【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】特定の波長に対して感度を持たせた素子を材料の選定を行うことなく容易に作製可能な受光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することによりｐ層１４とｎ層１３の接合部３５に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより表面形状及び／又はドーパント分布を固定させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２，４と、一対の電極２，４に挟まれた光電変換層３とを含む光電変換素子１００は、電極２と光電変換層３との間に、電極２の光電変換層３側の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層５を備える。凹凸緩和層５は、電極２上にアモルファス性材料又は高分子材料を成膜後、これを加熱することで形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射ディテクタ、放射ディテクタの製造方法、および放射ディテクタを含むリソグラフィ装置に関する。
【解決手段】放射ディテクタは放射感応性表面を有する。放射感応性表面は、１０〜２００ｎｍの波長の放射および／または荷電粒子に感応する。放射ディテクタは、シリコン基板、ドーパント層、第１電極、および第２電極を有する。シリコン基板は、特定の導電タイプのドーピングプロファイルを有する第１表面側の表面領域内に設けられる。ドーパント層は、シリコン基板の第１表面側に設けられる。ドーパント層は、ドーパント材料の第１層と、第２層とを有する。第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。第１電極はドーパント層に接続される。第２電極はシリコン基板に接続される。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる光電変換素子を含む固体撮像素子において、暗電流を防ぐ。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された緑色光を吸収する光電変換層１２ａとを含む光電変換部の下の半導体基板１内には、青色の光を吸収可能な位置にｐｎ接合面が形成された青色用フォトダイオードと、赤色の光を吸収可能な位置にｐｎ接合面が形成された赤色用フォトダイオードが形成される。電極１３と光電変換層１２ａの間のブロッキング層１２ｂは、その比誘電率が光電変換層１２ａの比誘電率よりも大きく、光電変換層１２ａの厚みをその比誘電率で割った値が、ブロッキング層１２ｂの厚みをその比誘電率で割った値よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を開発することが課題である。
【解決手段】
ゾル状態の酸化亜鉛を基板上にスピンコート法で塗布する際と、ゲル状態の酸化亜鉛薄膜を乾燥、及び結晶化する際に、電界印加状態でマイクロ波を照射してZn⁺―O⁻結合を回転させ電界方向にそろえて、結晶品質の良い酸化亜鉛薄膜を形成させる。次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図６(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整する。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が２０〜７００ｎｍ、前記多孔質酸化物層の膜厚が２〜２０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】光強度の検出精度が向上された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子（２０）が複数形成され、半導体基板（１０）における受光素子（２０）の形成面上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、遮光膜（４０）に、受光素子（２０）それぞれに対応した透光用の開口部（４１）が形成された光センサであって、受光素子（２０）として、光強度検出用の受光素子（２１）と、光入射角度検出用の受光素子（２２）とが半導体基板（１０）に形成されており、光強度検出用の受光素子（２１）の上方に位置する透光膜（３０）、遮光膜（４０）それぞれが除去されている。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを構成している光吸収層を含むメサ部側壁における電流リークの問題が解消できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された第１導電型の第１化合物半導体からなる下側コンタクト層１０２と、下側コンタクト層１０２の上に形成された第１化合物半導体からなる電子走行層１０３と、電子走行層１０３の上に形成された第２化合物半導体からなる光吸収層１０４と、光吸収層１０４の上に形成された第２導電型の第１化合物半導体からなる上側コンタクト層１０５と、下側コンタクト層１０２に形成された第１電極１０６および上側コンタクト層１０５に形成された第２電極１０７とを少なくとも備え、基板１０１の上で、電子走行層１０３は、光吸収層１０４および上側コンタクト層１０５より広い面積に形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】素子性能の劣化とコストの増大を防ぐことが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極２と電極２上方に形成された電極５と、電極２及び電極５間に形成された有機材料を含む光電変換層４と、電極２、電極５、及び光電変換層４を封止する封止層６とを含む有機光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換層４は、フラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体との混合層で構成されており、基板１上方に電極２を形成する第一の工程と、電極２の上方に光電変換層４を形成する第二の工程と、光電変換層４の上方に電極５を形成する第三の工程と、電極５の上方に封止層６を形成する第四の工程とを備え、第二の工程〜第四の工程の各工程を真空下で行い、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作製途中の有機光電変換素子を非真空下に置く第五の工程を備える。 （もっと読む）

【課題】光量変化を検出する受光回路であり、次段の入力回路が小型で安価で、しかも、消費電流が少ない受光回路を提供する。
【解決手段】入射光量に応じた電流を流す光電変換素子と、該光電変換素子からの電流がドレインに供給されるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、該Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が所望の電圧となるように、ロウパスフィルタを介して該ＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御する制御回路と、を有する受光回路であり、前記制御回路は、前記ロウパスフィルタを介して制御されるＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧の制御遅延量が所望の遅延量未満の場合は、ＧＮＤ端子電圧となり、前記ロウパスフィルタを介して制御されるＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧の制御遅延量が所望の遅延量以上の場合は、前記ＮＭＯＳトランジスタのドレイン電圧となる制御状態出力信号を出力する構成であり、該制御状態出力信号を出力信号とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】特定の吸収波長に強く応答することができる紫外線センサを実現する。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏを主成分とするｐ型半導体層１とＺｎＯを主成分としたｎ型半導体層２とを接合させる前に、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を酸性及びアルカリ性のいずれかに調整した表面処理溶液に接触させ、前記焼結体の表層面のＺｎを溶出させてｐ型半導体層１を作製する。表面処理は外部電極５ａ、５ｂ形成後のめっき処理と同時に行うのが好ましく、表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるようなｐＨに調整された表面処理溶液を選択し、表面処理を行うか、又は表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるような所定時間、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を表面処理溶液に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない光電変換装置、及びその動作方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積容量部、フォトダイオード、及び複数のトランジスタを含む光電変換装置であり、電荷蓄積容量部をリセット後に充電し、フォトダイオードまたはフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路を介して電荷蓄積容量部を一定期間放電させた後に電荷蓄積容量部の電位を読み取る。電力は充電時のみに消費するため、低消費電力化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】視感度に近い分光感度特性を有し、回路規模が小さい照度センサ、およびこの照度センサを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】電流出力回路（２１）は、第１受光素子（ＰＤ１）に流れる第１電流（Ｉｉｎ１）をアナログ‐デジタル変換する第１アナログ‐デジタル変換回路（ＡＤＣ１）のビットストリーム信号（ｃｈａｒｇｅ１）を用いて第１電流（Ｉｉｎ１）に応じた電流（Ｉｉｎ１×α）を出力し、第２アナログ‐デジタル変換回路（ＡＤＣ２）は、第２受光素子（ＰＤ２）に流れる第２電流（Ｉｉｎ２）から電流（Ｉｉｎ１×α）を減算した第３電流（Ｉｉｎ２-Ｉｉｎ１×α）を入力されてアナログ‐デジタル変換する。 （もっと読む）

【課題】性能を低下させることなく光センサの小型化を図る。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ基板１上に形成されたＮ拡散層１２の表面（受光面）に、Ｐ拡散層（不純物拡散層）からなる抵抗１５とＮ拡散層からなるカソード１３とを形成する。この抵抗１５は、屈曲したジグザグの帯状に形成されている。この抵抗１５により、フォトダイオードＰＤ１を流れる光電流を電圧に変換する。このように、電流−電圧変換用の抵抗１５をフォトダイオードＰＤ１上に形成することにより、フォトダイオードＰＤ１を含む光センサを小型化することができる。また、抵抗１５の一端を接地することにより、抵抗１５を電磁シールドとして機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】応答特性を改善することによって異常値の出力を低減した光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードとカレントミラー回路を含む光電変換装置において、フォトダイオードに対して並列にダイオード接続されたトランジスタが設けられる。該トランジスタは、カレントミラー回路のゲート容量の蓄積電荷を急速に排出するためのリークパスとして作用し、光電変換装置の応答速度を改善するとともに異常値の出力を低減する。 （もっと読む）