【課題】薄膜形成性、低温での加工性（低温貼付性）、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性成分とを含み、（Ａ）熱可塑性樹脂が、（Ａ１）ガラス転移温度が６０℃以下、かつ重量平均分子量が１００００〜１０００００のポリイミド樹脂、及び（Ａ２）樹脂分が２０質量％となるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させたときの２５℃における粘度が１０ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、（Ｂ）熱硬化性成分が、（Ｂ１）エポキシ樹脂及び（Ｂ２）ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの反りが十分抑制され、ダイシングによって接着剤付き半導体素子を効率よく得ることができる接着剤層付きウェハを製造する方法、信頼性を十分維持しながら半導体装置の更なる薄型化を図ることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの一方面上に、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光重合開始剤及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を含有する液状感光性接着剤を塗布して感光性接着剤層を設ける工程と、感光性接着剤層を酸素濃度が１０％以下の雰囲気下で露光してＢステージ化することにより接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】紫外線硬化型接着剤によって半導体部品と基材とを接合する半導体装置の製造方法及び半導体装置において、紫外線硬化型接着剤による接着強度を増大させることを目的とする。
【解決手段】基材２のアイランド部３に、表面に紫外線反射加工が施された反射粒子１１を予め含有させた紫外線硬化型接着剤１０を塗布する。この紫外線硬化型接着剤１０を介在させた状態で、基材２のアイランド部３に半導体部品４を配置する。そして、基材２の側面側から紫外線硬化型接着剤１０に紫外線を照射し硬化させ、半導体部品４を基材２に接着固定する。 （もっと読む）

【課題】光半導体用途において、耐熱黄変性、耐光性、ガスバリア性及び密着性に優れた、透明な硬化物を形成することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式（１）


［Ｒ¹は置換若しくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ^２はアクリロキシ基又はメタアクリロキシ基、Ｘは炭素数３〜１０の二価の炭化水素基、ａは１以上の整数、ｂは０以上の整数、ａ＋ｂは３〜２０の整数）で表される環状オルガノポリシロキサンを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用接着剤シートの製造をハイスループット化することができ、かつ、適当で均一な形状、面積、膜厚を有する光半導体装置用接着剤を基材シート上に形成することができる光半導体装置用接着剤シートの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１２から切り出されソーティングされた光半導体素子１３を基材シート２上からピックアップし、前記光半導体素子１３を光半導体装置１４内の素子取付部１５に搭載した後、前記光半導体素子１３を前記素子取付部１５に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤が配置された光半導体装置用接着剤シート３を製造する方法であって、少なくとも、前記基材シート２上にフィルム状の前記光半導体装置用接着剤１を剥離可能に成形する接着剤成形工程、及び前記成形された光半導体装置用接着剤１を任意の形状に分割する接着剤分割工程を有する。 （もっと読む）

【課題】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを含有する熱伝導性接着剤において、熱伝導性接着剤が固化する前に、低融点金属を液化させて高融点金属粉間を互いに十分に結びつけることができるようにし、且つ熱伝導性接着剤自体の接着力を良好なレベルに維持できるようにする。
【解決手段】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを有する熱伝導性接着剤は、金属フィラーとして、銀粉及びハンダ粉を使用する。ハンダ粉は、熱伝導性接着剤の熱硬化処理温度よりも低い溶融温度を示し、且つ該熱硬化性接着剤の熱硬化処理条件下で銀粉と反応して、当該ハンダ粉の溶融温度より高い融点を示す高融点ハンダ合金を生成するものを使用する。硬化剤としては、金属フィラーに対してフラックス活性を有する硬化剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを備える。ダイシング時に、ダイシング層５の外周部分にダイシングリング２６が貼り付けられる。ダイシング層５は外周部分に貼付起点５Ｃを有する。貼付起点５Ｃを除く部分におけるダイシング層５のダイシングリング２６に貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点５Ｃを除く部分におけるダイシング層５の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、ダイシング層５の貼付起点５Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点５Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンドフィルムがダイシングフィルムの中心にある半導体装置用フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルムとダイボンドフィルムと保護フィルムとがこの順で積層された半導体装置用フィルムの製造方法であって、波長４００〜８００ｎｍの光線を照射し、得られる光線透過率に基づいてダイボンドフィルムの位置を検出する工程と、検出したダイボンドフィルムの位置に基づいて、ダイシングフィルムを打ち抜く工程とを具備し、ダイシングフィルムと保護フィルムとの積層部分の光線透過率をＴ１とし、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムと保護フィルムとの積層部分の光線透過率をＴ２としたとき、Ｔ２／Ｔ１が０．０４以上である半導体装置用フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、低温貼付け性にも優れたフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）一種又は複数の放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有する感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなる、フィルム状接着剤であって、（Ｃ）放射線重合性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表されるイソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジ又はトリアクリレートを含有するものであり、フィルム状接着剤の５％重量減少温度が２６０℃以上である、フィルム状接着剤１。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は−ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２を示す。］ （もっと読む）

【課題】シリコンウエハー上へ印刷法により数μm〜数十μmの厚さで表面の凹凸を低く抑えて塗布することができ、加熱により容易にBステージ化が可能で、且つ、Ｂステージ状態で、ダイシングテープの貼付性、及びシリコンウエハーを個片化するときのダイシング性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）軟化点が４０〜１１０℃である室温で固体状のエポキシ樹脂、（Ｂ）軟化点が４０〜１１０℃以下である室温で固体状の硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）質量平均粒径が０．０５〜５μｍである無機フィラー、（Ｅ）希釈剤および（Ｆ）特定のジメチルシリコーンを含み、成分（Ａ）及び／又は成分（Ｂ）がシリコーン変性されているエポキシ樹脂組成物；上記組成物を用いたシリコンチップのダイアタッチ方法；シリコンチップと、基体と、上記組成物の硬化物とを有し、該硬化物を介して該シリコンチップが該基体に接着されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより半導体ウェハを分断して半導体チップを形成する際に、ダイボンドフィルムと半導体ウェハの間、及びダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間に剥離や位置ズレが生じることのないダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも粘着剤層を有するダイシングフィルムと、粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ダイボンドフィルムにウェハを仮接着したときの２５℃における剪断接着力をτ１（ＭＰａ）、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間の２５℃における剪断接着力をτ２（ＭＰａ）としたとき、τ１とτ２は０．５≦τ２≦３、４≦τ１−τ２≦２０の関係を満たし、ダイボンドフィルムの破断伸び率は４０〜５００％である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿性、耐リフロー性、圧着による凹凸の埋込性及びチップとの密着性に優れ、小片化したチップをダイシングテープから容易に剥離できる接着シートを提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂１００重量部、（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂１５〜４０質量部、（ｃ）平均粒径０．０５〜５．０μｍの無機フィラー３０〜１００質量部、（ｄ）硬化促進剤０．０５〜０．２０質量部、（ｅ）式（Ｉ）で表されるシリコーン骨格を有する樹脂を含む接着剤から形成されたフィルム状接着剤。
【化１】


（式（I）中、Ｒ_１、Ｒ_２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子、ｎは３〜５０の整数。） （もっと読む）

【課題】 一定期間保管した後においても、厳しい熱湿条件およびリフロー工程を経た場合のパッケージ信頼性や接着性に優れた半導体用接着剤組成物等を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）、有機官能基を有し、分子量が３００以上でアルコキシ当量が１３ｍｍｏｌ／ｇより大きいシラン化合物（Ｄ）、および有機官能基を有し、分子量が３００以下でアルコキシ当量が１３ｍｍｏｌ／ｇ以下であるシラン化合物（Ｅ）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層３０と、金属箔からなる電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０、又は、接着剤層３０と、蒸着により形成された電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０。前記ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ工程で、接着剤層に切削屑の付着が低減され、その後のダイボンド工程において基板との十分な接着力を有し、パッケージクラックなどの工程不具合が著しく低減できる半導体加工用テープを提供する。
【解決手段】 基材樹脂フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用テープであって、該粘着剤層が、アクリル系粘着剤１００質量部に対し、下記一般式（１）で表される構造の化合物または下記一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を構成成分として有する重合体（Ｘ）０．１〜５０質量部を含有する放射線硬化性樹脂組成物を用いて構成されていることを特徴とする半導体加工用テープ。
ＣＨ_２＝ＣＲ^１−ＣＯＯ−Ｒ^２−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨＲ^３ ・・・・・（１）
[ 一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又はメチルを表す。Ｒ^２は炭素数２〜２０の有機残基を表す。Ｒ^３は水素原子又は炭素数１〜１１の有機残基を表す。] （もっと読む）

【課題】
粘着シートとダイアタッチフィルムを積層した粘着シートでは、粘着剤に含有される低分子量成分である光重合開始剤がダイアタッチフィルム側にマイグレーションし、半導体製造工程においてチップとリードフレームとの接着不良が発生する場合があった。
【解決手段】
本発明は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、紫外線重合性化合物と、多官能イソシアネート硬化剤と、光重合開始剤とを有し、光重合開始剤の２３℃から５００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温したときの質量減少率１０％となる温度が２５０℃以上である粘着剤である。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置を効率よく製造でき、特にＬＥＤ、ＬＤをはじめとした光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができる光半導体装置用接着剤、光半導体装置用接着剤シート、光半導体装置用接着剤シートの製造方法、及び光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート２上からピックアップし、前記光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、前記光半導体素子を前記素子取付部に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤１であって、フィルム状に成形されており、基材シート２上に配置されており、基材シート２から剥離できるものである。 （もっと読む）

【課題】配線付支持部材と配線付半導体チップとをダイボンディングフィルムで加熱圧着する際、未充填部位を好適に取り除くことを可能とするとともに、良好な吸湿リフロー耐性を有すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１０の製造方法は、配線６付き支持部材４と配線３付き半導体チップ２とをダイボンディングフィルム１を介して加熱圧着する加熱圧着工程と、加熱圧着工程後、ダイボンディングフィルム１を加熱する熱硬化工程と、熱硬化工程後、支持部材の配線と半導体チップの配線をボンディングワイヤ８で接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程後、支持部材４と半導体チップ２とを封止する封止工程と、を備え、ダイボンディングフィルム１の接着剤層Ａとして、熱硬化工程におけるフィルム温度１００℃〜１２０℃でのずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下である接着剤層を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸やワイヤの埋め込み性が高く、かつ、安定してワイヤボンディングすることが可能な半導体用フィルム、および信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、支持フィルム４とがこの順で積層されてなり、接着層３の第１粘着層１と反対側の面に半導体ウエハー７を積層させ、この状態で該半導体ウエハー７および接着層３を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を支持フィルム４からピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、接着層３を１３０℃で加熱した際の、接着層３の初期の溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、接着層３を１３０℃で３０分間加熱した際の、接着層３の溶融粘度が１，０００Ｐａ以上であり、接着層３を１３０℃で３０分間加熱した後の、接着層３の１７５℃における弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープに径方向外側に広がる応力を加えたとしても、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に確実に割裂させることができるダイシング−ダイボンディングテープを得る。
【解決手段】粘接着剤層からなるダイボンディング層３に、平面形状が円形のダイシングテープ５が直接または間接に積層されており、ダイシングテープ５の外周縁に複数の切欠き５ｃまたは切込みが形成されており、該複数の切欠き５ｃまたは切込みは、前記円形のダイシングテープの中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、及び第１の直線と直交する第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、該ダイシングテープの伸長を促進するように、前記第１の直線に平行な方向及び第２の直線に平行な方向に延びる部分５ｃ１，５ｃ２を有する、ダイシング−ダイボンディングテープ１。 （もっと読む）