【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】重量バランス用の構造体を付加させることなく、ツームストーン現象の発生を抑制し、位置精度を維持しながらのはんだ付けを可能とさせるチップ型側面受発光装置を提供する。
【解決手段】チップ搭載用支持基板上に光半導体素子を搭載し、該光半導体素子をモールド封止してなる表面実装用側面受発光型光半導体装置において、発光面あるいは受光面側とその背面側で電極を分離し、発光面あるいは受光面側の電極に比較し、背面側電極の熱容量を大きくした。 （もっと読む）

【課題】 比較的単純な回路構成により明るさが全く異なる環境で人が移動したことを容易且つ確実に検出することのできる光学モーションセンサーを提供する。
【解決手段】 受光素子15と電圧一定化回路21とを直列に接続し、受光素子15と電圧一定化回路21との接続点を微分増幅回路31及びパルス成形回路37を介して信号出力端子39に接続した回路構成とし、前記電圧一定化回路は、エミッタ接地のトランジスタと、該トランジスタのベース・エミッタ間に挿入されるコンデンサと、このトランジスタのベース・コレクタ間に挿入される抵抗器とで構成され、前記トランジスタのコレクタが前記受光素子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板に支持される光電変換ユニットと、前記基板に隣接した絶縁体とを含むイメージセンサー画素を提供する。
【解決手段】前記画素は、一部が空気界面を有するように、前記絶縁体の開口内にあるとともに前記絶縁体の上に延びている縦列接続式光導波路１３０，１１６を含む。前記空気界面は、前記縦列接続式光導波路の内部反射を改善する。前記縦列接続式光導波路は、隣り合ったカラーフィルター同士の間に空隙を有する自己整合カラーフィルター４３０を含んでもよい。空隙が透明な封止膜によって上方から封止されもよい。前記透明な封止膜は、前記凹面を渡って前記空隙に入る光を前記空隙から離れ隣接するカラーフィルターに発散させるように、前記空隙の真上に凹面を備えもよい。さらに、一対のカラーフィルターの間にある支持壁の一部は、カラーフィルターを保持するために、首の形が形成されるように上方が下方よりも大きい幅を有してもよい。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善した光電変換素子を提供する。
【解決手段】
基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】アバランシェ効果を利用した光検出器の温度特性を安定化させる。
【解決手段】電流増幅率の温度特性がアバランシェフォトダイオード１０と略同じであり、逆バイアスされた参照用接合構造と、参照用接合構造に参照電流を注入する順バイアスされた電流注入用接合構造とを有するアバランシェトランジスタ１２とを備え、参照用接合構造において増幅される参照電流の増幅率を所定値に保つようにアバランシェフォトダイオード１０と参照用接合構造とに印加する電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】 軽量で信頼性が高く、紫外線から赤外線までの広い波長帯域に感度を有する広波長帯域光検出器アレイを安価に提供する。
【解決手段】 シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。異なった波長に対応する同一光路上の複数の光検出器の出力を独立にかつ同時に検出することにより、スペクトル情報を位置ずれ、時間ずれなしに取得する。 （もっと読む）

【課題】高い加工精度が要求される大きさまで小型化することなく、ＧＨｚ帯の高周波信号に応答可能な超高速薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。キャリアが走行する薄膜導電層は、素子の表面に沿う金属層であるので、キャリアは薄膜金属層内を高速移動する。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する表示装置において、フォトセンサへの入射光の強度にかかわらず、高精度の撮像を行うことを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルを有し、フォトセンサにより入射光を測定し、入射光に応じてフォトセンサの感度を変更して撮像を行う機能を有する表示装置を提供する。入射光が暗いときにフォトセンサの感度を上げて撮像の精度を向上することで、接触の誤認識の防止や鮮明な画像取り込みを行う。 （もっと読む）

開示は、第１の位置と第２の位置との間の通信リンクの達成に使用する適用を有し、第１の位置は通信される入力データを受け入れる電気的駆動回路を有し、および第２の位置は入力データを表現する出力データを生成するための電気的受信回路を有する。方法は、以下のステップを含む。前記第１の位置に傾斜荷電発光素子を提供し、前記傾斜荷電発光素子によって生成された光が入力データの関数となる前記駆動回路と結合すること、前記第１の位置と前記第２の位置との間に光ファイバを提供すること、前記傾斜荷電発光素子からの光を前記光ファイバ内に結合すること、および前記第２の位置に前記光ファイバと前記受信回路と結合した光検出器を提供することを含み、前記入力信号を表す電気信号は、前記受信回路から出力される。 （もっと読む）

【課題】入射光により生じる電流の広いダイナミックレンジを確保しつつ、出力電流の温度変動を低減可能な光センサ回路を提供する。
【解決手段】入射光を電流に変換可能な受光素子を有する電流源と、前記電流源の他方の端部に接続されたコレクタと第２の端子に接続されたエミッタとを有する第１のトランジスタと、前記第２の端子側に接続されたエミッタであってエミッタ面積が前記第１のトランジスタのエミッタ面積よりも広いエミッタを有する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの前記エミッタと前記第２の端子との間に介挿され、温度係数が正となる第１の抵抗と、を有する第１のカレントミラー回路と、第１の端子側に接続されたエミッタであって第３のトランジスタのエミッタ面積以上のエミッタ面積を有するエミッタを有する第２のカレントミラー回路と、を備える。 （もっと読む）

光感知装置は、光経路における可視光を阻止するための第１のフィルタを有する。又、光感知装置は、第１のフィルタの後に光経路における光を検出するために第１のカラーセンサ及びクリアセンサも有する。光強度計算器は、光経路における可視光の強度の尺度を、（ａ）第１のカラーセンサの出力信号と（ｂ）クリアセンサの出力信号との間の差に基づいて計算する。他の実施形態も説明され請求される。 （もっと読む）

【目的】本発明は、半導体光電子素子及びクワッドフラットノンリード（Quad Flat Non-leaded/QFN) 光電子素子、特には電磁干渉を遮蔽することができる半導体光電子素子及びクワッドフラットノンリード光電子素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体光電子素子は、基板、コントロールチップ、光センサチップ及びモールドコンパウンドを含む。コントロールチップは、前記基板上に配置され、基板と電気的に接続する。光センサチップは基板上に配置され、基板及びセンサチップと電気的に接続する。モールドコンパウンドは、コントロールチップを覆い、モールドコンパウンドの材質は絶縁材料であり、かつ絶縁材料に導電しない透磁材料がドープされる。 （もっと読む）

【課題】従来技術では長期間の経時変化に対応できず、また薄膜トランジスタの照度を測定するためのフォトセンサとして利用する場合、精度が低くすぎフォトセンサとして使用は困難であった。薄膜トランジスタの照度を測定するためのフォトセンサを利用する場合に、長期間に渡る経時変化を１％以下に抑え、小型高精度かつフォトセンサの出力の調整が出来るフォトセンサ回路及び液晶モジュールを提供する。
【解決手段】フォトセンサのソース電極に交流電圧を印加して、ソース電極からドレイン電極に向かって流れる電荷と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極からソース電極に向かって流れる電荷が、ほぼ等しくなるように駆動するようにした。また、それに伴い薄膜トランジスタが有する光感度及び光応答性の個体差を修正する機構を加えた。 （もっと読む）

【課題】低い印加電圧で高い増倍率があげられる光電流倍増素子を得る。
【解決手段】対向する一対の電極２，５と、一対の電極２，５間に設けられる光導電性半導体層３と、光導電性半導体層３と一対の電極の少なくとも一方５との間に設けられる、弁作用のある遷移金属の酸化物からなる薄膜層４とを備え、薄膜層４の厚みが２ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイスを提供する。
【解決手段】光電子デバイスは半導体材料からなる基板（６，７）と基板上または内に配置されたスマートピクセルのアレイとを含む。各スマートピクセルは有機発光材料の少なくとも一層（１２）を含み、さらに基板から隔てた側の上で有機層と接触する光透過電極（１３）を含んでいる。スマートピクセルは画像の感知、処理、通信およびディスプレイを含む機能の範囲の一つ以上を可能とする。 （もっと読む）

【課題】外光の影響を受けずに安定して光電変換できようにすること。
【解決手段】指２６が遮光性の対向基板１０６上に無い場合、遮光壁１０２の外側から出射したバックライト光２４は反射膜１０４で反射され、反射光２８としてセンサＴＦＴ１００で光電変換されるが、指２６の押し上げ力によって対向基板１０６及び反射膜１０４が変形されると、遮光壁１０２によって遮光されて、センサＴＦＴ１００では光電変換されない。従って、外光の影響を受けずに安定して光電変換／非光電変換の出力を得ることができる。そして、その出力に基づいて、指２６の有無を判別可能となる。 （もっと読む）