【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】単一の受光素子を用いた簡単な構成による小型かつ低コストな近接／方向センサとして、対象物体の近接／非近接状態の変化とそれに直交する移動方向を、同時に最も効率よく検出して人体の動作に十分に追随させるための光検出装置を提供する。
【解決手段】受光素子２００は、反射光１０３が直接入射する第１のウェル３０１と、第１のウェル３０１を挟んで対向し、かつ反射光１０３は遮光されて入射しない第２のウェル３０２及び第３のウェル３０３とを備えている。受光素子２００による受信信号は、第１のウェル３０１の出力と第２のウェル３０２の出力との和、及び、第１のウェル３０１の出力と第３のウェル３０３との出力の和を、時間軸上で交互に出力する。この受信信号に基づいて、光検出装置天面の法線方向である第１の軸方向に沿う対象物体の近接状態と、前記対象物体の近接状態が変化した際の移動方向とが判定される。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の波長域の光を選択的に、高感度に検出することができる光検出装置及びこれに用いる光学フィルターを提供する。
【解決手段】支持基板上に２つの受光素子が形成されている。第１の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、光吸収半導体層、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。第２の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、透過膜、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。光の吸収域がない透過膜は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。第１の受光素子の検出信号と第２の受光素子の検出信号を演算することにより、波長範囲λの光量を計測する。 （もっと読む）

【課題】異なる不純物濃度の埋め込み層を有する半導体装置を短時間かつ低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に第１の酸化膜１１を形成する第１の酸化膜形成ステップと、フォトダイオードが形成される第１の領域に形成された前記酸化膜の一部を除去して第１の間隔で第１の開口部を形成すると共に、トランジスタが形成される第２の領域に形成された前記酸化膜を除去して前記半導体基板の表面を露出させる第１の開口部１２を形成ステップと、前記第１の酸化膜をマスクとして利用して前記第１の開口部及び前記第２の領域に対して第１の不純物を注入する第１の不純物注入ステップと、前記第１の不純物を熱拡散させる第１の熱拡散ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）

【課題】入射光の入射制限角度を高精度に制御可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、受光素子（例えばフォトダイオード３０）と、受光素子の受光領域に対する入射光の入射角度を制限する角度制限フィルター４０と、を含む。入射光の波長をλとし、角度制限フィルターの高さをＲとし、角度制限フィルターの開口の幅をｄとする場合に、ｄ^２／λＲ≧２を満たす。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
【解決手段】このフォトダイオード１は、半導体又は金属から成る基板２と、基板２上に形成された埋め込み絶縁層３と、埋め込み絶縁層３上の所定領域に沿って並んで形成されたｐ型半導体層６及びｎ型半導体層７を含む半導体層５，６，７と、半導体層５，６，７上に形成されたゲート絶縁層８と、ゲート絶縁層８上に配置され、平面状の金属膜９ａに直線状の貫通溝９ｂが等間隔に形成された回折格子部９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧低下を招くことなく、十分なゲインを確保できる光センサを提供する。
【解決手段】アノードが接地されたフォトダイオードＰＤ１と、フォトダイオードＰＤ１のカソードに一端が接続されたダイオード群ＤＧ１と、ダイオード群ＤＧ１の他端に一端が接続された電流源Ｉ１と、電流源Ｉ１の他端に一定電圧を印加する電源部と、フォトダイオードＰＤ１のカソードにベースが接続され、電流源Ｉ１の一端にコレクタが接続されたエミッタ接地型のＮＰＮトランジスタＱ_ＯＵＴ１とを備える。上記ダイオード群ＤＧ１は、フォトダイオードＰＤ１側に順方向が向くように直列に接続されたｎ個(ｎは２以上の整数)のダイオードＤ_１,Ｄ_２,…,Ｄ_ｎであり、ダイオード群ＤＧ１と電流源Ｉ１との接続点から、フォトダイオードＰＤ１に流れる光電流が電圧に変換されて光電変換信号として出力される。 （もっと読む）

【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第２の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 （もっと読む）

【課題】被検体以外に起因する外部からの不要光の影響を受けることなく、良質の生体画像情報を得ることができると共に、製造歩留まりを向上させることができる低コストの撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元配列された複数の集光レンズ３２と、複数の集光レンズ３２のそれぞれに対応して２次元配列された複数の画素ＰＸ（受光素子）とを備えた撮像装置１５０である。複数の集光レンズ３２を、透明基板３１の、複数の画素ＰＸ（受光素子）側と反対側の面上に形成する。透明基板３１の、複数の集光レンズ３２が形成された面上の、集光レンズ領域外に、集光レンズ３２を通過せずに透明基板３１の内部に入射した光を画素ＰＸ（受光素子）に到達させることなく除去するプリズム３３を設ける。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長域まで受光でき、画素ピッチを密にしても暗電流を小さくでき、かつ画素の結晶性を損なうおそれがない、受光素子等を提供する。
【解決手段】 近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子５０であって、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギのＩＩＩ−Ｖ族半導体を有する受光部１０を備え、受光部１０が、該受光部より大きいバンドギャップエネルギを持つ半導体層１に取り囲まれるように埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。第１導電型の領域は、第１の半導体領域と複数の第２の半導体領域とを有する。第１の半導体領域は、Ｓｉを主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、第１の半導体領域の上に島状に配されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】 光利用効率を向上する。
【解決手段】
光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２と化学量論的組成が同じであり、かつ、中心部分２２２の屈折率よりも高い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続するとともに中心部分２２２を囲み、かつ、中心部分２２２の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】積層フォトダイオードにおいて半導体基板表面からの深さ距離で決まる分光特性における混色を低減し、また、３色以上の分光特性を検知することにより感度を向上させることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板中に、第１導電型の光電変換領域（１２，１４）と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域（１１，１３，１５）とを交互に複数積層した光電変換装置であって、複数の前記第１導電型の光電変換領域（１２，１４）の間に設けられる前記第２の導電型の領域（１３）に印加する電圧を制御することにより、前記半導体基板中に形成される空乏層の幅を変化させる電圧制御部（１８）を有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】近赤外の波長域１．５μｍ〜１．８μｍに十分高い感度をもち、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、バッファ層上に接して位置する受光層３とを備え、受光層３が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下の第１の半導体層３ａと、それよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第２の半導体層３ｂとを１ペアとして、５０ペア以上を含み、第１の半導体層３ａおよび第２の半導体層３ｂが歪補償量子井戸構造を形成し、厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）