【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。
【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部１０とを含み、吸収部１０に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部１０が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部１１および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の工程数の増大を抑制しつつ、受光面での反射光に起因するノイズが抑制される半導体受光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】半導体入射光の光軸に対して法線方向が斜交して配置される受光面と、該受光面との交差稜線に対して対称的に形成される傾斜面と、を有するとともに、該入射光を受光して電気信号に変換する受光素子部、を複数備える、半導体受光素子であって、１の前記受光素子部への入射光の光軸と、該入射光が該受光面で反射してなる反射光の光軸とからなる入射面が、該反射光の進行方向側で、少なくとも他の１の前記受光素子部への入射光の光軸と交差しないように、該他の１の受光素子部が配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来のエピ構造に断面Ｖ型の分離溝を追加形成することで光学的クロストークを抑制可能な受光素子アレイを提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１は、第１導電型の半導体基板２と、この半導体基板２の表面側に形成した第１導電型の受光層４と、この受光層の表面側に形成した第１導電型の窓層５と、この窓層を貫通して受光層の表面側に突入する状態に形成され且つ１次元的または２次元的な配列として離隔状に形成された複数の第２導電型領域６と、これら複数の第２導電領域６の表面の少なくとも一部に夫々設けた複数の第１電極７と有し、複数の第２導電型領域６からなる複数のアレイが形成する複数のアレイ間領域に、少なくとも前記窓層５と受光層４を貫通する深さの表面側に開放された断面Ｖ型の第１分離溝１０を夫々設けている。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】 バイアスＴを用いなくても、受光素子に印加するバイアスに変調信号を付加でき、小型かつ低コストの、変調バイアス動作可能な受光装置等を実現できる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子は、導電性半導体基板６、光信号を電気信号に変換する半導体層から形成された受光部、前記受光部で変換した電気信号を外部に取り出す電気信号取出用電極（２、３）および変調信号入力用電極５を有し、
前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）が、基板６の上に形成され、
変調信号入力用電極５が、基板６の上の前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）とは別の場所に、電気信号取出用電極（２、３）と絶縁状態で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明のフォトダイオードは、第1の型の導電性を有する半導体の第1および第2の層(1、3)の間に設けられる中間層(2)を含む、3つの層のスタック、ならびに、少なくとも中間層(2)および第2の層(3)と接触し、3つの層(1、2、3)の平面に対して横断方向に延在する領域(4)を含み、前記領域(4)は、第1の型の導電性と反対の第2の型の導電性を有する。中間層(2)は、第2の型の導電性を有する半導体材料で作製され、前記領域(4)とP-N接合を形成するために、第2の型の導電性から第1の型の導電性への、中間層(2)の導電性の型の反転が、第1および第2の層(1、3)内の第1の型の導電性のドーパントにより引き起こされる。
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【課題】平面光回路上に付加的な部品を用いずに直接搭載しても使用可能な、高受光感度と低反射特性とが両立した受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子は、基板の表面に形成され光を吸収する受光部と、基板の側面から入射した光を受光部の方向に反射する反射部とを備える。基板の表面に平行な断面において、反射部の反射面は側面に対して傾斜している。こうした構成により、高受光感度と低反射特性とを両立させることが容易な受光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係るイメージセンサは、半導体基板上に形成される素子分離膜、トランジスタ領域及びフォトダイオード領域と、フォトダイオード領域に形成された複数のホールとを備える。フォトダイオード領域に形成されたホールは、半導体基板にトレンチ形状に形成されていてもよい。また、フォトダイオード領域に形成されたホールは、円形または角形の表面形状を有していてもよい。 （もっと読む）

シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造体に形成された比較的薄い（すなわちサブミクロンの）シリコン光導波路と共に使用される光検出器は、シリコン光導波路に沿って伝搬する光信号の少なくとも一部分と結合するように配設されたポリゲルマニウムの層を含む。この導波路構造体内に光信号をしっかりと閉じ込めることによって、ポリゲルマニウム検出器へ効果的にエバネセント結合することが可能となる。このシリコン光導波路は任意の所望の形状を取ることができ、ポリゲルマニウム検出器は導波路の一部分を被覆するか、または導波路の端部部分とバット・カップリングされるように形成される。導波路の一部分を被覆する場合、ポリゲルマニウム検出器は、検出器の両端にコンタクトが形成された状態で、光導波路の側面および上面を被覆する「巻き付け」形状を含み得る。
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【課題】イメージセンサチップに占める受光領域を最大限確保することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１基板（１０１）に配置された受光素子と第２基板（２００）に配置された周辺回路とが、３次元構造に集積されたイメージセンサであって、第１基板（１０１）及び第２基板（２００）が、それぞれの前面に配置されたボンディングパッド（１１１Ａ〜１１１Ｃ、２０６Ａ〜２０６Ｃ）を介して接合され、前記第１基板（１０１）の背面の最上部にマイクロレンズ（１１４）を備える。 （もっと読む）