【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性の高いフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】アバランシェフォトダイオードに一端が電気的に接続され、その光入射面上に配置された抵抗４と、抵抗４の他端に接続された信号導線の読み出し部３ａとを備え、エピタキシャル半導体層上に形成された第１の絶縁膜１６ａと、第１の絶縁膜１６ａ上に形成された第２の絶縁膜１６ｂとを備え、抵抗４は、第１の絶縁膜１６ａと第２の絶縁膜１６ｂとの間に介在し、信号導線３は、第２の絶縁膜１６ｂ上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、グランド配線３２及びグランド接続端子３４と一体的に形成されており、グランド接続端子３４を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。導電膜３０をグランド接続端子３４を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板６０の表面に表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードへの入射光量を高精度に求めることができる信号処理装置および光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、フォトダイオードアレイ２および信号処理装置３を含む。信号処理装置３は、第１積分回路１０，比較回路２０，電荷注入回路３０，容量値制御部４０，保持回路５０，計数回路６０，増幅回路７０，ＡＤ変換回路８０，基準値生成回路９０，電圧源１００，第２積分回路１１０およびタイミング指示信号生成回路１２０を含む。第１積分回路１０は、アンプ，積分容量部およびスイッチを含む。第２積分回路１１０は、アンプ，積分容量部，スイッチおよび抵抗器を含む。第２積分回路１１０のアンプのオープンループゲインは、第１積分回路１０のアンプのオープンループゲインと等しい。第２積分回路１１０の積分容量部の容量値は、第１積分回路１０の積分容量部の容量値と等しい。 （もっと読む）

【課題】 クロストークの発生を良好に抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射
線検出装置を提供する。
【解決手段】 ｎ型半導体基板５には、その表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に付着した不純物に起因して発生するリーク電流を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】この撮像装置１００は、基板１の表面上に形成される薄膜トランジスタ７と、薄膜トランジスタ７のドレイン電極２５に電気的に接続される下部電極２７と、下部電極２７の表面上に設けられる光電変換層３０と、光電変換層３０の表面上に設けられる透明電極３４とを備え、光電変換層３０の側面は、平面的に見て、透明電極３４の側面３４ａと略一致しているか、または、光電変換層３０の側面の少なくとも一部が透明電極３４の側面３４ａよりも内側に形成されている。 （もっと読む）

本発明の主題は、ガンマ線検出システムにおいて、１つ以上の画素化したセンサによって生成された信号を読み取るための方法および電気回路であって、それはデジタル化のための電気チャネル数を大幅に削減することを可能にする。本発明の電気回路はアナログであり、また、より大きなセンサからの信号を取得するために、他の同様の回路に接続可能である。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対応して利得率を簡易に安定させること。
【解決手段】ＳＰＥＣＴ装置のガンマカメラをＳｉＰＭにて構成する場合、ＳｉＰＭが有する全ＡＰＤ１４ｃを所定数のＡＰＤ１４ｃからなるＡＰＤアレイ１４ｄに分割し、各ＡＰＤアレイ１４ｄに対して、周辺温度の上昇に応じて抵抗値が低下し、かつ、周辺温度の低下に応じて抵抗値が上昇する半導体抵抗１４ｅと、半導体抵抗１４ｅと直列に接続され、抵抗値が周辺温度の変化に対して固定である固定抵抗１４ｆとから構成され、さらに、固定抵抗１４ｆがＡＰＤアレイ１４ｄの各ＡＰＤ１４ｃと並列接続される電圧制御機構を設置する。 （もっと読む）

【解決手段】
電離放射線との相互作用で光子を放射するように構成されたシンチレーション層と、第１電極、光電性層、及びシンチレーション層の近傍に配置された光子透過性の第２電極を順番に含む光検出器とを有する放射線センサである。光電性層は、光子の一部との相互作用で電子正孔対を生成するように構成される。放射線センサは、第１電極に電気的に接続され、かつ光電性層内で生成された電子正孔対を示す撮像信号を測定するように構成された画素回路と、第１電極と画素回路の間において、画素回路上に、画素回路を含む平面の上方に第１電極が位置するように配置された平坦化層とを有する。第１電極と第２電極の少なくとも一方の電極の表面は、画素回路に少なくとも部分的に重なり、画素回路のフィーチャの上方に面屈曲を有する。面屈曲は、２分の１ミクロンを超える曲率半径を有する。 （もっと読む）

【課題】電子雑音を低減するために、各々のフォトダイオード素子の応答時間を損なわずに、より低キャパシタンスのフォトダイオード素子及びより低キャパシタンスのフォトダイオード・アレイを開発する。
【解決手段】フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。第二の層は電荷収集域（２９）を画定している。電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。作用領域（３２）は非作用領域（３３）を包囲している。フォトダイオード素子（２０）はまた、第一の層と第二の層との間に真性半導体層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大を抑制できるフォトセンサー及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるフォトセンサーは、半導体層を有するフォトダイオード１００を備える。半導体層は、例えば、ｎ型半導体層９、ｉ型半導体層１０、及びｐ型半導体層１１を有する。また、フォトセンサーは、透明導電膜から形成された透明電極１２と、半導体層と透明電極１２との間に形成された窒素含有半導体層１１ａとを有するものである。 （もっと読む）

【課題】入射光量に応じた高精度のデジタル値を出力することができる光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、フォトダイオードＰＤ、積分回路１０、比較回路２０、電荷注入回路３０、計数回路４０、保持回路５０、増幅回路６０、ＡＤ変換回路７０および基準値生成回路８０を備える。積分回路１０，比較回路２０，電荷注入回路３０および計数回路４０は、ＡＤ変換機能を有する。増幅回路６０は、保持回路５０から出力された電圧値をＫ倍（ただし、Ｋ＞１）にした電圧値をＡＤ変換回路７０へ出力する。ＡＤ変換回路７０は、比較回路２０における基準値Ｖ_ref2のＫ倍の電圧値を最大入力電圧値とし、増幅回路６０から出力された電圧値を入力して、この入力電圧値に対応するデジタル値を出力する。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制しつつ、改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１ａは、半導体基板３と、半導体基板３の裏面側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、隣接するｐ型半導体領域５間の領域３７には、領域３７の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、隣接するｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びて改質領域５０が形成され、隣接する４つのｐ型半導体領域５に囲まれる領域３８には、改質領域５０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】発光量はさほど高くないが、サブナノ〜数ナノ秒という極めて短い蛍光寿命を示すシンチレータと、低発光量の光に対しても高い感度を有するとともに応答速度が速い受光素子とを組み合わせた高速応答の放射線検出器および放射線検査装置を提供する。
【解決手段】励起子発光シンチレータ２２とガイガーモードＡＰＤ２３とを組み合わせる。励起子発光シンチレータ２２は、ZnO、Al:ZnO、Ga:ZnO、In:ZnO、Cd:ZnO、Mg:ZnO、RE:ZnO（RE=希土類元素：Sc、Y、ランタノイド）、ZrO₂、HfO₂、GaN、Si:GaN、Ge:GaN、Sn:GaN、Pb:GaN、In:GaN、Al:GaN、Yb:Y₂O₃、Gd₂O₃、Sc₂O₃、Lu₂O₃のうち、少なくともいずれか一種類を含み、励起子による0.05ナノ秒〜10ナノ秒の蛍光寿命を有している。 （もっと読む）