【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】小型化することのできる２波長対応の光検出素子を提供する。
【解決手段】基板上に積層形成された第１の電極層、第１の光吸収層、第２の電極層、第２の光吸収層、第３の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層とを接続する第１の電極配線と、前記第２の電極層と前記第３の電極層とを接続する第２の電極配線と、前記第２の電極と前記第１の電極配線との接触部分に形成される第１のダイオードと、前記第２の電極と前記第２の電極配線との接触部分に形成される第２のダイオードと、を有することを特徴とする光検出素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アバランシュフォトダイオードを利用する単一光子検出装置及び光子数分解検出装置が提供される。
【解決手段】発明によるアバランシュフォトダイオードを利用する単一光子検出装置及び光子数分解検出装置は補助信号発生部、受光素子、合成部及び判別部を含む。前記補助信号発生部は補助信号を発生させ、前記受光素子は光子を受信して電気的な信号を出力し、前記合成部は前記受光素子の出力信号及び前記補助信号を合成し、前記判別部は前記光子の受信可否或いは受信した前記光子の数を判別する。本発明の実施形態による単一光子検出装置或いは光子数分解検出装置は、静電容量性応答の振幅より小さい振幅のアバランシュを検出することができる。また、アフターパルスが発生される確率が減少され、光子を検出する速度が向上される。また、ゲート信号の波形に影響が小さく、ゲート信号周波数の連続的な変化が可能である。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンを誘起し、検出したい波長での感度を増大させた赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。上部電極２８には、表面プラズモンを誘起して検出すべき波長における感度を増大させるための周期的な孔２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】分光感度特性の安定化に貢献することができ、製品にばらつきが発生し難いうえ視感度特性に近似した特性を容易に確保することができる受光素子、半導体装置、電子機器、および受光素子の製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層構造体Ｂ１は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ａと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ａと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ａと、を有し、第２積層構造体Ｂ２は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｂと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１ａと、を有し、第３積層構造体Ｂ３は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｃと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第４層２１ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な時間的および空間的なコヒーレンスを有し、高い実装密度を有する、バイスペクトル検出器を提供する。
【解決手段】第1の導電型の上側半導体層１８および下側半導体層１４のスタックであって、上側層１８および下側層１４の間の電位バリアを形成する中間層１６によって分離される、スタックと、第2の導電型の上側半導体領域６８および下型半導体領域６６であって、半導体領域６６が、少なくとも部分的に、上側層および中間層を通過する開口２２の底部に位置する、半導体領域６６，６８とからなる。上側層と下側層の少なくとも1つの上面が、半導体層６６，６８で全体が覆われる。半導体層６６，６８を形成するために、スタックの上面から、かつ半導体層６６，６８の少なくとも厚みを通って、各単位検出要素の周囲で切り欠き６２が作られ、半導体層６６，６８が、半導体層１８，１４の一方またはもう一方の全体を覆う。 （もっと読む）

【課題】バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２の電磁波スペクトルを吸収し、バリアを形成する中間層（１６）によって離される第１導電型の上部（１８）及び下部（１４）の半導体層と、上部（１８）及び下部層（１４）に注入され、それぞれが上部層（１８）及び中間層（１６）を通り抜ける開口部（２２）の底部に少なくとも部分的に注入される第２導電型の半導体区域（４４）と、半導体区域（４４）に接続された導体要素（２８，３０，３２，３４）と、を備えるバイスペクトル検知器を提供する。 （もっと読む）

【課題】放射線吸収半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の放射線吸収半導体ウェハーの製造方法は、複数の一時的な短いレーザーパルス、例えば、フェムト秒パルス、で、シリコン基板、例えば、ｎドープされた結晶シリコン、の少なくとも一つの表面の位置を照射し、同時に、電子供与性の成分を有する、例えば、ＳＦ₆のような物質にその位置を露出させて、所定の濃度の電子供与性の成分、例えば、硫黄、を組み込んだ実質的に不規則な表面層（すなわち、ミクロ構造化された層）を生み出す。基板は、表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された高温で、所定の期間に亘って、焼き鈍しされる。例えば、基板は、ほぼ５００Ｋからほぼ１０００Ｋまでの範囲内の温度で焼き鈍しされてよい。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】センサアレイ基板、これを含む表示装置およびこれの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセンサアレイ基板は、基板と、前記基板上のゲート配線およびデータ配線が交差して定義される複数の画素領域および前記複数の画素領域上に形成される複数の第１センサ部および複数の第２センサ部を含み、前記複数の第１センサ部は赤外線波長帯の光を感知し、前記複数の第２センサ部は可視光線波長帯の光を感知し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第１センサ部は第１ユニットを形成し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第２センサ部は第２ユニットを形成し、前記第１ユニットと前記第２ユニットが前記データ配線方向およびゲート配線方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＳｂ基板上に形成された、表面性状の良好なＭＱＷを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ＧａＳｂ基板１の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷ３を有し、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ、その製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】 タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３と、キャップ層５と、キャップ層表面から受光層へと届くｐ型領域６とを備え、タイプ２型のＭＱＷは、（ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ）等であり、ｐ型領域６は、高濃度範囲６ｈと、傾斜濃度範囲６ｓとから構成され、高濃度範囲６ｈが受光層３内に入っており、該受光層内にｐｎ接合１５を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

【課題】応答歪を低減し、かつ受光感度の低下を抑えることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。窓層１８のバンドギャップエネルギーは、光吸収層１６のバンドギャップエネルギーよりも大きい。光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】暗電流が低く、近赤外の長波長側に受光感度を拡大した、半導体素子、光学センサ装置および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体素子５０は、ＩｎＰ基板１の上に位置するタイプ２（ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ）のＭＱＷの受光層３と、ＭＱＷの上に位置するＩｎＰコンタクト層５とを備え、ＭＱＷでは、ＧａＡｓＳｂの、組成ｘ（％）が４４％以上であり、膜厚ｚ（ｎｍ）は３ｎｍ以上であり、かつｚ（ｎｍ）≧−０．４ｘ（ａｔｍ．％）＋２４．６、を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】電磁放射検出デバイスを提供する。
【解決手段】電磁放射検出デバイスは、一つ以上のサブアセンブリ（３００）にまとめられた複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各サブアセンブリは複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各基本検出器（３２、３２０）は、相互接続部（３２．１、３２０．１）によってインピーダンス整合デバイス（３３）に接続されている。そして、インピーダンス整合デバイス（３３）が、単一のサブアセンブリ（３００）の全ての基本検出器（３２、３２０）に共通であり、各サブアセンブリ（３００）において、相互接続部（３２．１、３２０．１）が略同一の抵抗値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体（フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、コンタクト電極１１、及びパッド電極１３）と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域（フォトゲート電極ＰＧ直下の領域）が形成されており、半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。 （もっと読む）