【課題】低温での加工性（低温貼付性）、及び、耐リフロー性を高度に満足することができ、かつＢステージにおける十分な熱流動性も達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性成分と、を含有し、前記（Ｂ）熱硬化性成分として（Ｂ１）分子内に（メタ）アクリル基及びエポキシ基を有する反応性化合物及び／または（Ｂ２）分子内に（メタ）アクリル基及びフェノール性水酸基を有する反応性化合物を含む、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の接着剤層の巻き取り工程において、巻き取られる接着剤層の破断を防止するとともに、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることが可能な接着フィルム及びその接着フィルムを使用して作製したウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】接着剤層１２の離型フィルム１１からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層１２の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上である。 （もっと読む）

【課題】厚さ５０μｍ以下というような極薄の半導体チップであっても破損することなく高い成功率でスムーズにピックアップでき、しかもダイアタッチにおける実装効率を低下させることがなく、高い生産性で半導体装置を製造できるダイアタッチフィルム付きダイシングテープを提供する。
【解決手段】本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープは、半導体ウエハのダイシングに用いるダイアタッチフィルム付きダイシングテープであって、ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルムの層構成を有し、且つ前記支持テープが自己巻回剥離性を有するテープであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのダイボンドの際に作業時間の大幅な短縮を図ることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及び該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、該フィルム中の有機成分１００重量部に対し含有量が０．２〜１重量部の範囲内の熱硬化触媒が、非結晶状態で含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得るのに用いられるダイシングテープであって、離型層を中間層の粘着部から無理なく剥離でき、従って剥離の際の作業性を高めることができるダイシングテープを提供する。
【解決手段】中間層４と、中間層４の一方の面４ａ側に配置された離型層２と、中間層４の他方の面４ｂに積層されたダイシング層５とを備え、中間層４が、中間層４の少なくとも一部の領域に、粘着性を有する粘着部４Ｂを有し、離型層２と中間層４の粘着部４Ｂとが貼り付けられており、中間層４の粘着部４Ｂの２３℃での貯蔵弾性率が１×１０^４Ｐａ以上であるダイシングテープ１。 （もっと読む）

【課題】 低温にて接着フィルム等の硬化がフルキュアまで進行する半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着シートと基材層を備える接着部材であって、前記接着シートが、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂、（Ｄ）無機微粒子を含有し、且つ１２０℃２時間でフルキュアする接着剤組成物からなる半導体用接着部材。 （もっと読む）

【課題】個片化した接着剤層付き半導体素子をピックアップする工程で、ピンの突き上げによることなく、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をし易くしたウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。粘着剤層１２ｂ及び接着剤層１３は、残留溶剤量が１５μｇ/ｇを超える残留溶剤であって、溶解度パラメータの差が１以上の異なる残留溶剤を含有している。個片化した接着剤層１３付き半導体チップ２をピックアップする工程で、粘着剤層１２ｂの残留溶剤と接着剤層１３の残留溶剤との溶融が少ない。ピックアップ工程で、個片化した接着剤層１３付き半導体チップ２を容易に粘着剤層１２ｂから剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】硬化物の線膨張率及び弾性率が低く、接合された半導体チップへの応力の発生を低減することでハンダ等の導通部分のクラックの発生を防止し、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体チップ接合用接着剤を提供する。また、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】フルオレン骨格エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤及び無機充填材を含有する半導体チップ接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】 糸状屑の発生を抑制し、半導体チップの品位の低下を防止したダイシング・ダイボンドフィルム、それを用いたチップ状ワークの固定方法、当該方法により得られた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基材１上に粘着剤層２及びダイ接着用接着剤層３が順次積層されたダイシング・ダイボンドフィルム１０であって、前記粘着剤層２の厚みが１０〜８０μｍであり、２３℃に於ける貯蔵弾性率が１×１０^４〜１×１０^１０Ｐａであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピックアップ工程で隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制できるウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂからなる粘着フィルム１２と、接着剤層１３とを有する。接着剤層１３の厚みをt(ad)、80℃における貯蔵弾性率をG’(80ad)、tanδをtanδ(80ad)とし、粘着フィルム１２の厚みをt(film)、80℃におけるtanδをtanδ(80film)とした時に式（1）で表される値Aが0.043以上である。


接着剤層１３がダイシングブレード２１により押し込まれる力を受ける際に接着剤層１３が変形しにくくなり、接着剤層１３の半導体チップ２からのはみ出しが少なくなる。これにより、接着剤層１３が再融着しない。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で半導体素子を貼り付ける必要がある基板を含む様々な基板に対して、印刷法によって容易に塗布して供給でき、かつ半導体素子貼付け前のプリベーク工程を省いても後硬化時にクラックやボイドが発生しないダイボンディング用樹脂ペースト、当該ダイボンディング用樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基を有するブタジエンのポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）フィラーと、（Ｄ）シリコーンゴム粒子をシリコーン樹脂で被覆したシリコーン複合パウダと、（Ｅ）印刷用溶剤とを含むダイボンディング用樹脂ペーストであって、成分（Ｄ）の含有量が、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｄ）を含む樹脂成分の全重量を基準として、３０重量％以上であることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペーストを調製し、使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に必要な貯蔵弾性率と高い接着力を併せ持つ熱硬化型ダイボンドフィルム、及び当該熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化型ダイボンドフィルム３は、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルム３であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル共重合体及びフィラーを少なくとも含み、８０℃〜１４０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が１０ｋＰａ〜１０ＭＰａの範囲内であり、１７５℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ〜３ＭＰａの範囲内である。 （もっと読む）

【課題】一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージは、主に1つの基板、基板に貼り付ける一主面を有する1つのチップ、チップと基板の基板コア層とを接着する1つのダイアタッチング層、複数のボンディングワイヤ及び1つのモールド封止体を含む。基板のスロットの一端にチップ寸法を超える1つのモールド流入口を形成し、二個、または、これより多いモールド流れ障害物は、基板コア層上に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更に、モールド流入口の両側に僅かに突出するためモールド流れによる衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗してモールド流入口に剥離現象の発生を避けると共に、ダイアタッチング間隙を維持することも可能である。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成性を有し、パターン形成後の低温熱圧着性、高温接着性（耐熱性）、及び耐湿信頼性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れる感光性接着剤組成物、これを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）放射線重合性化合物、（Ｃ）光開始剤、（Ｄ）１分間半減期温度が１２０℃以上である熱ラジカル発生剤、及び（Ｅ）熱硬化性樹脂を含有する、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】高流動性と高信頼性とを両立したダイボンディングフィルムを提供する。
【解決手段】半導体素子１と支持部材４、又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルム２であって、ダイボンディングフィルム２は星型共重合体を含む接着剤層を有し、４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下、８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓ以下、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であるダイボンディングフィルム。 （もっと読む）

【課題】柔軟性、耐熱衝撃性に優れる硬化物を与えるダイボンド剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（１）の繰り返し単位を含む重合体を１００質量部（Ｂ）成分（Ａ）のＲ^１と反応性の基を有する硬化剤を、該反応性の基の当量のＲ^１の当量に対する比が０．８〜１．２となる量（Ｃ）重合開始剤を０．１〜１０重量部、及び（Ｄ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含む、ダイボンド剤組成物。


［Ｒ^１は水素原子またはエポキシ基、（メタ）クリロイル基を含む有機基を表す。］ （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができ、例えば接着フィルムを支持部材に貼り付ける場合にこれらの間に気泡が発生し難い接着フィルム及び接着シート、並びにそれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムは、高タック面Ａと低タック面Ｂとを有する。高タック面Ａの４０℃におけるタック強度をＦＡ、低タック面Ｂの４０℃におけるタック強度をＦＢとした場合、ＦＡ／ＦＢ≧５及びＦＡ≧１０ｇｆの関係を満たす。高タック面Ａは第１接着剤樹脂組成物を含み、低タック面Ｂは第１接着剤樹脂組成物とは異なる第２接着剤樹脂組成物を含む。第２接着剤樹脂組成物の硬化物の２６０℃における貯蔵弾性率は０．１〜２．０ＭＰａである。 （もっと読む）

【課題】接着剤の使用量を抑えること及び接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】接着剤３を用いて半導体チップ２を基材であるリードフレーム４のチップ搭載部にダイボンドする工程を実施する際に、前記接着剤３を上向きに射出するディスペンサー５、接着剤が上面に仮塗布されたステージまたは接着剤を貯蔵した浴槽を用いて、接着剤３を半導体チップ２に塗布した後にチップ搭載部に半導体チップ２をダイボンドするものである。 （もっと読む）

【課題】柔らかく伸びやすい接着シートを半導体ウエハと共に破断性よく切断することができるダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型接着シート３は、高分子量成分を少なくとも含有する接着シート１と、接着シート１に積層されたダイシングテープ２とを備える。Ｂステージ状態の接着シート１の２５℃における破断伸びは４０％超である。Ｂステージ状態の接着シート１の、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率は４０００ＭＰａ未満である。ダイシングテープ２は引っ張り変形時に降伏点を示さない。ダイシングテープ２の厚さＡと接着シート１の厚さＢとの比Ａ／Ｂは２〜３０である。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に貼り付ける際の温度を十分に低温にできるとともに、ピックアップ工程においてダイシングシートから容易に剥離する接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体用接着フィルム１は、ガラス転移温度が０℃以上４０℃未満である第１のポリイミド樹脂を含有する第１接着剤層１ａと、ガラス転移温度が４０℃以上８０℃未満である第２のポリイミド樹脂を含有し、第１接着剤層１ａの一方面上に形成された第２接着剤層１ｂとを備える。 （もっと読む）