【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換機能を有するｐｎ接合の逆方向電流がショットキ接合の逆方向電流ほど大きくならない技術を提供をする。
【解決手段】光電変換機能を有するｐｎ接合と電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、電界効果トランジスタのソースが接続されているｐｎ接合の１方の半導体領域が他方の半導体領域に対してゼロまたは逆バイスとなる電位となった場合に、電界効果トランジスタが導通するゲート電位を供給することにより、２つの異なる導電型の半導体領域のいずれかに光が照射されても、ｐｎ接合が深い順方向電圧にバイアスされないよう飽和制御する。 （もっと読む）

【課題】待機時の消費電力を抑えるとともに、比較的広いダイナミックレンジを確保することができる光受信器を提供する。
【解決手段】受光素子３１のカソードに、カレントミラー回路３３の入力側トランジスタ５１とバイパスコンデンサ３４とを接続し、受光素子３１のアノードに、ＴＩＡ４２の入力端子を接続する。カレントミラー回路３３の出力側トランジスタ５２に、第１抵抗３５とパッシブフィルタ回路３６とを接続し、パッシブフィルタ回路３６に比較器３７の反転入力端子を接続する。比較器３７の非反転入力端子に基準電源４４を接続し、出力端子に第２抵抗３８を介して第１ＦＥＴ４１のゲートを接続する。第１ＦＥＴ４１のドレインに、ＴＩＡ４２の電源端子と第２ＦＥＴ４１のゲートとを接続する。ＬＩＡ４３の電源端子に第２ＦＥＴ４１のドレインを接続し、入力端子にＴＩＡ４２の出力端子を接続する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧範囲を広げることが容易なトランスインピーダンスアンプおよび受光回路を提供する。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、カレントミラー回路と、第２のＭＯＳトランジスタと、負荷と、第１帰還抵抗と、を有する。前記第１のＭＯＳトランジスタは、フォトダイオードが接続されるゲート端子を有する。前記カレントミラー回路には、前記第１のＭＯＳトランジスタからの出力電流が入力される。前記第２のＭＯＳトランジスタは、前記カレントミラー回路の出力端子の電圧が入力されるゲート端子を有し、ソース接地とされ、前記第１のＭＯＳトランジスタの極性と同じ極性を有する。前記負荷は、前記カレントミラー回路の前記出力端子に接続される。第１帰還抵抗は、前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子と、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン端子と、の間に接続される。前記第２のＭＯＳトランジスタは、前記ゲート端子電圧に対応した電圧を前記ドレイン端子から出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光源から放射された入射光の微小な変位を測定するにあたり、出力信号のＳ／Ｎを向上させるとともに、回路構成を小型化することができる光学式変位測定装置を得る。
【解決手段】受光面が光に対して不感なギャップを介して複数の領域に分割された４分割フォトダイオード１０に対して、光源から放射された入射光を入射させ、４分割フォトダイオード１０のフォトダイオード１１Ａ〜１１Ｄからの出力を増幅し、増幅された出力の変化に基づいて、４分割フォトダイオード１０に対する入射光の相対的な変位を測定する光学式変位測定装置であって、４分割フォトダイオード１０のフォトダイオード１１Ａ〜１１Ｄには、それぞれ入射光によって出力を生じない不感領域１２と、入射光によって出力を生じる感光領域１３とが形成され、４分割フォトダイオード１０全体について、不感領域１２は、感光領域１３に囲まれているものである。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜１５と、導電性膜１１と、透明導電性膜１５と導電性膜１１との間に配置された光電変換層１２および電子ブロッキング層１６Ａとを有する光電変換素子１０ａであって、光電変換層１２が、ベンゼン環を少なくとも５個以上含み、総環数が７個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からＲａ₁〜Ｒａ₉の少なくとも１つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点（Ｔｇ）が２００℃以上である化合物Ａを含有する。 （もっと読む）

【課題】複数の受光部間での高周波特性のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光受信モジュール１は、多芯ファイバ８１からの複数の信号光を同時に受光可能な光受信モジュールであって、信号光を受光するアレイ状に配列された複数の受光部１１ａ〜１１ｄを有し、複数の受光部１１ａ〜１１ｄで受光した信号光に基づいて電気信号を出力する受光素子１０と、複数の第１導電部材４１ａ〜４１ｄと、チップコンデンサ３０ａ〜３０ｄとを備える。各受光部１１ａ〜１１ｄの受光面積は、受光部１１ａ〜１１ｄと接続された第１導電部材４１ａ〜４１ｄの寄生インダクタンスに対応している。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】光センサにおいて、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、製造コストを低減し、取付け対象の電気機器のデザイン性を損ない難くする。
【解決手段】光センサ１は、分光感度が異なる受光素子２ｖ、２ｉと、受光素子２ｖ、２ｉによる検出信号をそれぞれ増幅する増幅回路３ｖ、３ｉと、増幅回路３ｖ、３ｉによりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算回路４とを備える。増幅回路３ｖ、３ｉは増幅率が調整可能であり、演算回路４は演算内容が変更可能である。上記増幅率の調整と上記演算内容の変更とにより、検出対象の光の波長領域を２つの波長領域に切り替えることができる。従って、２種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、各種構成部品を共通化できる。そのため、製造コストを低減でき、また、電気機器に取り付けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードアレイに印加する逆バイアス電圧の推奨動作電圧を容易に且つ精度良く決定することが可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを有する。高電圧発生部２０は、フォトダイオードアレイ１０に印加する直流電圧を生成する。電流検出部３０は、フォトダイオードアレイ１０に流れる電流を検出して、電流モニタ信号を生成する。制御部６０は、生成する直流電圧を変化させるように高電圧発生部２０を制御すると共に、電流検出部３０にて生成された電流モニタ信号に基づいて、フォトダイオードアレイ１０に印加する直流電圧の変化に対するフォトダイオードアレイ１０に流れる電流の変化における変曲点を求め、該変曲点での直流電圧に基づいて推奨動作電圧を決定する。 （もっと読む）

【課題】光受信回路において、チップ実装に要する工程を削減しつつ、良好な周波数特性を得る。
【解決手段】受光素子１１と接続されるＴＩＡチップ２０の上面に形成されたグランドバッド２４を、ボンディングワイヤ５４を介して、ＰＤサブマウント１０の上面に形成されてグランド電位と接続されているグランドバッド１４と接続する。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板４０内の表面にフォトダイオード４２を有する画素領域１０と、前記画素領域とその周辺に配置された周辺回路領域２０との間に配置され、前記半導体基板内の表面に前記フォトダイオードと機能が異なる画素を有する非画素領域と、を具備し、前記非画素領域における前記半導体基板内で、かつ前記画素の下方に空洞４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】受信感度特性を改善することができる光受信装置を得る。
【解決手段】受光素子１が電気信号を出力し、それを前置増幅器２が増幅する。前置増幅器２の出力に信号線路４，５が接続されている。信号線路４，５とＧＮＤとの間に抵抗６及びキャパシタ７が直列に接続されている。この抵抗６及びキャパシタ７の直列回路を追加することにより、ピーキングが抑えられた周波数応答特性を得ることができる。この結果、受信感度特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】昇華精製に適さない有機材料を、純度を低下させることなく、長時間安定して連続蒸着させる方法を提供すること。
【解決手段】昇華精製による精製ができない有機材料を蒸着製膜して得られる膜であって、該有機材料と該有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い沸点又は昇華点Ｔ_１を有する化合物（Ａ）とを含有する蒸着用材料を用い、前記蒸着用材料を、第１加熱により、前記化合物（Ａ）の沸点又は昇華点Ｔ_１より高く、かつ前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い温度Ｔ_２まで昇温後、該温度Ｔ_２に維持し、該第１加熱の後に、第２加熱により、前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３以上、前記有機材料の分解温度以下の温度まで昇温後、該温度に維持して前記有機材料の蒸着製膜を行うことにより得られる膜。 （もっと読む）

【課題】低照度から高照度までの入力に対してリニアな出力を得ることが可能であるとともに、フォトダイオードの出力電流の温度依存性を補正することができる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ（１）において、第１のアナログ−デジタル変換回路（１１）に、第１のフォトダイオード（ＰＤ１）の出力電流の温度依存性を補正する温度係数を有する抵抗を備えた第１の基準電流源が備えられ、第２のアナログ−デジタル変換回路（１２）に、第２のフォトダイオード（ＰＤ２）の出力電流の温度依存性を補正する温度係数を有する抵抗を備えた第２の基準電流源が備えられ、第１の基準電流源を用いて出力された第１の検出結果（ＡＤＣＯＵＴ１）と、第２の基準電流源を用いて出力された第２の検出結果（ＡＤＣＯＵＴ１）とから、第２のフォトダイオード（１２）による可視波長域の受光強度を検出することによって照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】過大光が入射しても故障しない積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、基板１０上方の光電変換部Ｐと、光電変換部Ｐで発生した電荷に応じた信号を読みだす回路Ｓとを含む画素１０１を複数有する。回路Ｓは、基板１０内に形成され画素電極２１に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部１０と、電荷蓄積部１０の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ３２とを含む。電荷蓄積部１０は、画素電極２１と電気的に接続される電荷蓄積領域１１と、領域１１の隣に離間して形成される電荷蓄積領域１３と、領域１１と領域１３とを、断面ポテンシャルにおいて、所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する領域１２とにより構成され、出力トランジスタ３２は領域１３の電位に応じた信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】回路層に対するＩａ族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層２０は、基板１０の面上に形成されてトランジスター１２を含む。光電変換素子１４は、第１電極４１および第２電極４２との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層４３を含む。供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。光電変換層４３に対するＩａ族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層３２は、供給層３４と回路層２０との間に形成されて回路層２０に対するＩａ族元素の拡散を防止する。 （もっと読む）