【課題】 ボンディングパットの汚染に起因してワイヤーボンディングができなくなるのを防止し、かつ、基板、リードフレーム又は半導体素子等の被着体に反りが発生するのを防止して、歩留まりを向上させつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、硬化前の貯蔵弾性率が８０〜２５０℃の温度範囲で１ＭＰａ以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて１ＭＰａ以上であり、架橋剤が添加されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱硬化させた際に被着体に反りが発生することを抑制することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】半導体チップの被着体への固着に用いる熱硬化型ダイボンドフィルム３であって、１２０℃、１時間の条件で熱硬化させた後の２５〜１２０℃の範囲での引張貯蔵弾性率の積分値が、１ＧＰａ〜５０ＧＰａである熱硬化型ダイボンドフィルム３。前記熱硬化型ダイボンドフィルム３は熱硬化樹脂としてのエポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂を含有するとともに、熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂を含有する。 （もっと読む）

【課題】 被着体上に半導体素子をダイボンドする際に、その周縁部にマイクロボイドや局所的なヒケが発生するのを抑制し、その結果、半導体装置の製造歩留まりの向上が可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体を少なくとも含み、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸとし、アクリル共重合体の重量をＹとした場合に、その比率Ｘ／Ｙが１〜５であり、１２０〜１３０℃における溶融粘度が５００〜３５００Ｐａ・ｓの範囲内であり、アクリル共重合体は、１０〜６０重量％のブチルアクリレートと、４０〜９０重量％のエチルアクリレートとを含み、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計１００重量部に対し、７０／３．９重量部以上８０重量部以下のフィラーを含有する熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 初期粘着性を有し、プレヒートなどの工程がなく、作業性がよく、金属同士、金属と有機材料、有機材料と有機材料とを接着でき、接着強度は強力であり、接着強度は温度変化で劣化しにくい粘接着シート１を提供する。
【解決手段】 粘着性と接着性を併せ持つ粘接着シート１であって、第１離型紙２１Ａ、粘接着層１１及び第２離型紙２１Ｂからなり、粘接着層１１が液晶ポリマー不織布からなる芯材１５へ粘接着剤１３を含浸させてなり、粘接着剤１３がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、及び硬化剤を含むことを特徴とし、また、芯材１５の比重が０．１５以下であることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着剤のはみ出しが十分低減された接着剤付半導体チップを製造することができる接着剤付半導体チップの製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、ダイシングテープ、ポジ型の感光性接着剤組成物からなるポジ型感光性接着剤層、及び、半導体ウェハがこの順に積層された積層体を準備し、積層体の半導体ウェハ側から半導体ウェハをダイシングブレードによって切断することにより、半導体ウェハを複数の半導体チップに切り分ける工程と、複数の半導体チップ側からポジ型感光性接着剤層にエネルギー線を照射し、その後ポジ型感光性接着剤層に現像液を接触させることにより、ポジ型感光性接着剤層をパターニングする工程と、ダイシングテープからパターニングされた感光性接着剤層を剥離することにより、接着剤付半導体チップを得る工程と、を備える、接着剤付半導体チップの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性、ダイアタッチ埋め込み性能に優れ、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程で特別な熱管理を必要としないダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】接着剤層１５が第１の接着剤シート１３及び第２の接着剤シート１４からなり、第１接着剤層組成物は、（Ａ）カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、（Ｂ）重量平均分子量が５０００以下である５〜４０℃で固体状のエポキシ樹脂、（Ｃ）ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミンを含み、第２接着剤層組成物は、（Ｄ）重量平均分子量が５０，０００〜１，５００，０００であり、エポキシ基及び化学式（１）で示される構造単位を有する（メタ）アクリル系樹脂、（Ｂ）、（Ｃ）を含むダイシング・ダイアタッチフィルム。
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【課題】 プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着層、粘着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】 剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、前記接着層は、所定の第１の平面形状を有し、且つ、前記剥離基材上に部分的に形成されており、前記剥離基材には、前記第１の平面形状の周縁に沿って、前記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されており、前記第１の切り込み部の剥離基材の破断強度は、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート。 （もっと読む）

【課題】チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ｗの半導体基板１Ｓの内部に集光点を合わせた状態でレーザ光を照射することにより改質領域ＰＬを形成する。続いて、半導体ウエハ１Ｗの裏面に回転塗布法により液状の接着材を塗布した後、これを乾燥させて固体状の接着層８ａを形成する。その後、上記改質領域ＰＬを分割起点として半導体ウエハ１Ｗを個々の半導体チップに分割する。この半導体チップをその裏面の接着層８ａにより他の半導体チップの主面上に接着することにより、半導体チップが多段に積層された構成を有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】充填材を実質的に含まない構成としてダイボンド時の圧力による半導体チップの破損を防止し、且つ、引張弾性率の低下を防止するとともに、熱硬化時の熱収縮による反りが発生することを防止して、パッケージ信頼性を向上させることが可能な熱硬化型接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型接着フィルム３であって、熱硬化後における２６０℃での引張貯蔵弾性率が２×１０^５〜５×１０^７Ｐａであり、充填材の含有量が熱硬化型接着フィルム全体に対して０．１重量％以下であり、厚みが１〜１０μｍである熱硬化型接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】ピックアップ時にクラックが発生してしまうことが防止できる、ダイアタッチメントフィルムを提供する。
【解決手段】ダイアタッチメントフィルムは、主面を有するサポートフィルムと、前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層とを具備する。前記主面には、凹部が形成されており、前記凹部には、前記粘着層が配置されていない。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦがダイシングテープに溶着することのないレーザビームを使用したウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 裏面にダイシングテープで支持されたダイアタッチフィルムが配設されたウエーハの加工方法であって、第１の方向に伸長する第１分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブルとレーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして第１分割予定ラインに沿ってウエーハとダイアタッチフィルムとを分割する第１の分割工程と、第１分割予定ラインと直交する第２分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブルとレーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして第２分割予定ラインに沿ってウエーハとダイアタッチフィルムとを分割する第２の分割工程とを具備し、第１の分割工程又は第２の分割工程の何れか一方において、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームのエネルギーを低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハに対して、硬化後に良好な接着性を有する熱硬化性樹脂組成物を提供すること
【解決手段】エポキシ樹脂100質量部に対して、ウレア構造を有する化合物を、該化合物中のウレア構造部分が0.1〜50質量部となるように含有してなることを特徴とする、シリコンウエハ接着性樹脂組成物 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチフィルムと半導体チップの間の気泡の発生による不良を低減するとともに、製造費用の低減を可能とする半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ＤＡＦ１０４に対して剥離性を有する支持テープ１２２の一面上に、前記半導体チップ１０２の前記配線基板１０３に対する貼着面に対応する大きさを有する複数のＤＡＦ１０４を仮貼着する第一工程と、前記配線基板１０３に前記支持テープ１２２の一面側を重ね合わせることにより、前記ＤＡＦ１０４を前記配線基板１０３に一括して転写する第二工程と、前記支持テープ１２２を剥離した後に、前記各ＤＡＦ１０４上に前記半導体チップ１０２を貼着する第三工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ加工用テープの生産性に優れ、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することが可能なウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、粘着フィルム１２を直角形引裂試験片とした、ＪＩＳ Ｋ７１２８−３「プラスチックーフィルム及びシートの引裂強さ試験方法―第３部：直角形引裂法」に示される直角形引裂試験片の試験方法において、直角形引裂試験片１００の引裂強度をＣとし、直角形引裂試験片１００の直角部の先端を通る中央線上で、該直角部の先端から長さ略１ｍｍの切断部分１１５を入れた場合の直角形引裂試験片１１０の引裂強度をＤとしたとき、強度比（Ｄ／Ｃ）が、０．８以下である。更に、ＪＩＳ Ｋ７１１３の２号形試験片による伸び率の測定において、２号形試験片１２０である接着剤層１３の伸び率が、１５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】Ｂ−ステージ化可能であって、しかも空隙を発生しない硬化性組成物の提供。
【解決手段】２つの別々に硬化する化学セット又は組成物を含む硬化性組成物であって、それらの硬化温度が十分に離れていて、一方の化学組成物がＢ−ステージ化で完全に硬化し、第２の化学組成物は、基板への半導体チップの最終取付など最終硬化が望まれるまで未硬化で残しておくことができる硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】
作業性、低応力性および耐湿性に優れ、かつリフロー剥離耐性に優れる半導体用樹脂組成物を提供し、該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
構成単位として所定の一般式（１）で示される化合物を３０％重量以上含む重合体に無水マレイン酸を付加した化合物（Ａ）、分子量５００以上５０００以下のポリカーボネートジオールと（メタ）アクリル酸あるいは（メタ）アクリル酸エステルとを反応することで得られる化合物（Ｂ）、充填材（Ｃ）を含む樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化物の線膨張率及び弾性率が低く、接合された半導体チップへの応力の発生を低減することでハンダ等の導通部分のクラックの発生を防止し、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体チップ接合用接着剤を提供する。また、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ基を有するアントラセン誘導体又はエポキシ基を有するナフタレン誘導体、及び、硬化剤を含有する半導体チップ接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップを、小さな荷重によってピックアップすることができながら十分に高い接着力でダイアタッチすることのできるダイシング・ダイアタッチフィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた半導体装置の提供。
【解決手段】 ダイシング・ダイアタッチフィルムは、シート基材上に、粘着剤層および接着剤層がこの順に積層されてなるものであって、前記接着剤層は２層以上の接着剤構成層からなり、前記接着剤層において前記粘着剤層に接する第１の接着剤構成層が、半硬化状態の樹脂組成物よりなるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
１００℃以下の低温でウエハに貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、通常に行われる切断条件において、ウェハと同時に切断可能である接着シート、該接着シートとダイシングテープを積層してなるダイシングテープ一体型接着シート、およびこれらを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
接着シートの破断強度、破断伸び、弾性率をそれぞれ特定の数値範囲に規定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド工程において、接着シートの接着剤層がチップ上面に付着せずチップを汚染することがないウェハ加工用シートを提供する。
【解決手段】ウェハ加工用シート１００は、基材１０２上に接着剤層１０４が積層された接着シート１０６と、リング状のウェハ汚染防止用粘着シート１１２とからなり、前記接着シート１０６の接着剤層１０４上に前記ウェハ汚染防止用粘着シート１１２が積層されたウェハ加工用シート１００であって、前記ウェハ汚染防止用粘着シート１１２がリングフレーム３００に固定可能な大きさを有し、前記ウェハ汚染防止用粘着シート１１２の内径が、ウェハ２００の直径より０〜２０ｍｍ小さいことを特徴とする。 （もっと読む）