【課題】バックライトからのフォトダイオードへの光の入射を防止し、検出物からの斜光が所望のフォトダイオードではなく、別のフォトダイオードに入射されるのを防止する。
【解決手段】透光性基板上の第１の遮光層と、第２の遮光層と、第１の遮光層上の第１のフォトダイオードと、第２の遮光層上の第２のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間には、第１のカラーフィルター及び第２のカラーフィルターからなる第３の遮光層を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成り暗電流の低減された受光素子及びエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３と、基板３上に設けられた受光層７と、受光層７に接して設けられ、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる拡散濃度分布調整層９と、拡散濃度分布調整層９に接して設けられ、拡散濃度分布調整層９よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、Ｐ元素を含有する窓層１１と、を備え、窓層１１と拡散濃度分布調整層９との接合面から窓層１１内に延びる所定領域内のｎ型のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以上１×１０^１9ｃｍ^−３以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】光検出回路を実現するにあたり、電源線及び信号線の数を最小化して受光素子の受光領域を最大化することにより、光の変化程度をより正確に検出できるようにする光検出回路及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】第１電源に接続された受光素子と、上記受光素子と第２電源との間に接続されたキャパシタと、ゲート電極が上記キャパシタの第１電極に接続され、第１電極が選択信号線に接続された第１トランジスタと、ゲート電極が上記選択信号線に接続され、第１電極が上記第１トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が出力信号線に接続された第２トランジスタと、ゲート電極が初期化電源に接続され、上記第２電源と上記出力信号線との間に接続された第３トランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】構造的に２つのダイオード素子の応答特性の違いを少なくし、安定した検出動作を行うことができるようにする。
【解決手段】センサ素子が、互いに直列に接続された第１および第２のダイオード素子ＰＤ１，ＰＤ２と、第１のダイオード素子ＰＤ１と第２のダイオード素子ＰＤ２との接続部分に接続された容量素子Ｃ１とを備える。第１および第２のダイオード素子ＰＤ１，ＰＤ２はそれぞれ、基板５１と、基板５１上に積層された半導体層５４とを有する。半導体層５４は、積層面内において第１の方向に互いに対向するように配置されたｐ型半導体領域５４Ａおよびｎ型半導体領域５４Ｂと、ｐ型半導体領域５４Ａとｎ型半導体領域５４Ｂとの間に形成された真性半導体領域５４Ｃとを含む。第１のダイオード素子ＰＤ１と第２のダイオード素子ＰＤ２とで、真性半導体領域５４Ｃの第１の方向の長さ（Ｌ長）を互いに異なる大きさで構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子（フォトダイオード）のバイアス依存性を排除することができる光電変換回路及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】 第１制御ラインＬ１と第２制御ラインＬ２との間に光電変換素子ＰＤとダイオード素子Ｄとを互いに逆方向にかつ直列に接続する。ダイオード素子Ｄを順方向にバイアスすることで光電変換素子ＰＤのカソード・アノード間に所定の電圧を与える。これによって、複数の光電変換素子ＰＤには所定の電圧が与えられ、複数の光電変換素子のバイアス依存性を排除する。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子と、光電変換素子とトランジスタまたはダイオードとの少なくとも一方と、をモノリシックに集積化すること、または、ｐ型熱電変換部とｎ型熱電変換部とが干渉を抑制すること。
【解決手段】本発明は、熱電変換を行なう半導体層３８を含む熱電変換素子１００と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層が光電変換を行なう光電変換素子１０２と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層を動作層とするトランジスタ１０４またはダイオードと、の少なくとも一方と、を具備する電子装置である。 （もっと読む）

【課題】 Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、該半導体基板上に形成され、前記半導体基板とは異なる材料をその一部に含む第１の緩衝層と、該緩衝層上に形成され、前記半導体基板とは異なる格子定数を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成され、前記第１の半導体層と同じ元素をその一部に含む第２の緩衝層と、該緩衝層上に形成された第２の半導体層とを含んで成り、前記第１の半導体層はその一部を絶縁膜に囲まれた複数の島状部分から形成され、前記第２の緩衝層は前記第１の半導体層の島と島を結合し、且つ前記絶縁膜に接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、シリコン基板１を備えている。シリコン基板１は、第１主面１ａ側にｎ⁻型半導体領域３を有し、第２主面１ｂ側にｎ^＋型半導体領域５を有している。ｎ⁻型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ⁻型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】光検出感度を向上することが可能な半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の複数の半導体領域３がアレイ状に形成されたシリコン基板１を備えている。シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１０が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも第２導電型の複数の半導体領域３の間の領域に対向する第１の領域１ｂ_１に不規則な凹凸１１が形成されている。シリコン基板１の第２主面１ｂにおける第１の領域１ｂ_１は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって、第１の光電変換部と第２の光電変換部との近接、及び第２の光半導体素子に対する気密封止を実現することができる光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出器１では、低抵抗Ｓｉ基板３、絶縁層４、高抵抗Ｓｉ基板５及びＳｉフォトダイオード２０によって、凹部６内に配置されたＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する気密封止パッケージが構成されており、低抵抗Ｓｉ基板３の電気通路部８及び配線膜１５によって、Ｓｉフォトダイオード２０及びＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する電気的配線が達成されている。そして、Ｓｉフォトダイオード２０のｐ型領域２２がＳｉ基板２１の裏面２１ｂ側の部分に設けられているのに対し、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０のｐ型領域３２がＩｎＧａＡｓ基板３１の表面３１ａ側の部分に設けられている。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化した場合にも光の回折の影響を抑えることが可能な導波路を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、上部に第１の受光部と第２の受光部とが形成された半導体基板１５０と、第１の受光部の上方に位置する部分に第１の凹部Ｈ１が形成され、前記第２の受光部の上方に位置する部分に第２の凹部が形成された絶縁膜と、第１の凹部Ｈ１及び前記第２の凹部Ｈ２に埋め込まれ、絶縁膜よりも高い屈折率を有する高屈折率材料膜と、第１の凹部Ｈ１の上方に形成され、第１の波長の光を選択的に透過する第１のカラーフィルタ１１３ｒと、第２の凹部Ｈ２の上方に形成され、第１の波長よりも短い第２の波長の光を選択的に透過する第２のカラーフィルタ１１３ｇとを備える。第１の凹部Ｈ１の底面積は、第２の凹部Ｈ２の底面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高品質な光デバイスをシリコン基板上にモノリシックに形成する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に設けられた複数のシード結晶と、複数のシード結晶に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つに、供給される駆動電流に応じて光を出力する発光半導体、または光の照射を受けて光電流を発生する受光半導体を含む光電半導体が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、光電半導体を有する３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体にヘテロ接合トランジスタが形成されている光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記（Ａ）及び（Ｂ）の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む、光電変換素子。
（Ａ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつλ_Ｍ２＜λ_Ｌ２
（Ｂ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつΔ｜λ_Ｍ１−λ_Ｌ１｜＞Δ｜λ_Ｍ２−λ_Ｌ２｜
（Ａ）及び（Ｂ）において、λ_Ｌ１、λ_Ｌ２、λ_Ｍ１、及びλ_Ｍ２は、波長４００〜８００ｎｍの範囲における最大吸収強度の１／２の吸収強度を示す波長であって、λ_Ｌ１及びλ_Ｌ２は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λ_Ｍ１及びλ_Ｍ２は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λ_Ｌ１＜λ_Ｌ２、λ_Ｍ１＜λ_Ｍ２である。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ⁻型半導体基板１を準備する。ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ⁻型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。アキュムレーション層１１を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光を検出する光検出素子を実装基板に設けた構成を採用しながらも、構造の簡略化を図れ、且つ、光検出素子の検出精度の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１が一表面側に実装されるベース基板（ベース基板部）２０の一表面側に配置される配光用基板３０の開口窓３１の内側面に沿って光検出素子４のｐ形領域からなる受光部４ｃが形成されている。光検出素子４は、受光部４ｃに電気的に接続される第１の電極４７ｃの少なくとも一部が、開口窓３１の内側面に沿って形成されて、ＬＥＤチップ１から放射され入射した光の一部を透過させ残りの光を反射する反射膜１４７ｃを構成し、受光部４ｃに接するｎ形領域４ｄに電気的に接続される第２の電極４７ｄが、受光部４ｃを透過した光を受光部４ｃ側へ反射する反射機能部１４７ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る赤外線検出素子１は、基板２と、第１のＰＮ接合部９と第２のＰＮ接合部１０とが交互に並ぶように基板２の一方の側の主面Ａに沿って線状に延在すると共に、主面上で隣り合う部位が溝１５によって仕切られたＰＮ半導体層３と、第１のＰＮ接合部９が一方の側に露出するように第２のＰＮ接合部１０の一方の側に設けられ、第２のＰＮ接合部９を短絡させる中間電極４と、ＰＮ半導体層３の両端部Ｅ１，Ｅ２に設けられ、一方の側からの赤外線の入射によって第１のＰＮ接合部９で発生した電荷による電位の変化を出力するための端子電極５，６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入射光パワーが高い場合において、優れた応答速度を確保できる半導体受光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板２０上にｎ型エピタキシャル層５が形成される。また、ｎ型エピタキシャル層５を貫通して半導体基板２０に至るｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８が形成される。ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型低濃度拡散層９よりも不純物濃度が高い。受光領域の外側においては、ｐ型拡散層４上にアノード電極１２、ｎ型高濃度拡散層１０上にカソード電極１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ⁻型半導体基板１を備えている。ｎ⁻型半導体基板１には、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。ｎ⁻型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）