【課題】支持体に低温で搭載可能であり、かつ室温でべたつきのない接着剤層付き半導体ウエハおよびその半導体ウエハを個片化し支持体に搭載した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂と溶剤とを含む液状樹脂組成物で形成される接着剤層が形成された半導体ウエハであって、当該接着剤層が２５でのタック力を０．０５Ｎ以下とし、かつ８０でのタック力を１Ｎ以上とする接着剤層付き半導体ウエハである。特に、接着剤層における揮発分が１重量％以下であることが好ましい。さらに当該半導体ウエハが個片化され支持体に搭載された半導体パッケージである。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に半導体チップを圧着により搭載する際に、従来よりも低温及び低荷重での圧着によっても、基材及び半導体チップの表面における凹部に従来と同程度又はそれ以上に接着層を埋め込むことが可能な接着シートを構成する接着剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、（ａ）エポキシ樹脂と特定の含芳香環構造単位を有するフェノール樹脂との混合物１００質量部と、（ｂ）重量平均分子量が１０万〜１２０万、かつＴｇが−５０〜＋５０℃であって、分子内に架橋性官能基を有する高分子量成分（ただし、前記（ａ）成分を除く。）１５〜４０質量部と、（ｃ）無機フィラー４０〜１８０質量部とを含有する接着剤組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた絶縁性半導体用ダイアタッチペースト及び耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供すること
【解決手段】（Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）充填材に有機樹脂粒子を含むことを特徴とする絶縁性半導体用樹脂ペーストであり、（Ｂ）有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオキサン硬化物粉末又は／及び直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末又は／及び直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロキサン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末であるものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐はんだリフロ−性に優れた半導体搭載装置を提供する。
【解決手段】配線基板５と半導体チップ６間に接着部材を備える半導体装置であって、接着部材１は接着剤層を有し、接着部材は、９０゜ピ−ル強度測定を２６５℃で行った際の半導体パッケ−ジ用基板に対する接着部材の接着力が３０Ｎ／ｍ以上であり、かつ吸湿処理（温度８５℃、湿度８５％及び保持時間１２時間）前後の半導体パッケ−ジ用基板に対する接着部材の接着力の比率（吸湿処理後の接着力／吸湿処理前の接着力）が０．８以上である半導体装置１３。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で接着する必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつＢステージ工程の時間を短縮するために、Ｂステージ化と後硬化の工程を異なる方法で行うことが可能で、良好な接着強度があり、硬化後のボイド及び膜減りを抑制するペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、（Ｂ）エポキシ化ポリブタジエン又はカルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体、（Ｃ）光重合開始剤、（Ｄ）熱硬化性樹脂及び（Ｅ）フィラーを含有してなるダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移温度高、低制御、透明、接着性を少なくとも一つ付与する懸垂部分を含み、シロキサンと反応して新規共有結合を形成し得る反応性部分を含む材料の提供。
【解決手段】炭素−炭素二重結合とシロキサン部分とを含むモノマーと、炭素−炭素二重結合と、得られたポリマーに反応性を与える部分を含むモノマーとからポリマーを製造する。シロキサン部分は、透過性を与え；反応性は、エポキシ、オキセタン、等を含むモノマーから得られる。
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【課題】印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では、溶剤を揮発させたり、樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい、半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。
【解決手段】ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂とを含む半導体用接着剤であって、当該半導体用接着剤を印刷法によって塗布した直後に、照度７５ｍＷ／ｃｍ²、波長３６５ｎｍの紫外光を、２０秒間照射した後の状態において、(i)２５℃における表面タック値が１６ｇｆ／ｍｍ²以下であり、かつ、(ii)室温から１０℃／分の昇温速度で昇温したときの７０℃以上１８０℃以下の範囲における最低溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上１３００Ｐａ・ｓ以下である半導体用接着剤が提供される。 （もっと読む）

【課題】印刷後の接着剤を加熱することによりタックをなくす手法では、溶剤を揮発させたり、樹脂成分の一部をＢ−ステージ化する際の加熱工程にどうしても時間がかかってしまい、半導体装置製造工程がより長くかかってしまうという課題があった。
【解決手段】ラジカル重合性モノマーと、光照射によりラジカルを発生する化合物と、熱硬化性樹脂と、その熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤とを含み、前記ラジカル重合性モノマーと前記熱硬化性樹脂と前記硬化剤の全量に対する前記ラジカル重合性モノマーの割合が、５０重量％以上８５重量％以下である半導体用接着剤。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で半導体素子を貼り付ける必要がある基板に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつ半導体素子貼付け前のプリベーク工程を省いても後硬化時にクラックやボイドが発生しないダイボンディング用樹脂ペースト、当該ダイボンディング用樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供することをその目的とする。
【解決手段】カルボン酸末端基を有するブタジエンのポリマー（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、シリコーンゴム（Ｄ）、および印刷用溶剤（Ｅ）を含み、前記シリコーンゴム（Ｄ）が全樹脂成分中に３０重量％以上含まれることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト、当該ダイボンディング用樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細な回路を持つ基板に対する充填性、低温でのラミネート性能、低弾性率かつ接着性、耐熱性に優れた硬化物となり得る接着剤組成物、それを含む接着フィルム及び該接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】40〜80℃における溶融粘度が10000Pa・s以下であり、80℃〜（Ｔ＋50）℃で１分〜２時間加熱した後は、100℃〜（Ｔ＋30）℃において100〜10000Pa・sの溶融粘度を示す接着剤組成物（但し、Ｔは該組成物の硬化開始温度を表す。）。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングの際の冷却水による溶解、及びダイシングブレードとの摩擦熱による熱溶融に起因した接着シートの収縮を抑制できる半導体装置製造用接着シートを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置製造用接着シートは、半導体素子を被着体上に接着させる半導体装置製造用接着シートであって、少なくとも熱可塑性樹脂及び架橋剤を含み構成され、かつ、１００℃の温水に対する溶解度が１０重量％以下であり、ゲル分率が５０重量％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬化性と貯蔵安定性に優れるエポキシ樹脂用硬化剤、およびそれを含有するエポキシ樹脂組成物であって、得られたエポキシ樹脂組成物が低温あるいは短時間の硬化条件であっても、高い接続信頼性、高い封止性が得られる接着材料、導電材料、絶縁材料、封止材料、コーティング材料、塗料組成物、プリプレグ、構造用接着剤、熱伝導性材料等を提供することを目的とする。
【解決手段】エポキシ樹脂用硬化剤が含有する水分量が、エポキシ樹脂用硬化剤１００質量部に対して０．０５質量部以上３質量部以下であり、かつ、アミンアダクト（Ａ）に対して不活性である溶剤（Ｓ）がエポキシ樹脂用硬化剤（Ｃ）１００質量部に対して、３質量部を超えて１０質量部以下で含有することを特徴とするエポキシ樹脂用硬化剤を、マイクロカプセル化したマイクロカプセル型エポキシ樹脂用硬化剤およびそれを含有するエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】耐マイグレーション性、接着強度、導電性に優れ、ダイボンド用としてＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板等に接着するのに好適な、銀とカーボンナノチューブを含む導電性樹脂ペースト組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂（Ａ）と導電性フィラー（Ｂ）とを含む導電性樹脂ペースト組成物において、導電性フィラー（Ｂ）は、銀粉（Ｂ１）に、耐マイグレーション性を向上させるに十分な量の長さ０．５〜５μｍのカーボンナノチューブ（Ｂ２）を配合させることを特徴とする導電性樹脂ペースト組成物およびこれを用いた半導体装置によって提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコーン成分による汚染がなく、高温でも十分な引張貯蔵弾性率を維持でき、軽剥離可能で、糊残りの問題も生じにくい半導体装置製造用接着シートを提供する。
【解決手段】少なくとも半導体素子及び導電部が封止樹脂により封止されており、かつ、裏面側には、前記導電部の張出部分が表出したリードレス構造の半導体装置の製造に使用する半導体装置製造用接着シート１であって、前記半導体装置製造用接着シート１は、基材層３上に少なくとも接着剤層２を有して構成され、前記接着剤層２は、前記基材層３側に、２００℃に於ける引張貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上の第１接着剤層２ａを有し、前記基材側と反対の貼着面側に、ゴム成分及びエポキシ樹脂成分を含む第２接着剤層２ｂを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコーン粘着剤等を使用することによって生じる様なアウトガス成分の発生を抑制することができるとともに、ＱＦＮ等の半導体装置の製造に用いた場合に、熱硬化型接着剤のワイヤボンディング性、モールドフラッシュ特性を維持したまま、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる半導体装置製造用接着シート及び半導体装置並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置のリードフレーム２０または配線基板に剥離可能に貼着される半導体装置製造用接着シート１０において、基材、及び熱硬化性樹脂成分（ａ）と、熱可塑性樹脂成分（ｂ）と、フッ素系添加剤（ｃ）とを含有した接着剤層を具備することを特徴とする半導体装置製造用接着シート。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で接着する必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつ硬化後のボイド発生および膜減りを抑制するダイボンディング用樹脂ペーストを提供すること。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、（Ｂ）エポキシ化ポリブタジエン又はカルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体、（Ｃ）ラジカル開始剤、および（Ｄ）非導電性フィラーを含有してなり、２５℃での粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓであり、室温における経時粘度変化率（４８時間）が±２０％以下であることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な方法で接着剤を適用することができるＩＣチップ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 回路面及び電極面上にヒートシール層が設けられるＩＣチップウエハである。また、ＩＣチップは、前記ＩＣチップウエハがダイシングされ、個々のＩＣ単位に分割されたものであり、表面が平坦なヒートシール層を有する。該ＩＣチップの実装の際に、ＩＣタグアンテナ端子或いはＢＧＡ配線基板端子等の所定の位置に予め接着剤を塗布する必要がない。 （もっと読む）

【課題】 温度負荷を与えた場合において発生する低誘電率膜の剥離及び破壊を防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、少なくとも１層が低誘電率化された層間絶縁膜により層間絶縁された多層配線層が表面に形成された半導体素子３が搭載された配線基板２もしくはリードフレームと、半導体素子３を配線基板２もしくはリードフレームに固定するダイアタッチ材１と、半導体素子３の接続電極８と配線基板２の接続電極９もしくはリードフレームとを接続する配線（ボンディングワイヤ）４と、半導体素子、配線基板もしくはリードフレームの一部、ダイアタッチ材及び前記配線を封止する樹脂封止体５とを備えている。ダイアタッチ材１は、配線基板もしくはリードフレーム表面に対向する半導体素子の底面から前記底面に繋がる側面及び前記側面に繋がる表面の周辺領域１ａまで被覆している。 （もっと読む）

【課題】 高精度に位置決めされた半導体ＩＣを内蔵させることが可能な半導体ＩＣ内蔵基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ＩＣ１５のスタッドバンプ１６に対応したコア基板１０上の所定の位置に位置決め用穴１３を形成し、スタッドバンプ１６が位置決め用穴１３に嵌り込むようにコア基板１０上に半導体ＩＣ１５を実装した後、コア基板１０上にプレス基板１７をプレスして半導体ＩＣ１５をコア基板１０内に埋め込む。これにより、半導体ＩＣ１５の位置ずれを防止することができ、高精度に位置決めされた半導体ＩＣ１５を内蔵する半導体ＩＣ内蔵基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 低応力・低温接着性の接着フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー及び（Ｂ）熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムを提供する。 （もっと読む）