【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第１の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第２の工程と、第２の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第３の工程と、第３の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第４の工程と、第４の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第５の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供する。
【解決手段】硫化鉄に、Ｚｎと、III族元素およびＩａ族元素のうちの少なくとも一方とを混ぜることにより、半導体を作製する。また、この半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性の劣化を回避する裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１１は、光電変換部２３が内部に形成された半導体基板の上方に層間絶縁膜２２を介して積層された光電変換層２３を備え、その光電変換層２３は、絶縁膜５１により側面が絶縁された下部電極５２ｂと、下部電極に積層された光電変換膜５３と、下部電極５２ｂとの間で光電変換膜５３を挟み込む上部電極５４とを有して構成される。そして、下部電極５２ｂの上面が絶縁膜５１の上面よりも低く形成された凹構造を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の深さ位置によらずに光電変換領域の信号電荷を全て読み出すことが可能で、これにより残像のない撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１３に形成したトレンチ１７ｒ内にゲート絶縁膜１９を介して埋め込まれた読出ゲート２１ｒと、半導体基板１３の内部に設けられた光電変換領域１５ｒとを備えている。さらに、光電変換領域１５ｒとの間に間隔を保って、半導体基板１３の表面層にフローティングディフュージョン２３が設けられている。そして特に、光電変換領域１５ｒとゲート絶縁膜１９とに接して、ポテンシャル調整領域２５ｒが設けられている。このポテンシャル調整領域２５ｒは、半導体基板１３および光電変換領域１５ｒと同一の導電型で、かつ半導体基板１３および光電変換領域１５ｒよりも導電型の濃度が低い不純物領域である。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】１画素１バンプを実現しながら、感度を向上させる。
【解決手段】センサ素子アレイを、第１波長帯に対する第１活性層８と第２波長帯に対する第２活性層９とを積層した構造を有し、縦横２つずつ配列された第１〜第４画素１０Ａ〜１０Ｄと、第１画素１０Ａの第１活性層と第２画素１０Ｂの第１活性層とに電気的に接続された第１バンプ６Ａと、第２画素の第２活性層に電気的に接続された第２バンプ６Ｂと、第１画素の第２活性層と第３画素１０Ｃの第２活性層とに電気的に接続された第３バンプ６Ｃと、第４画素１０Ｄの第１活性層に電気的に接続された第４バンプ６Ｄとを備えるものとし、第１〜第４バンプを、第１〜第４画素の上方にそれぞれ１つずつ設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードアレイに印加する逆バイアス電圧の推奨動作電圧を容易に且つ精度良く決定することが可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを有する。高電圧発生部２０は、フォトダイオードアレイ１０に印加する直流電圧を生成する。電流検出部３０は、フォトダイオードアレイ１０に流れる電流を検出して、電流モニタ信号を生成する。制御部６０は、生成する直流電圧を変化させるように高電圧発生部２０を制御すると共に、電流検出部３０にて生成された電流モニタ信号に基づいて、フォトダイオードアレイ１０に印加する直流電圧の変化に対するフォトダイオードアレイ１０に流れる電流の変化における変曲点を求め、該変曲点での直流電圧に基づいて推奨動作電圧を決定する。 （もっと読む）

【課題】入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板１に形成されたＰＮ接合部４ａを有する受光素子４と、受光素子４を覆うＬＯＣＯＳ酸化膜５ａよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜としてのポリシリコン膜８と、透光性導電膜に接続され、ＧＮＤ電位に固定するための電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】遮光性の低下が抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）に受光素子（２０）が複数形成され、半導体基板（１０）における受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、該遮光膜（４０）に、受光素子（２０）に対応した透光用の開口部（５０）が形成された光センサであって、遮光膜（４０）の平面形状が、楕円形である。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】光の左右比の検出精度の低下が抑制された光センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）に受光素子（２０）が形成され、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、遮光膜（４０）に透光用の開口部（５０）が形成された光センサであって、仮想直線（ＶＬ）を介して線対称の関係にある一対の受光素子（２１，２２）及び一対の開口部（５１，５２）を有し、形成面（１０ａ）に直交する高さ方向に沿う光を、開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に照射した際に、一対の受光素子（２１，２２）から出力される出力信号に基づいて、高さ方向に沿う光が開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に入射した際に出力される一対の受光素子（２１，２２）の出力信号が互いに一致するように、各出力信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層して形成された同一層構成の積層面に、発光素子と受光素子とが配設された半導体光集積素子を構成するに当たり、発光素子の動作時には動作電流の増大による発熱や余計な発光を抑えることができ、受光素子の動作時には光の吸収効率を高くする半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】基板上に第１の導電型の第１のクラッド層、活性層、及び、第２の導電型の第２のクラッド層を少なくとも含んで積層されてなる発光素子、及び、受光素子が、同一基板上の面内に配置されて成る半導体光集積素子において、
活性層は、導電型の第２の活性領域と、アンドープの第１の活性領域とが積層された構造を備え、
第２の活性領域が、第２の活性領域に対し最も近い位置に積層されている第１もしくは第２のクラッド層と同じ導電型とされている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層１５と、半導体基板１０の表面に形成され、光電変換層１５から出力された電気信号を処理する回路と、半導体基板１０の裏面に光電変換層１５に対応するように配置された赤、緑、青フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとを備える。赤フィルタ２３Ｒは、半導体基板１０を通過する光を透過する。半導体基板１０の裏面に対して垂直な断面において、赤フィルタ２３Ｒの下面の長さはその上面の長さより長く、緑フィルタ２３Ｇの下面の長さはその上面の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板４０内の表面にフォトダイオード４２を有する画素領域１０と、前記画素領域とその周辺に配置された周辺回路領域２０との間に配置され、前記半導体基板内の表面に前記フォトダイオードと機能が異なる画素を有する非画素領域と、を具備し、前記非画素領域における前記半導体基板内で、かつ前記画素の下方に空洞４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】昇華精製に適さない有機材料を、純度を低下させることなく、長時間安定して連続蒸着させる方法を提供すること。
【解決手段】昇華精製による精製ができない有機材料を蒸着製膜して得られる膜であって、該有機材料と該有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い沸点又は昇華点Ｔ_１を有する化合物（Ａ）とを含有する蒸着用材料を用い、前記蒸着用材料を、第１加熱により、前記化合物（Ａ）の沸点又は昇華点Ｔ_１より高く、かつ前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い温度Ｔ_２まで昇温後、該温度Ｔ_２に維持し、該第１加熱の後に、第２加熱により、前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３以上、前記有機材料の分解温度以下の温度まで昇温後、該温度に維持して前記有機材料の蒸着製膜を行うことにより得られる膜。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）