【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式（Ｙ１）で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式（Ｙ１）


（式中、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｒ’_１〜Ｒ’_８、及びＲ’’_１〜Ｒ’’_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。） （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体（フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、コンタクト電極１１、及びパッド電極１３）と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域（フォトゲート電極ＰＧ直下の領域）が形成されており、半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物及び該化合物を含有する光電変換材料。


（式中、Ｚ_１は、２つの炭素原子を含む環であって、５員環、６員環、又は、５員環及び６員環の少なくともいずれかを含む縮合環を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３は、それぞれ独立に無置換メチン基又は置換メチン基を表す。ｎは０以上の整数を表す。Ｒ_１〜Ｒ_６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、隣あったそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ_２１、Ｒ_２２は、それぞれ独立に、置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。） （もっと読む）

【課題】マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。
【解決手段】所定の結晶軸方向に平行な方向に、マスクパターンの最大長とする複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチング速度が等価なサイドエッチングを行うことによって、マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】受光素子において、第２の半導体領域で発生したキャリア（電子又は正孔）を、外部電極に接続された高濃度の半導体領域に対して効率良く移動できるようにする。
【解決手段】第１の外部電極に対して電気的に接続された第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域上に形成された第２導電型の第２の半導体領域と、第２の半導体領域上に形成された第１導電型の第３の半導体領域と、第２の半導体領域上に第３の半導体領域に囲まれて複数形成され、第２の半導体領域より高濃度の第２導電型不純物を含み、第２の外部電極に対して電気的に接続された第２導電型の第４の半導体領域と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】低混色、高感度、低残像、低暗電流、低ノイズ、高画素密度の固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素１０は、第１の半導体層１と、第２の半導体層２と、第２の半導体層２の上部側面領域にその上面とは接しないように形成された第３の半導体層５ａ，５ｂおよび第４の半導体層６ａ，６ｂと、第２の半導体層２の下部側面領域に形成されたゲート導体層４ａ，４ｂと、絶縁膜３ａ，３ｂを介して第４の半導体層６ａ，６ｂの側面に形成された導体電極７ａ，７ｂと、第２の半導体層２の上面に形成された第５の半導体層８とを備え、少なくとも第３の半導体層５ａ，５ｂと、第２の半導体層２の上部領域と、第４の半導体層６ａ，６ｂと、第５の半導体層８とは島状形状内に形成されている。また、第４の半導体層６ａ，６ｂの表面にホールを蓄積させるように導体電極７ａ，７ｂに所定の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ５５は、ＩｎＰ基板１上に位置するｎ型バッファ層２と、タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３と、受光層の上に位置するコンタクト層５と、受光層３を経てｎ型バッファ層２に至るｐ型領域６とを備え、選択拡散によるｐ型領域は、隣の受光素子におけるｐ型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、ｎ型バッファ層内において、ｐ型領域のｐ型キャリア濃度と該バッファ層のｎ型キャリア濃度との交差面がｐｎ接合１５を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長が長い光に対しても受光感度を上げると共に、簡単なプロセスで安価に形成することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン半導体基板２とｎ型シリコン半導体３との接合部に生じる空乏領域に入射した光を光電変換する撮像素子１において、ｎ型シリコン半導体３が、ｐ型シリコン半導体基板２の内部に、当該ｐ型シリコン半導体基板２の面方向、且つ光の入射方向に沿って長手方向に延在して複数配設されて形成される。また、入射光の侵入長に対応させた位置、及び長さでｎ型シリコン半導体３を複数配設することで、侵入長に応じた色の光を個々に光電変換することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板の上に位置するＭＱＷの受光層と、受光層上に位置するｐ型コンタクト層４と、ｐ型コンタクト層にオーミック接触するｐ側電極１１とを備え、ＭＱＷが、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）層と、ＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）層とを対とする積層構造であり、ｐ型キャリア濃度、１×１０^１４ｃｍ^−３以上、かつ５×１０^１５ｃｍ^−３以下、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０上に形成された、フォトダイオード３１、３２用の不純物領域と、フォトダイオード３１、３２の受光面に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。角度制限フィルター４１、４２は、フォトダイオード３１、３２用の不純物領域が形成される面を半導体基板１０の表面とする場合に、半導体基板１０の裏面側からフォトダイオード３１、３２用の不純物領域に対して受光用の穴を形成することによって残存する半導体基板１０により形成される。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子の光電変換効率を動作初期から長期間高く維持できるようにする。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素の高集積化を図ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置において、多層配線層と、多層配線層上に設けられ、第１導電型層を有する半導体基板と、第１導電型層を複数の領域に区画する第２導電型の不純物拡散領域と、半導体基板上に前記区画された領域毎に設けられたカラーフィルタと、半導体基板の下面における区画された領域以外の領域に形成されたメタリック層と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＳＮを向上させることが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極２と電極２上方に形成された電極５と、電極２及び電極５間に形成された有機材料を含む光電変換層４と、電極２、電極５、及び光電変換層４を封止する封止層６とを含む有機光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換層４は、フラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体との混合層で構成されており、基板１上方に電極２を形成する第一の工程と、電極２の上方に光電変換層４を形成する第二の工程と、光電変換層４の上方に電極５を形成する第三の工程と、電極５の上方に封止層６を形成する第四の工程とを備え、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作成途中の有機光電変換素子の構造に何も追加しない期間を３０分以上設ける第五の工程を備える。 （もっと読む）

【課題】近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子、受光素子アレイ、その製造方法、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】バンドギャップ波長１．６５μｍ〜３．０μｍを有する受光層３は、（ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ）または（ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮ（Ｐ，Ｓｂ））、のタイプ２型のＭＱＷからなり、受光素子は、隣りの受光素子と、溝または不純物濃度分布によって隔てられており、受光素子ごとの電極１１は、当該受光素子ごとにキャップ層に設けられたｎ型領域６にオーミック接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いＳＮ比を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素２０１であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域２０１ａを有する複数の画素２０１と、半導体基板の第１面と反対の第２面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体領域の光が入射する側の面上に周期的に設けられた微細金属構造２５０と、微細金属構造と半導体領域との間に設けられた絶縁膜２３６ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも受光感度を向上させることが可能な受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子３０は、第１導電型の半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１導電型の半導体層２と、半導体層２における表面を含む所定の領域に形成され、外部から前記半導体層との間に電位差を生じさせたときに前記半導体層との界面及びその近傍の領域に第１の空乏層Ｐ２を発生する第２導電型の拡散層３と、拡散層３の上方に形成され、外部から拡散層３との間に電位差を生じさせたときに拡散層３の表面及びその近傍の領域に第２の空乏層Ｐ１を発生する電極６と、を備えている。 （もっと読む）