【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】安定動作をすることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２、多重反射層３、ＩｎＧａＡｓ光吸収層７、ＩｎＰ窓層９が順に積層されている。ＩｎＰ窓層９は、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２，７より大きいバンドギャップを持つ。ＩｎＰ窓層９の一部にｐ型不純物拡散領域１１が設けられている。アノード電極１２はｐ型不純物拡散領域１１上に設けられ、光が入射する開口を持つ。ｎ型ＩｎＰ基板１の下面にカソード電極１３が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１１の外側にメサ溝１４が設けられている。メサ溝１４を挟んでｐ型不純物拡散領域１１の反対側にｐ型不純物拡散領域１６が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１６はＩｎＧａＡｓ光吸収層２に達し、金属膜１７はｐ型不純物拡散領域１６を介してＩｎＧａＡｓ光吸収層２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】光ダイオードの化合物半導体の積層構造において、基板裏面からの入射光の透過を防ぎ、従来よりも出力信号が大きい光ダイオード構造を提供する。
【解決手段】基板４０１と、該基板４０１上に設けられた化合物半導体からなる受光部を備えたメサ型の光ダイオードにおいて、メサ（ＰＮ段差）領域の上面および側面を全て電極４０７で覆う。これにより、受光部を含むＰＮメサの上部および側面の全てを電極４０７で被覆することができ、製造工程を変更することなく、基板裏面からの入射光の透過を防ぎ、かつ、ＰＮメサと電極の界面で入射光を反射させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 （もっと読む）

【課題】１画素１バンプを実現しながら、感度を向上させる。
【解決手段】センサ素子アレイを、第１波長帯に対する第１活性層８と第２波長帯に対する第２活性層９とを積層した構造を有し、縦横２つずつ配列された第１〜第４画素１０Ａ〜１０Ｄと、第１画素１０Ａの第１活性層と第２画素１０Ｂの第１活性層とに電気的に接続された第１バンプ６Ａと、第２画素の第２活性層に電気的に接続された第２バンプ６Ｂと、第１画素の第２活性層と第３画素１０Ｃの第２活性層とに電気的に接続された第３バンプ６Ｃと、第４画素１０Ｄの第１活性層に電気的に接続された第４バンプ６Ｄとを備えるものとし、第１〜第４バンプを、第１〜第４画素の上方にそれぞれ１つずつ設ける。 （もっと読む）

【課題】入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板１に形成されたＰＮ接合部４ａを有する受光素子４と、受光素子４を覆うＬＯＣＯＳ酸化膜５ａよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜としてのポリシリコン膜８と、透光性導電膜に接続され、ＧＮＤ電位に固定するための電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法を提供する。
【解決手段】赤外または可視範囲での電磁放射検知回路の成長基板を除去する方法であって、検知回路が、液相または気相エピタキシによって、または分子ビームエピタキシによって得られたＨｇ_{（１−ｘ）}Ｃｄ_ｘＴｅで作られた、放射の検知層を含み、検知回路がリード回路上にハイブリッド化された方法。この方法は、以下の段階を含む。検知回路の材料と成長基板と間の界面領域まで、その厚みを低減するために成長基板に機械研磨または化学機械研磨ステップまたは化学エッチングステップを施す段階、そのように得られた界面にヨウ素処理を施す段階。 （もっと読む）

【課題】半導体受光素子をより高耐入力化できるようにする。
【解決手段】第２電極１０９は、ｐ型電極接続層１０７に接して形成されたチタンからなる第１金属層１２１と、第１金属層の上に接して形成されて白金より高い融点の高融点金属であるモリブデンからなる第２金属層１２２とを少なくとも備えて構成されている。本実施の形態では、第２電極１０９は、第１金属層１２１、第２金属層１２２に加え、第２金属層１２２の上に接して形成されたチタンからなる第３金属層１２３と、第３金属層１２３の上に接して形成された白金からなる第４金属層１２４と、第４金属層１２４の上に接して形成された金からなる第５金属層１２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜中赤外域にわたって高い受光感度を持ち、安定した品質、経済性を有する受光素子を提供する。
【解決手段】波長３μｍ〜１２μｍの光に透明なＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板１に接して位置するバッファ層２と、バッファ層２に格子整合するカットオフ波長３μｍ以上の多重量子井戸構造を有する受光層３とを備え、バッファ層２とＩｎＰ基板１とが、形式的な格子整合条件の範囲を超えながら、バッファ層２がＩｎＰ基板１にエピタキシャル成長しており、バッファ層２が、ＧａＳｂ層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。アンドープＩｎＰ窓層６の一部にｐ型不純物領域８が設けられている。直線状ｐ側電極９がｐ型不純物領域８上に配置されてｐ型不純物領域８に接続されている。直線状ｐ側電極９は、ｎ型ＩｎＰ基板１の主面に対向する平面視において直線状である。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一の受光素子を用いた簡単な構成による小型かつ低コストな近接／方向センサとして、対象物体の近接／非近接状態の変化とそれに直交する移動方向を、同時に最も効率よく検出して人体の動作に十分に追随させるための光検出装置を提供する。
【解決手段】受光素子２００は、反射光１０３が直接入射する第１のウェル３０１と、第１のウェル３０１を挟んで対向し、かつ反射光１０３は遮光されて入射しない第２のウェル３０２及び第３のウェル３０３とを備えている。受光素子２００による受信信号は、第１のウェル３０１の出力と第２のウェル３０２の出力との和、及び、第１のウェル３０１の出力と第３のウェル３０３との出力の和を、時間軸上で交互に出力する。この受信信号に基づいて、光検出装置天面の法線方向である第１の軸方向に沿う対象物体の近接状態と、前記対象物体の近接状態が変化した際の移動方向とが判定される。 （もっと読む）

【課題】低照度から高照度までの入力に対してリニアな出力を得ることが可能であるとともに、フォトダイオードの出力電流の温度依存性を補正することができる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ（１）において、第１のアナログ−デジタル変換回路（１１）に、第１のフォトダイオード（ＰＤ１）の出力電流の温度依存性を補正する温度係数を有する抵抗を備えた第１の基準電流源が備えられ、第２のアナログ−デジタル変換回路（１２）に、第２のフォトダイオード（ＰＤ２）の出力電流の温度依存性を補正する温度係数を有する抵抗を備えた第２の基準電流源が備えられ、第１の基準電流源を用いて出力された第１の検出結果（ＡＤＣＯＵＴ１）と、第２の基準電流源を用いて出力された第２の検出結果（ＡＤＣＯＵＴ１）とから、第２のフォトダイオード（１２）による可視波長域の受光強度を検出することによって照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性化率が高く、毒性が低く、且つ制御が容易であるｐ型ドーパントを用いた量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、ｎ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型バリア層、及びｐ型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層は、ノンドープのＩｎＳｂと、ｐ型ドーパントとしてＳｉがドーピングされた、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、及びＡｌＧａＳｂからなる群より選択された一種とが周期的に積層された超格子構造体を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、ｎ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型バリア層、ｐ型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層として、ノンドープまたはｐ型ドーピングされたＩｎＳｂと、ノンドープまたはｐ型ドーピングされたＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＩｎＡｓのうちいずれか一つとが周期的に積層された超格子構造体を採用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）