに対し７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内のラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を付加反応させたポリマーと、ヒドロキシル基に対し反応性を示す官能基を分子中に２個以上備え、かつ、ポリマー１００重量部に対し含有量が２〜２０重量部の架橋剤を含み、ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含み構成される。 （もっと読む）

【課題】ピックアップ性の向上を図り、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３上に半導体ウエハー７を積層させ、ダイシングする際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化により形成された個片をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が剥離する。半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と第２粘着層２と第１粘着層１と接着層３とがこの順で積層されたものであり、個片の２３℃におけるピール強度をＦ_２３（ｃＮ／２５ｍｍ）とし、個片の６０℃におけるピール強度をＦ_６０（ｃＮ／２５ｍｍ）としたとき、Ｆ_２３が１０〜８０であり、かつＦ_６０／Ｆ_２３が０．３〜５．５であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着剤シートとして作用する接着シート、ならびに該接着シートを用いた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤および（Ｂ）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含む接着剤層、放射線重合性化合物を含む粘着剤層、および基材層、を少なくとも備え、放射線照射前における前記接着剤層と前記粘着剤層界面の接着強度が２００ｍＮ／ｃｍ以上であり、未硬化あるいは半硬化状態における前記接着剤層の５．１ｍｍΦプローブ測定による２５℃のタック強度が０．５Ｎ以上である接着シート、ならびに該接着シートを用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）