【課題】太陽光等の強い外乱光が入射しても、識別しようとする赤外線変調光を安定して受光する光電変換回路を得ること。
【解決手段】フォトダイオードにかかる電圧を光の入射強度に関係なく一定となるようにし、フォトダイオードに入射する赤外線変調光の強度に応じた電流源となる回路と、投光手段から発せられる赤外線変調光の周波数と同じ周波数の共振周波数を有するＬＣ並列共振負荷とで光電変換回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】簡単に製造可能であり、高い空間分解能の得られるダイオードピクセルアレイを提供する。
【解決手段】この課題は、ダイオードが多結晶半導体層内に形成されていることにより解決される。 （もっと読む）

【課題】従来のアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層をアンドープとした場合には、動作時のバイアス電圧が高くなり、光吸収層を僅かにドープした場合にはそのドープ量の制御が困難であるために容易に製造できなかった。
【解決手段】この発明に係るアバランシェフォトダイオードは、第１導電型の基板と、基板の主面上に基板側から順に積層して設けられた、アバランシェ増倍層と、光吸収層と、窓層とを有するアバランシェフォトダイオードであって、窓層の一部が第２導電型領域であり、光吸収層は、第１光吸収層と、第１光吸収層より導電率の高い第２光吸収層とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体ワイヤにおいて誘導される電荷によって電磁放射を検出する半導体ナノワイヤ電磁放射センサ、これを製造する方法、これを動作させる方法を提供する。
【解決手段】 半導体ナノワイヤに化学コーティング層を被覆し、この層が半導体材料に選択的に付着し、化学反応によって染料を形成する。染料層は、電磁放射を吸収する材料を含む。吸収されたエネルギの一部は、化学コーティング層において電子励起を誘発し、ここから追加の自由電荷キャリアが半導体ナノワイヤに一時的に提供される。従って、染料層に照射すると、半導体ナノワイヤの導電性が上昇する。半導体ナノワイヤおよび結果として得られる染料層は、共同で、電磁放射の検出器として動作する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の電極層の赤外光吸収を小さくする。
【解決手段】第１の電極層２、赤外光の光吸収層３、第２の電極層４とを有し、下方から入射された赤外光９を検知する半導体受光素子において、第１及び第２の電極層２、４の少なくとも一方を、障壁層２２及び井戸層２１の少なくとも一方が不純物ドープされた半導体超格子とし、かつ、その半導体超格子が形成するサブバンド間の遷移エネルギーを、赤外光の光子エネルギーより大きくする。赤外光９によるサブバンド間遷移が禁止され、かつ電極層の伝導電子密度も低いので、赤外光吸収が小さい。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりの低下を可及的に抑制する。
【解決手段】対向する第１面および第２面を有するとともに第１面から第２面に貫通する空洞部が設けられている第１絶縁層７、２４ｃと、絶縁層内に形成された第１および第２配線と、を有する配線形成部３０と、第２面側から入射された赤外線を吸収する赤外線吸収膜２４と、赤外線吸収膜と電気的に絶縁され赤外線吸収膜の温度変化を検出することにより、電気信号を生成する少なくとも１個の熱電変換素子１２と、を有し、空洞部内に設けられた赤外線検出部１０と、赤外線検出部を空洞部内に支持し、一端が第１および第２配線の他端に接続され、他端が熱電変換素子の一端に接続された第１および第２接続配線２２ａ、２２ｂと、第１および第２接続配線を覆うように形成された第１および第２絶縁膜２４ａ、２４ｂとを有する第１および第２接続配線部２０ａ、２０ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコン導波路を利用した赤外線検出器を実用的に用いることができるようにする。
【解決手段】単結晶シリコンからなる、リブ部１２１とリブ部１２１の両脇に形成されたスラブ部１２２およびスラブ部１２３とを有するリブ型のコア層１０２とを備え、加えて、リブ部１２１の断面方向の中央部に形成されたループ型結晶欠陥１２４を備える。リブ部１２１に備えるループ型結晶欠陥１２４において光を吸収してキャリアをし、生成したキャリアを、ｐ型不純物領域１０３およびｎ型不純物領域１０４に逆バイアスを印加することにより、外部回路に取り出す。 （もっと読む）

【課題】より簡易に製造することができる複数の波長の光の検知が可能な光検知器を提供する。
【解決手段】光結合層の表面には、λ₁検知部１１とλ₂検知部１２との間で互いに格子溝の延びる方向が異なる回折格子１１ａ、１２ａが形成されている。例えば、一方は基板を構成するＧａＡｓの［０１１］方向を向いており、他方は［０１−１］方向を向いている。また、吸収層には複数の量子ドットが形成されている。量子ドットの形状は、回折格子１１ａの格子溝に沿った方向と、回折格子１２ａの格子溝に沿った方向との間で相違している。 （もっと読む）

単数又は複数の実施形態において、冷却されていない赤外線センサ、システム、及び方法は、赤外線放射を受信するように構成されたアンテナを有するセンサと、前記アンテナパターンをシフトさせるように構成された位相シフト器と、受信したアンテナ電流を電気信号に変換するように構成されたトランスデューサとを含む。様々な実施形態において、赤外線センサのアレイは、目標物体から放射された赤外線放射を受信することができる単数又は複数の操縦可能なアンテナビームを有する赤外線イメージングシステムに用いることができる。アレイに含まれる各センサの前記位相シフト器を個別に制御することにより、アンテナビームは、物体を横切って走査され、各位相設定において単数又は複数のピクセルを生成する。複数の位相設定から生成されたピクセルを記録することにより、前記物体に対応する赤外線画像が形成される。このようなイメージングは、レンズ等の従来の光学デバイスを用いることなく、また、センサハウジング又はセンサコンポーネントを低温冷却することなく実現することができる。
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一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
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【課題】引張歪による直接エネルギーギャップＥ_０の縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム粒子と、前記ゲルマニウム粒子の周囲を覆って、前記ゲルマニウム粒子を埋め込む埋め込み層を具備し、前記埋め込み層が、前記ゲルマニウム粒子の３つの結晶軸方向夫々に於いて、引張歪を前記ゲルマニウム粒子に発生させていること。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサの赤外光検出性能を高めると共に、リーク電流を低減する。
【解決手段】受光層１５１ｃは、マイクロクリスタルシリコン（以下、“μ−ＣＳｉ”と称す。）等の微結晶半導体から構成されている。このような受光層１５１ｃは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体層を用いる場合に比べて、赤外光の受光感度を向上させることが可能である。第１半導体層１５１ａ及び受光層１５１ｃ間に介在する第１中間層１５１ｂは、、第１半導体層（１５１ａ）及び受光層１５１ｃと接合層を構成している。第１中間層１５１ｂは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体から構成されている。したがって、フォトセンサ１５１は、第１中間層１５１ｂの存在によって、受光層１５１ｃにμＣ−Ｓｉ等の微結晶半導体を用いることによって生じるリーク電流の増大を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、受光層のＩｎＰ基板１と反対側に位置する拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、選択拡散された受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、検出装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、互いに逆の導電型を有する半導体材料から製造された第１の領域（１）及び第２の領域（２）により少なくとも部分的に形成され、吸収光から電荷キャリアを発生する光吸収領域（１１）を備えるＰＩＮ接合又はＰＮ接合を備えるフォトダイオードを提供する。ＰＩＮ接合又はＰＮ接合の一部分は、互いに離間して配置され、光吸収領域（１１）において発生される電荷キャリアを回収するように配列された１つ以上のナノワイヤ（７）を備える。ナノワイヤ（７）と前記第１の領域（１）及び前記第２の領域（２）のうち一方の領域との間に規定される低濃度不純物添加半導体材料又は真性半導体材料から製造された少なくとも１つの低濃度不純物領域（１０）により、活性領域（９）の光吸収領域及び／又はアバランシェ増倍領域の個々の必要に合わせた形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 短波長側の光に対する感度を向上させることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子１では、ｐ電極１２の延在部１２ａが絶縁膜１１を介して光入射孔８の側面８ａから底面８ｂの周縁部８ｃに至っている。これにより、延在部１２ａで光の進行が遮られるため、コンタクト層６、及びその一端面６ａに積層されたキャップ層７を介することなく、光が光入射孔８から光吸収層４に入射することになる。よって、分光感度のばらつきを抑制することができる。更に、ｐ電極１２の接続部１２ｂが絶縁膜１１及びキャップ層７を貫いてコンタクト層６の不純物拡散領域９に接続されている。これにより、光吸収層４の一端面４ａに積層されたキャップ層５を所定の厚さに薄型化することができる。以上により、半導体受光素子１によれば、短波長側の光に対する感度を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子アレイにおいて、共通のｎ側電極を、能率よく確実に形成することができる、受光素子アレイ、その製造方法および当該受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】選択拡散されたｐ型領域１５ごとに設けられｐ側電極１２と、ＩｎＰ基板１の非成長部に接続されて、エピタキシャル積層体Ｅの最表面側へと延びるｎ側電極１１とを備え、エピタキシャル積層体Ｅの非成長側の端縁の壁面Ｅsは平滑面であり、そのエピタキシャル積層体の端縁部の格子欠陥密度が、そのエピタキシャル積層体の内側の格子欠陥密度より高く、かつｎ側電極が接続されるＩｎＰ基板の非成長部Ｍは、ＩｎＰ基板の内側から連続した平坦面とする。 （もっと読む）

【課題】長波長側の波長帯で受光感度が大きい化合物半導体の製造方法、半導体受光素子の製造方法、化合物半導体及び半導体受光素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含有する化合物半導体を製造する際に、用いるＶ族原料のうち少なくとも１つを、ジメチルアミノ基を含む有機金属のＶ族原料とする。 （もっと読む）

【課題】波長フィルタを必要とせずに高い選択比を得ることのできる半導体受光素子を提供する。また、短波長の光を選択的に受光可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子は、下層から第１導電型の半導体層、第１の吸収層および窓層の順で形成された積層構造を含み、窓層の側から光が入射する。窓層は第２導電型の不純物領域を有し、第１の吸収層から見て窓層の側には、第１の吸収層よりもバンドギャップの大きい第２の吸収層が設けられている。窓層の上に、第１の吸収層のバンドギャップ波長より長波長の光を反射する多層反射層と、第２の吸収層とがこの順に積層された構造とすることができる。また、第１の吸収層から見て第１導電型の半導体層の側には、第１の吸収層よりもバンドギャップの小さい第３の吸収層が設けられている。第１導電型の半導体層と第１の吸収層との間に第３の吸収層を設けることができる。 （もっと読む）