【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成る暗電流の低減された半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３ａ上にＳｂ元素を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第１の半導体層２ａを形成する工程と、第１の半導体層２ａを形成した後に、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第２の半導体層１０ａを第１の半導体層２ａ上に形成する工程とを備え、第１の半導体層２ａを形成する工程は、第１の半導体層２ａに含まれており基板３ａとの界面から所定の厚みを有する第１の層の形成を第１の温度のもとで行った後に、第１の半導体層２ａのうち第１の層を除いた第２の層の形成を第１の温度よりも高い第２の温度のもとで行い、第２の半導体層１０ａを形成する工程は、第２の半導体層１０ａに含まれており第１の半導体層２ａとの界面から所定の厚みを有する第３の層の形成を第２の温度のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】 多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の量子井戸を５０ペア以上有する多重量子井戸構造３を形成する工程を備え、その多重量子井戸構造３の形成工程では、全有機金属気相成長法（全有機ＭＯＶＰＥ法）により、多重量子井戸構造を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】低照度から高照度まで様々な明るさの環境下に適した出力特性が得られる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、受光量に応じた電流量の信号を出力する受光部１１と、受光部１１からの電流信号を入力電流信号として増幅する電流増幅部１２と、電流増幅部１２からの電流量に応じた電圧を出力端子Ｖｏから出力電圧として出力する出力電圧生成部１３と、出力電圧生成部１３の出力電圧を監視し、出力電圧が所定電圧以上となったときに作動する電圧監視部１４と、電圧監視部１４が作動することで照度に対する出力電圧の変化を小さくするように出力電圧生成部１３を調整する出力電圧調整部１５とを備えている。この光半導体素子１０は、外部から電源を供給する電源端子と、外部回路へ出力電圧信号を出力する出力端子Ｖｏと、グランド端子とを備えている。 （もっと読む）

【課題】単一または多層のグラフェンが光伝導層である光検出デバイスを提供する。
【解決手段】光検出層として単一または多層グラフェンを用いる光検出器を開示する。異なる電極構成を有する多数の実施形態を開示する。更に、撮像および監視等の用途のために、多数の光検出要素を含む光検出器アレイを開示する。 （もっと読む）

【課題】数１０ｎｍ以下の厚さに薄型化が可能な薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面に第１金属とシリコンが拡散して形成される金属シリサイド層と、シリコン基板の表面の第２金属薄膜層の積層部位に形成される導電薄膜層と、前記金属シリサイド層と前記導電薄膜層との間のシリコン基板の表面付近にシリコンのナノ粒子が拡散して形成されるシリコン拡散部とを備え、シリコン基板との積層方向にショットキー界面が形成される金属シリサイド層若しくは導電薄膜層へ光を照射し、シリコン基板の表面の金属シリサイド層と導電薄膜層間に光誘起電流を発生させる。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子と、光電変換素子とトランジスタまたはダイオードとの少なくとも一方と、をモノリシックに集積化すること、または、ｐ型熱電変換部とｎ型熱電変換部とが干渉を抑制すること。
【解決手段】本発明は、熱電変換を行なう半導体層３８を含む熱電変換素子１００と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層が光電変換を行なう光電変換素子１０２と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層を動作層とするトランジスタ１０４またはダイオードと、の少なくとも一方と、を具備する電子装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非常に薄い半導体層を備えた光検出要素を提供する。
【解決手段】真空中での波長がλ₀ に近い光を検出するための光検出要素は、屈折率がnsであり、厚さがλ₀/4ns 乃至λ₀/20nsの範囲にある半導体層(1) と、該半導体層(1) の一側に設けられており、前記屈折率nsより小さい第１の屈折率を有して前記光を透過させる第１の媒体(3) と、前記半導体層(1) の他側に設けられており、前記屈折率nsより小さい第２の屈折率を有しており、幅がλ₀/nsに略等しい領域(5) を有する第２の媒体(6) と、前記半導体層(1) の他側であって、前記領域(5) の両側に設けられており、前記第２の屈折率より大きい第３の屈折率を有しており、前記第２の媒体(6) と共に反射性界面を形成する第３の媒体(7) とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって、第１の光電変換部と第２の光電変換部との近接、及び第２の光半導体素子に対する気密封止を実現することができる光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出器１では、低抵抗Ｓｉ基板３、絶縁層４、高抵抗Ｓｉ基板５及びＳｉフォトダイオード２０によって、凹部６内に配置されたＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する気密封止パッケージが構成されており、低抵抗Ｓｉ基板３の電気通路部８及び配線膜１５によって、Ｓｉフォトダイオード２０及びＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する電気的配線が達成されている。そして、Ｓｉフォトダイオード２０のｐ型領域２２がＳｉ基板２１の裏面２１ｂ側の部分に設けられているのに対し、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０のｐ型領域３２がＩｎＧａＡｓ基板３１の表面３１ａ側の部分に設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、シリコン基板１を備えている。シリコン基板１は、第１主面１ａ側にｎ⁻型半導体領域３を有し、第２主面１ｂ側にｎ^＋型半導体領域５を有している。ｎ⁻型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ⁻型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ⁻型半導体基板１を準備する。ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ⁻型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。アキュムレーション層１１を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜からなる光吸収層１２と、光吸収層１２上に配置され、化合物半導体薄膜よりも高いバンドギャップエネルギーを有する表面層１４と、表面層１４上に配置され上部電極層１８と、上部電極層１８と対向し、光吸収層１２の裏面に配置された下部電極層１０とを備え、上部電極層１８と下部電極層１０間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜内で光電変換により発生した電荷を検出し、また、衝突電離により光電変換により発生した電荷の増倍を起こさせるフォトダイオードおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る赤外線検出素子１は、基板２と、第１のＰＮ接合部９と第２のＰＮ接合部１０とが交互に並ぶように基板２の一方の側の主面Ａに沿って線状に延在すると共に、主面上で隣り合う部位が溝１５によって仕切られたＰＮ半導体層３と、第１のＰＮ接合部９が一方の側に露出するように第２のＰＮ接合部１０の一方の側に設けられ、第２のＰＮ接合部９を短絡させる中間電極４と、ＰＮ半導体層３の両端部Ｅ１，Ｅ２に設けられ、一方の側からの赤外線の入射によって第１のＰＮ接合部９で発生した電荷による電位の変化を出力するための端子電極５，６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光体に色彩の変化パターンを発光させ、そのパターンでデータを送信するとともに発光体の位置を特定する方法において、データ送信速度の向上を図る。
【解決手段】ＲＧＢの３色を用いて色彩変化パターンを発光させ、その中のＲの波形に、輝度変化明でデータを表す明暗波形を重畳させて送信する。領域の色彩変化はＣＣＤ等を用いて検出し、明暗波形はフォトダイオードなどの光電変換素子を用いて検出する。ＣＣＤは数１０ｆｐｓ程度の頻度で画像データを出力するので、データ速度もこの程度のデータ速度が限界となる。一方、明暗波形を受光する受光素子は一般的には数ＭＨｚ〜数ＧＨｚ程度の周波数を検出できるので、より高速なデータ通信が行える。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ、高速応答性能を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体受光素子１は、入力部１２１と、第一出力部１２２と、第二出力部１２３とを含み、入力部１２１から入力した光を偏光分離せずに、入射光よりも強度の低い光に分岐して、第一出力部１２２、第二出力部１２３から出力する光分波器１２と、第一出力部１２２からの光を伝播させる第一光導波路１３Ａと、第二出力部１２３からの光を伝播させる第二光導波路１３Ｂと、第一光導波路１３Ａの光射出側端面、第二光導波路１３Ｂの光射出側端面に接続された半導体光吸収層１４２とを備える。第一光導波路１３Ａからの光は、第二光導波路１３Ｂからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層１４２に入射する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ⁻型半導体基板１を備えている。ｎ⁻型半導体基板１には、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。ｎ⁻型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム終了直後に過剰なバイアス電圧が発生することを防止し、誤検出を回避することが可能にする。
【解決手段】光子を検出するためのＡＰＤを備えた光子検出器であって、光子到着予定時刻に応じた周期的なゲートパルス３ｃと直流電圧源６からの直流電圧との和をＡＰＤバイアス電圧７ａとしてＡＰＤ８に印加するゲートパルス発生器２'およびバイアスティー５と、ＡＰＤ８が光子を検出した直後の所定時間の間、ゲートパルス３ｃの出力を抑制し、当該所定時間経過後にゲートパルス３ｃの出力を再開させるデッドタイム信号発生器１３とを備えている。また、ゲートパルス３ｃは、正のゲートパルス３ａと負のゲートパルス３ｂとが組み合わされた正負のゲートパルスである。 （もっと読む）

【課題】入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき発生した近接場光を応用し、色情報を確実に再現し得る２次元固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元固体撮像装置は、２次元マトリクス状に配置された画素領域を有し、各画素領域は、複数の副画素領域から構成されており、入射電磁波の波長よりも小さい開口径を有する開口部が設けられた金属層３０及び光電変換素子２１が絶縁膜３１を挟んで配置されており、開口部に対して少なくとも１つの光電変換素子２１が配置されており、開口部３１の射影像は光電変換素子２１の受光領域内に含まれており、開口部３１は入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき共鳴状態を発生させるように配列されており、共鳴状態により開口部近傍において発生する近接場光を光電変換素子２１にて電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】赤外光への感度のさらなる向上を図りうる赤外光検出器を提供する。
【解決手段】本発明の赤外光検出器１００によれば、単一の第１電子領域が分割されることにより、相互に電気的に独立しているとともに、指定方向に並んでいる複数の第１電子領域１０が形成されている。遮断状態における複数の第１電子領域１０のそれぞれの励起サブバンドの電子エネルギーレベルが、伝導チャネル１２０において第１電子領域１０のそれぞれに対向する第２電子領域２０のそれぞれにおけるフェルミ準位よりも十分に高くなるように、接続状態における第１電子領域１０のそれぞれの電気的な接続先である外部電子系が構成されている。 （もっと読む）