【課題】リーク電流の低減と、フォトダイオードの開口率を向上させることができる光電変換装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる領域１０２を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第２導電型の半導体からなるチャネルストップ層１０５と、前記チャネルストップ層１０５の上に設けられた素子分離用絶縁膜１０３と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜１０４と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜１０４との界面と、前記チャネルストップ層１０５と前記素子分離用絶縁膜１０３との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第１導電型の半導体領域１０２と前記チャネルストップ層１０５とが互いに接している。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく且つ高ゲインを確保できる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ１は、フォトダイオードＰＤ１と、ダミーフォトダイオードＰＤ２と、フォトダイオードＰＤ１およびダミーフォトダイオードＰＤ２の出力電流をそれぞれ電圧に変換するダイオードＤ１，ＰＤ２と、変換された電圧を差動演算する差動増幅器とを備えている。ダミーフォトダイオードＰＤ２は、フォトダイオードＰＤ１のリーク電流を受ける位置に配置され且つ遮光されている。ダミーフォトダイオードＰＤ２にリーク電流が流れることにより、ダイオードＤ２の電位が持ち上がるので、フォトダイオードＰＤ１側とダミーフォトダイオードＰＤ側との電位差が抑えられて、光センサ１の誤動作を抑制できる。また、フォトダイオードへＰＤ１の光入射時には、ダイオードＤ１により高ゲインが得られる。しかも、電流補償をすることなく特性を改善できるので、回路規模は増大しない。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を抑制しつつ、電磁波に対する遮蔽効果を十分に発揮することができるようにした受光素子及び受光素子の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ−領域１と、Ｐ−領域１に接合されたＮ−領域３と、Ｎ−領域３の一方の面３ｂ上に形成された光透過性を有する誘電体５と、誘電体５上に形成された光透過性を有する電磁シールド７と、を備え、電磁シールド７は、ポリシリコンからなる。受光素子１０に入射してくる光は、電磁シールド７及び誘電体５を通ってＰＮ接合面３ａに到達する。このため、ＰＮ接合面３ａでは、受光量の低下を抑えつつ、電磁波の到達を抑えることができる。また、電磁シールド７とＮ−領域３との間には誘電体５が介在するため、当該間の寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低照度側の光検出範囲を低下させることなく、高照度側の光検出範囲を拡大することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光を電流に変換する第１の光電変換素子（１）と、光を電流に変換する第２の光電変換素子（２）と、ベースに入力された前記第１の光電変換素子の電流を増幅し、増幅した電流を複数のエミッタから出力する第１のバイポーラトランジスタ（３）と、ベースに入力された前記第２の光電変換素子の電流を増幅し、増幅した電流を複数のエミッタから出力する第２のバイポーラトランジスタ（４）と、前記第１のバイポーラトランジスタの一のエミッタの電流及び前記第２のバイポーラトランジスタの一のエミッタの電流を加算する電流加算部（９）とを有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】分光感度特性の安定化に貢献することができ、製品にばらつきが発生し難いうえ視感度特性に近似した特性を容易に確保することができる受光素子、半導体装置、電子機器、および受光素子の製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層構造体Ｂ１は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ａと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ａと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ａと、を有し、第２積層構造体Ｂ２は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｂと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１ａと、を有し、第３積層構造体Ｂ３は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｃと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第４層２１ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板６上方に二次元状に配列された複数の画素電極２１と、画素電極２１の上層に形成された抵抗が１００ｋΩ／□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極２３と、画素電極２１と対向電極２３との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層２２と、対向電極２３に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線４と対向電極２３との電気的接続を行う接続部３とを備え、平面視において画素電極２１が配列された略矩形の領域を画素領域２とし、画素領域２のサイズは５インチ以下であり、接続部３は、画素領域２より外側の周辺領域のうち、画素領域２の４辺のうちの少なくとも１辺の近傍で当該１辺に沿った領域、又は、画素領域２の４つの角のうちの少なくとも２つの角の近傍領域に形成され、対向電極２３は接続部３上にまで伸びて形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な時間的および空間的なコヒーレンスを有し、高い実装密度を有する、バイスペクトル検出器を提供する。
【解決手段】第1の導電型の上側半導体層１８および下側半導体層１４のスタックであって、上側層１８および下側層１４の間の電位バリアを形成する中間層１６によって分離される、スタックと、第2の導電型の上側半導体領域６８および下型半導体領域６６であって、半導体領域６６が、少なくとも部分的に、上側層および中間層を通過する開口２２の底部に位置する、半導体領域６６，６８とからなる。上側層と下側層の少なくとも1つの上面が、半導体層６６，６８で全体が覆われる。半導体層６６，６８を形成するために、スタックの上面から、かつ半導体層６６，６８の少なくとも厚みを通って、各単位検出要素の周囲で切り欠き６２が作られ、半導体層６６，６８が、半導体層１８，１４の一方またはもう一方の全体を覆う。 （もっと読む）

【課題】バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２の電磁波スペクトルを吸収し、バリアを形成する中間層（１６）によって離される第１導電型の上部（１８）及び下部（１４）の半導体層と、上部（１８）及び下部層（１４）に注入され、それぞれが上部層（１８）及び中間層（１６）を通り抜ける開口部（２２）の底部に少なくとも部分的に注入される第２導電型の半導体区域（４４）と、半導体区域（４４）に接続された導体要素（２８，３０，３２，３４）と、を備えるバイスペクトル検知器を提供する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の出力信号に外乱出力が含まれることが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子が複数形成され、半導体基板における受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して、透光用の開口部が形成された光センサであって、ある受光素子に対応する開口部から入射した光が、それと隣接する受光素子に入射することを妨げる遮光部を有し、遮光部は、互いに隣接する開口部の対向領域を跨ぐように、透光膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線吸収半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の放射線吸収半導体ウェハーの製造方法は、複数の一時的な短いレーザーパルス、例えば、フェムト秒パルス、で、シリコン基板、例えば、ｎドープされた結晶シリコン、の少なくとも一つの表面の位置を照射し、同時に、電子供与性の成分を有する、例えば、ＳＦ₆のような物質にその位置を露出させて、所定の濃度の電子供与性の成分、例えば、硫黄、を組み込んだ実質的に不規則な表面層（すなわち、ミクロ構造化された層）を生み出す。基板は、表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された高温で、所定の期間に亘って、焼き鈍しされる。例えば、基板は、ほぼ５００Ｋからほぼ１０００Ｋまでの範囲内の温度で焼き鈍しされてよい。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】不要なノイズ成分の発生を抑制し、高精度な距離検出を行なうことが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備えている。フォトゲート電極ＰＧは、光入射面１ＦＴ上に設けられる。第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、フォトゲート電極ＰＧに隣接して設けられる。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から裏面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】光の左右比が飽和することが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板に複数の受光素子が形成され、受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して透光用の開口部が形成されている。上記形成面に沿う仮想直線に対して線対称となるように、一対の受光素子が半導体基板に形成され、これら一対の受光素子に対応する一対の開口部が、仮想直線に対して線対称となるように遮光膜に形成されており、一対の受光素子それぞれは、仮想直線の一方から他方に向って、中央がへこんだ凹形状を成し、その横幅が、一端から他端に向うにしたがって太くなっている。そして、形成面に交差する光によって、形成面に投影した、一対の開口部それぞれの少なくとも一部が、対応する受光素子、及び、その受光素子の両端を結ぶ線によって囲まれた領域に位置する。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】センサアレイ基板、これを含む表示装置およびこれの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセンサアレイ基板は、基板と、前記基板上のゲート配線およびデータ配線が交差して定義される複数の画素領域および前記複数の画素領域上に形成される複数の第１センサ部および複数の第２センサ部を含み、前記複数の第１センサ部は赤外線波長帯の光を感知し、前記複数の第２センサ部は可視光線波長帯の光を感知し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第１センサ部は第１ユニットを形成し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第２センサ部は第２ユニットを形成し、前記第１ユニットと前記第２ユニットが前記データ配線方向およびゲート配線方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】吸光効率が高いフォトダイオードアレイ、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板２の一の面側に、透明陽極１１を形成する。受光することによって励起されて蛍光する蛍光材料を含有した絶縁層を、透明陽極１１を覆うように形成する。絶縁層上の複数の位置に、絶縁層を溶解する溶媒と光吸収用組成物とを含有するインクを塗布する。インクが絶縁層を溶解した後に、インクの溶媒を蒸発させて、透明陽極１１と接触するように光吸収用組成物の層である受光部１３を形成する。溶解せずに残存した絶縁層は、複数の受光部１３の各々を絶縁する隔壁２１となる。受光部１３の表面側に、反射陰極１５を形成する。 （もっと読む）