【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２と対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間に形成された光電変換層３とを有し、下部電極２と上部電極４との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子１００であって、上部電極４を光入射側の電極とし、上部電極４が透明電極であり、下部電極２が光の反射機能を有する金属電極である。 （もっと読む）

【課題】短波長における光電変換効率を改善する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤは、受光領域１４に照射された光に応じた光電流を生成する。Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。Ｎ型の低濃度カソード領域１０は、低濃度アノード領域１２の上層に、受光領域１４をカバーするように形成される。Ｎ型の高濃度カソードコンタクト領域１６は、低濃度カソード領域１０の表層であって受光領域１４より外側の領域に形成される。アノードコンタクト領域２０は、高濃度カソードコンタクト領域１６よりも外側の領域に、フォトダイオードＰＤの表層から低濃度アノード領域１２に達する深さまで形成される。高濃度カソード領域２４は、低濃度カソード領域１０の表層に、高濃度カソードコンタクト領域１６から受光領域１４の中心に延びる方向に形成される。 （もっと読む）

【課題】電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子を備える固体撮像素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。
【解決手段】
電極２０４と光電変換層２００との間に、複数層（２０２ａ，２０２ｂ）からなる電荷ブロッキング層２０２が設けられる。各層２０２ａ，２０２ｂを有機材料とすることで、電荷ブロッキング層２０２の均質性を向上させることができ、ブロッキング性能を向上させることができる。また、各層２０２ａ，２０２ｂを異なる材料で構成することで、各層の中間準位を介した電荷の移動が起こりにくくなり、電荷ブロッキング性能が向上する。 （もっと読む）

【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を備える固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極１１と、第一電極１１に対向する第二電極１３と、第一電極１１と第二電極１３との間に形成された光電変換層１２とを含む光電変換部を有する光電変換素子１００であって、第二電極１３と光電変換層１２との間に、光電変換層１２の表面の凹凸を緩和する平滑層１０４を設けた。平滑層１０４は、有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが３０〜３００ｎｍである。また、第二電極が光入射側の電極であり、第一電極１１が正孔取り出し用の電極であり、第二電極１３が電子取り出し用の電極である。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化が進んでも、充分な感度を確保することを可能にする、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体１と、この半導体基体１内に形成された、センサ部を構成する、第１導電型の電荷蓄積領域４と、主電荷蓄積領域である電荷蓄積領域４の下の半導体基体１内に、複数層形成され、かつ、複数層のうちの少なくとも１層１１が画素全体に形成された、第１導電型の不純物領域から成る副電荷蓄積領域１１，１２，１３と、半導体基体１内に形成された、画素を分離する、第２導電型の不純物領域から成る素子分離領域３とを含む固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】回路の基準電位からみた入力端子のノイズを削減することが可能で、信号に重畳するノイズ成分を減少でき、信号対雑音比(ＳＮＲ)の精度の向上を図ることが可能な光受信機および光伝送システムを提供する。
【解決手段】アノードとカソードを持ち、受信した信号光に対応する光電流を生成する受光素子３１１と、受光素子のアノードに接続され、上記光電流を電圧信号に変換する電流電圧変換回路（ＴＩＡ）３１３と、第１電極および第２電極を持つ容量受動素子３１２と、を有し、受光素子３１１のカソードと容量受動素子３１２の第１電極３１２１が接続され、容量受動素子３１２の第２電極３１２２が電流電圧変換回路（ＴＩＡ）３１３の基準電位に接続され、第２電極は電流電圧変換回路３１３の基準電位端子以外繋がらない。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光信号の伝送状態が単発的な光信号で示される場合であっても、その伝送状態を目視で容易に確認できる光モニタデバイス、および、光信号検出方法を提供する。
【解決手段】伝送情報保持手段８１は、予め定められた閾値を超えるパワーの光信号が光伝送路内を伝送した場合に、その光信号が伝送したことを示す情報である伝送情報を保持する。表示手段８２は、伝送情報が保持されていることを条件に、光信号が伝送したことを表示する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しつつ、光電変換効率を向上させることができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が２：１より小さい。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ、その製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】 タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３と、キャップ層５と、キャップ層表面から受光層へと届くｐ型領域６とを備え、タイプ２型のＭＱＷは、（ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ）等であり、ｐ型領域６は、高濃度範囲６ｈと、傾斜濃度範囲６ｓとから構成され、高濃度範囲６ｈが受光層３内に入っており、該受光層内にｐｎ接合１５を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】第一の電極、電子ブロッキング層、メロシアニン色素を含む光電変換層、正孔ブロッキング層、第二の電極である透明電極をこの順に含む光電変換素子であって、該メロシアニン色素を含む光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
（もっと読む）

【課題】感度低下及び分光感度のブロード化を防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜１１と、第一電極膜１１に対向する第二電極膜１３と、第一電極膜１１と第二電極膜１３の間に配置される光電変換膜を含む光電変換層１２とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜１３上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜１３上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生し、且つ、正孔の移動度よりも電子の移動度が小さい特性を持ち、且つ、第一電極膜１１近傍よりも第二電極膜１３近傍の方が電子と正孔をより多く発生するものであり、第一電極膜１１を正孔の取り出し用の電極とした。 （もっと読む）

【課題】出力電流の収束特性が良好な光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子から入力された第１の電流入力端子の電流を増幅する第１の電流増幅器（２０）と、第１の電流入力端子の電圧を初期化する第１の初期化部（３０）と、第１の電流入力端子の電圧を検出する第１の検出器（４０）と、第１の検出器により検出された電圧を第１の電流増幅器にフィードバックする第１のフィードバック部（５０）と、補正部（７０）とを有し、補正部は、第２の電流入力端子の電流を増幅する第２の電流増幅器と、第２の電流入力端子の電圧を初期化する第２の初期化部と、第２の電流入力端子の電圧を検出する第２の検出器と、第２の検出器により検出された電圧を第２の電流増幅器にフィードバックする第２のフィードバック部と、第１の電流増幅器により増幅された電流を補正する演算部とを有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換層が積層された構造であって微細加工に有利な構造を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の色の光を光電変換する有機物の第１の光電変換層と、無機物の第２の光電変換層と、前記第１の光電変換層に沿った方向において前記第２の光電変換層に隣接して配された無機物の第３の光電変換層と、前記第１の光電変換層を通過した光のうち第２の色の光を選択的に前記第２の光電変換層へ導くように、前記第１の光電変換層と前記第２の光電変換層との間に配された無機物の第１のフィルターと、前記第１の光電変換層を通過した光のうち第３の色の光を選択的に前記第３の光電変換層へ導くように、前記第１の光電変換層と前記第３の光電変換層との間に配された無機物の第２のフィルターとを備えている。 （もっと読む）

【課題】紫外線透過フィルタを用いることなく、紫外光を可視光に対して十分に選択的に吸収可能な構造を有する半導体紫外線センサを提供する。
【解決手段】半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。Ｎ型不純物層の不純物濃度のピーク位置が、Ｐ型シリコン基板１の表面からの深さが１００ｎｍ以下の位置に存在しており、Ｐ型不純物層４の膜厚は、０ｎｍよりも大きく且つ２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面に接着層を介してガラス基板を貼り合わせる半導体装置において、フォトダイオード上に形成された絶縁膜の窪み部に気泡を内包しないように接着層を充填する事が課題となる。
【解決手段】その上部に層間絶縁膜からなる窪み部１９を有するフォトダイオード４０とＮＰＮバイポーラトランジスタ３０等からなる光電子集積回路が形成された半導体チップ５０において、一般的にはフォトダイオード４０上の窪み部１９領域及びダイシング領域２１以外を遮光膜１７で被覆する。本発明では、更に窪み部１９から該窪み部１９の外側に向かって延在する遮光膜１７の開口路２０を形成することにより課題の解決を図った。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、波長（色）分離精度の良く、また望ましくは暗電流の発生を抑制することができる、光電変換素子等を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係わる光電変換素子は、半導体基板１、フォトダイオード部２、凹レンズ３、凸レンズ４を備えている。フォトダイオード部２は、半導体基板１内において、ｐ型の半導体領域２ａ，２ｃ，２ｅとｎ型の半導体領域２ｂ，２ｄとが、交互に順次積層することにより構成されている、複数のフォトダイオードから成る。また、凸レンズ４は、フォトダイオード部２に入射光を集光させるレンズである。また、凹レンズ３は、フォトダイオード部２と凸レンズ４との間で保護膜上の光路上に、フォトダイオード部２に対して垂直な光軸を持つ並行光を入射させ、並行光の到達距離を一定にするように配設されている。 （もっと読む）