【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう影響を排除する。
【解決手段】アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 （もっと読む）

【課題】バイパスコンデンサと受光素子との間の配線長を短く揃えることが可能な受光デバイスを提供する。
【解決手段】受光デバイス１Ａにおいて、光分岐部１２、受光素子部１３ａ〜１３ｄ、及びキャパシタ１４ａ〜１４ｄは、共通の光導波路基板１０に形成されている。信号増幅部５０Ａ，５０Ｂの信号入力用電極パッド５１ａ〜５１ｄ、及び受光素子部１３ａ〜１３ｄは、光導波路基板１０の端縁１０ｂに沿って配置されている。受光素子部１３ａ〜１３ｄの信号出力用電極は、信号入力用電極パッド５１ａ〜５１ｄにワイヤボンディングされている。キャパシタ１４ａ〜１４ｄは、受光素子部１３ａ〜１３ｄに対し並んで配置されており、それらの基準電位側電極パッド１８ａ〜１８ｄと、信号増幅部５０Ａ，５０Ｂの基準電位用電極パッド５２ａ，５２ｃ，５２ｄ及び５２ｆとが互いにワイヤボンディングされている。 （もっと読む）

【課題】二色性フォトダイオードおよび二色性光検出のための方法を提供する。
【解決手段】広バンドギャップ接合は、第１光スペクトルを検出するよう動作可能な格子整合接合を含む。狭バンドギャップ接合は、広バンドギャップ接合に結合されており、かつ、フォトダイオード構造を含む。狭バンドギャップ接合は、第２光スペクトルを検出するよう動作可能である。 （もっと読む）

【課題】プロセスばらつきによる色分離特性への影響を軽減することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により得られる信号を出力する第１導電型の第１半導体層及び第３半導体層と、電位供給手段から電位が供給される第２導電型の第２半導体層及び第４半導体層とを有し、第１半導体層と第２半導体層と第３半導体層と第４半導体層とが順に並んで配された光電変換装置にて、第２半導体層と第４半導体層とを電気的に分離し、第２半導体層に供給される電位と第４半導体層に供給される電位とは互いに独立して制御されるようにして、互いの第２導電型の半導体層の電位を独立に制御し、プロセスばらつきによる色分離特性への影響を軽減できるようにする。 （もっと読む）

【課題】各受光素子へ光が一様に照射されるか否かに拘らず、各分光特性の検出結果に偏りや感度のばらつきを生じることなく、照度の測定を行う。
【解決手段】受光素子ＰＤ１・ＰＤ２を備え、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、互いに異なる分光特性Ａ・Ｂから１つの分光特性が設定されるように構成され、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、照度の測定時に、互いに異なる分光特性となるように、分光特性Ａ・Ｂが順次切り替えて設定される。 （もっと読む）

【課題】耐電源ノイズ特性を維持しながら光結合装置に使用される半導体チップを縮小化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、光結合装置は、第一のフォトダイオード、第一の反転増幅器、第二のフォトダイオード、第二の反転増幅器、及びコンパレータが設けられる。第一のフォトダイオードの第一の接合容量及び第一の反転増幅器の第一の帰還抵抗の積と、第二のフォトダイオードの第二の接合容量及び第二の反転増幅器の第二の帰還抵抗の積とが同一の値に設定され、第一の接合容量が第二の接合容量よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードアレイに印加する逆バイアス電圧の推奨動作電圧を容易に且つ精度良く決定することが可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを有する。高電圧発生部２０は、フォトダイオードアレイ１０に印加する直流電圧を生成する。電流検出部３０は、フォトダイオードアレイ１０に流れる電流を検出して、電流モニタ信号を生成する。制御部６０は、生成する直流電圧を変化させるように高電圧発生部２０を制御すると共に、電流検出部３０にて生成された電流モニタ信号に基づいて、フォトダイオードアレイ１０に印加する直流電圧の変化に対するフォトダイオードアレイ１０に流れる電流の変化における変曲点を求め、該変曲点での直流電圧に基づいて推奨動作電圧を決定する。 （もっと読む）

【課題】光の左右比の検出精度の低下が抑制された光センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）に受光素子（２０）が形成され、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、遮光膜（４０）に透光用の開口部（５０）が形成された光センサであって、仮想直線（ＶＬ）を介して線対称の関係にある一対の受光素子（２１，２２）及び一対の開口部（５１，５２）を有し、形成面（１０ａ）に直交する高さ方向に沿う光を、開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に照射した際に、一対の受光素子（２１，２２）から出力される出力信号に基づいて、高さ方向に沿う光が開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に入射した際に出力される一対の受光素子（２１，２２）の出力信号が互いに一致するように、各出力信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】低照度から高照度までの入力に対してリニアな出力を得ることが可能であるとともに、フォトダイオードの出力電流の温度依存性を補正することができる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ（１）において、第１のアナログ−デジタル変換回路（１１）に、第１のフォトダイオード（ＰＤ１）の出力電流の温度依存性を補正する温度係数を有する抵抗を備えた第１の基準電流源が備えられ、第２のアナログ−デジタル変換回路（１２）に、第２のフォトダイオード（ＰＤ２）の出力電流の温度依存性を補正する温度係数を有する抵抗を備えた第２の基準電流源が備えられ、第１の基準電流源を用いて出力された第１の検出結果（ＡＤＣＯＵＴ１）と、第２の基準電流源を用いて出力された第２の検出結果（ＡＤＣＯＵＴ１）とから、第２のフォトダイオード（１２）による可視波長域の受光強度を検出することによって照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】特定の波長域の光を選択的に、高感度に検出することができる光検出装置及びこれに用いる光学フィルターを提供する。
【解決手段】支持基板上に２つの受光素子が形成されている。第１の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、光吸収半導体層、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。第２の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、透過膜、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。光の吸収域がない透過膜は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。第１の受光素子の検出信号と第２の受光素子の検出信号を演算することにより、波長範囲λの光量を計測する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。第１導電型の領域は、第１の半導体領域と複数の第２の半導体領域とを有する。第１の半導体領域は、Ｓｉを主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、第１の半導体領域の上に島状に配されている。 （もっと読む）

【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第２の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 （もっと読む）

【課題】周波数特性に優れた光受信モジュールを提供する。
【解決手段】光受信モジュール１００は、バイアス電圧が印加されることにより信号光を電気信号に変換するＰＤ素子１と、バイアス電圧の変動を抑制するためのコンデンサ（３ａ〜３ｄ）と、ＰＤ素子１から出力された電気信号を増幅する増幅回路（２ａ，２ｂ）と、ＰＤ素子１とコンデンサ（３ａ〜３ｄ）との間に接続されて、増幅回路（２ａ，２ｂ）の入力端で生じる反射による共振を減衰させる抵抗器（５ａ〜５ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジが広く、かつ温度依存性が低減された光センサおよび、この光センサを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】光センサは、蓄積ノードと、リセット信号配線と、読み出し信号配線と、光検出用素子と、遮光層を有する参照用素子と、リセット信号が供給されてから読み出し信号が供給されるまでのセンシング期間に、光検出素子を流れる光量に応じた電流および参照用素子に流れる電流に応じて変化した蓄積ノードの電位を、読み出し信号にしたがって読み出し出力する、第１のスイッチング素子と、蓄積ノードと参照用素子との間に設けられ、読み出し信号供給時に蓄積ノードの電位が参照用素子の蓄積ノードとは反対側の電位より高くなった場合に、蓄積ノードと参照用素子との間を非導通状態にする第２のスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】光分岐素子を用いることなく半導体光増幅器への入力光信号のパワーをモニタし得る光受信モジュールを提供する。
【解決手段】光受信モジュールでは、半導体光増幅器が、入力光信号を増幅する。光受信器が、半導体光増幅器からの増幅光信号の大きさに応じた電気信号を発生する。第１の演算装置が、光受信器からの電気信号に基づいて、半導体光増幅器に与えるバイアス電流値と半導体光増幅器の温度を算出する。駆動装置が、第１の演算装置によって算出されたバイアス電流値及び温度を半導体光増幅器に対して設定する。記憶手段が、バイアス電流値と温度に対応する半導体光増幅器の利得と雑音指数のデータを記憶している。第２の演算装置は、記憶手段から駆動装置によって設定されるバイアス電流値及び温度に対応するデータを取得し、当該データと光受信器の電気信号とに基づいて、半導体光増幅器への入力光信号のパワーを算出する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ダイナミックレンジを広くすることができる光センサを提供する。
【解決手段】光センサは、光検出素子と、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）に対して電位差ΔＶ＿ＲＳＴ（Ｖ１）の第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）を発生させるパルス信号を、リセット信号として供給するリセット信号配線と、読み出し信号を供給する読み出し信号配線と、センシング期間（Ｔ１）に、光検出素子が受光した光量に応じて電位が変化する蓄積ノードと、蓄積ノードの電位変化に応じた信号を、出力配線へ読み出すセンサスイッチング素子とを備える。リセット信号配線では、センシング期間の少なくとも一部において、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）と第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）との間の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】赤外線イメージセンサの各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってＳ／Ｎ比が低下してしまうのを防止できるようにする。
【解決手段】赤外線撮像装置を、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイ４と、各赤外線検知素子に赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部２と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に各赤外線検知素子に入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部２によって各赤外線検知素子に照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、各赤外線検知素子によって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部２によって各赤外線検知素子に照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から各赤外線検知素子に入射した赤外線の強度を求める制御演算部３とを備えるものとする。 （もっと読む）