【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、食品の品質を高感度で検査することができる食品品質検査装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、画素に短絡や接続不良（オープン）を生じない、検出装置等を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０と、これらの間に介在する接合バンプ９と、受光素子アレイおよびＣＭＯＳのグランド電極１２，７２どうしを接続する接続部材２１とを備え、受光素子アレイのグランド電極１２は、画素領域４５の外側４７において、段の底面をなす化合物半導体層２にオーミック接触しており、接続部材２１は、受光素子アレイのグランド電極１２とＣＭＯＳのグランド電極７２とに対して直立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 受光感度の偏りが抑制された半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１は、基板１０１上に、光吸収領域１０５を含む半導体層１１０が配置され、さらに、前記半導体層１１０よりも光入射側にレンズ１２０が配置され、前記レンズ１２０は、光入射側に凸面を有し、前記凸面は、中心領域１２１と、前記中心領域１２１を取り囲む外周領域１２２とを有し、前記外周領域１２２は、前記光吸収領域１０５への集光に必要な曲率半径を有し、前記中心領域１２１は、平面であり、前記中心領域１２１から入射した光の前記光吸収領域１０５における光入射面積が、前記光吸収領域１０５の面積以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード間のクロストークを低減するとともに、長波長光に対しても感度を高める。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層２１上に、第１導電型の第２半導体層２２が設けられる。第２半導体層２２における上部に、第２導電型の複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂが設けられる。各第１半導体領域２３ａ，２３ｂを取り囲むように、第２半導体層２２における上部に、第２導電型の第２半導体領域２４が設けられる。不純物濃度が第１半導体層２１及び第２半導体層２２よりも高濃度である第１導電型の複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂが、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂの下方に間隔をあけて、第２半導体層２２中に設けられる。複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 既存の設備を用いて製造することができ、経済性に優れた、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】近赤外域に受光感度を持つ受光素子が複数配列された受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とを備えた検出装置１００であって、受光素子は、化合物半導体のエピタキシャル積層体の表層からｐ型不純物を選択拡散して形成されたｐｎ接合１５を有し、非拡散領域によって隔てられており、ｐ型領域６は、読み出し回路の読み出し電極７１に、接合バンプ９を通じて電気的に接続されており、接合バンプ９が受光素子のオーミック電極を兼ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、隣接画素間に短絡を生じない、検出装置、センサ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 波長１μｍ〜３μｍに受光感度を持つ化合物半導体において受光素子Ｐが複数配列された受光素子アレイ５０と、画素ごとに光電荷を読み出すＣＭＯＳ７０と、受光素子アレイとＣＭＯＳとの間に介在する接合バンプ９と、接合バンプ９と導電接続する、筒体である筒状金属Ｇとを備え、筒状金属Ｇは、受光素子アレイ側およびＣＭＯＳ側のいずれか一方に設けられ、筒状金属Ｇは、接合バンプ９を収容するように位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に感度を持ち、冷却することなく暗電流を抑制することができる、半導体素子および半導体ウエハを提供することを目的とする。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に形成された、単位量子井戸にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０．３８≦ｘ≦０．６８）７およびＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層（０．３６≦ｙ≦０．６２）８を含む多重量子井戸構造を備え、ＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層の中に、またはＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層とＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層との間に、導電帯の底がＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層よりも高い第１のバリア層Ｂ_１が位置し、その第１のバリア層の厚みが０．２ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させた赤外線検出装置を実現する。
【解決手段】赤外線検出装置に、主面部に所定のピッチで所定深さの溝部が形成されたシリコン基板と、前記主面部及び溝部上面に形成され、上記シリコン基板との間でショットキバリアダイオードを形成する白金シリサイド層と、この白金シリサイド層の上面部に形成された反射金属層とを備えることにより、等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高い光検出素子、光検出装置及び赤外線検出素子、赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】入射した赤外線ＩＲを他の波長帯域の光に変換すると共に、他の波長帯域に変換された光を検出する赤外線検出素子１０において、赤外線検出素子１０の受光面に凹凸構造２８を設けると共に、受光面以外の赤外線検出素子１０の外周面を金属膜２４で覆い、凹凸構造２８を透過して、素子内部に入射した光を、金属膜２４で反射すると共に、金属膜２４で反射した光を凹凸構造２８で反射し、他の波長帯域に変換された光を金属膜２４と凹凸構造２８との間で反射し、入射した赤外線ＩＲ及び他の波長帯域に変換された光をセル１１内部に閉じ込めるようにした。 （もっと読む）

【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層９と、活性層９上方に形成された上部電極４と、が設けられている。活性層９には、障壁層２と、障壁層２と格子整合する量子井戸層３と、が設けられている。障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

光検出器は、１つ以上のフォトダイオードと、信号処理回路とを含む。各フォトダイオードは、透明な第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に挿入されるヘテロ接合を含む。各ヘテロ接合は、量子ドット層、および量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層を含む。信号処理回路は、各第２の電極と信号通信状態にある。光検出器は、赤外線、可視、および／または紫外線範囲内の波長に応答してもよい。量子ドット層は、量子ドット層の電荷キャリア移動度を向上させる化学物質によって処置されてもよい。
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本発明は、有機フォトダイオード中の光活性層のための新規な材料、当該材料の使用及び有機フォトダイオードに関する。本発明は、有機光活性色素、即ち、電子供与体成分としての、そして従って、“バルクへテロ接合”のための高分子正孔伝導体に対する代替物としての、供与体置換された芳香族置換基を有するスクアライン、当該有機フォトダイオード中の有機活性層（４）のための材料、を開示している。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電圧信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面が粗面であり、さらに半導体基板の裏面に保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

入射光のための開口部（１６）を備え、倍増層（７）、電界制御層（８）、吸収層（１０）を含む、多数の種々の半導体層を前記開口部から下方に備え、前記吸収層が光を吸収するようになっている表面光入射型アバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）であって、前記開口部から前記吸収層（１０）を通過したフォトンを反射し、前記吸収層に戻すように配置されている少なくとも１つのブラッグミラー（１４）が前記吸収層（１０）の下に存在することを特徴とする、表面光入射型アバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）。
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【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成り暗電流の低減された受光素子及びエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３と、基板３上に設けられた受光層７と、受光層７に接して設けられ、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる拡散濃度分布調整層９と、拡散濃度分布調整層９に接して設けられ、拡散濃度分布調整層９よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、Ｐ元素を含有する窓層１１と、を備え、窓層１１と拡散濃度分布調整層９との接合面から窓層１１内に延びる所定領域内のｎ型のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以上１×１０^１9ｃｍ^−３以下の範囲内にある。 （もっと読む）