【課題】光電変換効率を向上させた球状の光電変換素子、およびこの素子を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、球状の第１半導体１１およびその表面を被覆する第２半導体層１２を具備し、第２半導体層１２が第１半導体１１を露出させる窓部１４を有し、第１半導体１１が前記窓部に露出する部分に開口する穴１６を有する。光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第１半導体または第２半導体層と電気的に接続された支持体２１、前記素子の第２半導体層または第１半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に結晶質シリコン光電変換層を製膜する場合でも、製膜中の基板温度の上昇を抑制し、発電効率の高い光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層、ｎ層、及び結晶質シリコンｉ層を含む光電変換層をプラズマを用いて製膜する真空処理装置によって、基板１上に予め製膜されたｐ層またはｎ層上に結晶質シリコンｉ層を製膜するｉ層製膜工程を有する光電変換装置の製造方法であって、真空処理装置が、基板を加熱する基板テーブル２０４と、プラズマを形成するための放電電極２０３とを備え、ｉ層製膜工程は、基板テーブル又は放電電極の少なくとも一方の設定温度プロファイルが、基板１を真空処理装置内に導入した時の基板導入時設定温度と、真空処理装置内でプラズマを消灯した時の製膜終了時設定温度とを含み、製膜終了時設定温度が基板導入時設定温度よりも低くなるように制御する工程を含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法では、内面に剥離材をコーティングし焼成した坩堝に溶融原料を供給する工程と、前記坩堝内で前記溶融原料を固化させ、溶融原料の残量が３０％以下となる段階で、結晶片を溶融層に浸漬し、結晶の表面に突出部を形成する工程と、前記突出部を利用して前記結晶を前記坩堝から取り出す工程を、同じ坩堝を再利用して繰り返し行う。また、本発明に係る結晶成長方法では、前記突出部を把持する吊り具を使用し、前記吊り具に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。また、前記坩堝に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の単結晶半導体層を有する半導体基板をＣＭＰ処理や高温の熱処理を必須とせずに作製することを目的の一とする。又、半導体基板の生産性の向上を目的の一とする。
【解決手段】第１の基板上に設けられた第１の単結晶半導体層をシード層として気相エピタキシャル成長を行うことで、第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成し、両層の界面で分離を行い、第２の基板上に第２の単結晶半導体層を転載し半導体基板を得るとともに、該シード層に対しレーザー処理を行い再利用する。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素をアルミニウム粒子と反応させてシリコンを製造する方法において、アルミニウムの残留が抑えられた高純度のシリコンを効率的に得ることを課題とする。
【解決手段】本発明は、複数のアルミニウム粒子と複数のシリコン粒子が混合された状態で、一般式ＳｉＨ_nＸ_4-n（式中、Ｘはハロゲンであり、ｎは０〜３の整数を示す。）で表されるハロゲン化珪素と前記アルミニウム粒子とを反応させることを特徴とするシリコンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１および第２導電型部を有する複数の半導体粒子２と、該半導体粒子２間に配置された絶縁体４と、前記半導体粒子２と絶縁体４との間に、半導体粒子２および絶縁体４と接した第１の反射防止膜３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない高品質な結晶シリコンを製造するための坩堝、および結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコンを溶融する筒状の溶融部１ａを有する坩堝１であって、溶融部１ａは、外周面に開口した気孔を有するセラミックスを含んで成るとともに、前記気孔内に第１の酸化珪素６が封入されている。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子１０１を作製し、次に結晶シリコン粒子１０１の表面に研磨加工を施して結晶シリコン粒子１０１の表層部に加工変質層を形成し、次に窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱して結晶シリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させ降温して凝固させて単結晶化する。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶シリコン粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の表層部に窒化珪素膜を形成する第１の工程と、酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱することによって、窒化珪素膜を酸窒化珪素膜とするとともに、結晶シリコン粒子１０１のシリコン部に接する酸窒化珪素膜の内表面に窒素の高濃度層を形成しながら結晶シリコン粒子１０１の形状を保持した状態でシリコン部を溶融させ、ついで降温し凝固させて単結晶化する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 坩堝のノズル部からのシリコン融液の排出を中断することなく、結晶シリコン粒子を連続的に低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１aからシリコン融液４を粒状に排出し、排出された粒状のシリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子８を製造する結晶シリコン粒子８の製造方法であって、シリコン融液の単位時間当たりの排出量から排出速度を測定し、坩堝１へ供給されたシリコン原料の単位時間当たりの溶融量である溶融速度が排出速度以上となるようにシリコン原料の供給重量を制御する。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、及びその製造方法に用いられる耐シリコン融液部材を提供する。
【解決手段】坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を製造する結晶シリコン粒子５の製造方法において、ノズル部１ａは窒化珪素を含む材料から成るとともに少なくとも表層部が酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。
【解決手段】 回転式拡散装置は、内部に第１導電型の結晶シリコン粒子１２を入れて回転して攪拌させながら酸素及び第２導電型の不純物を含む不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子１２の表面に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型のシリコン層を形成する横置き型の拡散管１１と、拡散管１１を傾斜させることによって第２導電型のシリコン層が表面に形成された結晶シリコン粒子１２を拡散管１１の一端部の開口から取り出す傾斜機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】中空回転冷却体を用いるシリコン精製方法であって、大気雰囲気中で連続的にシリコン精製を行なうことを可能とするシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】原料シリコンを加熱して溶融シリコンとする溶融工程と、前記溶融シリコンを添加剤と接触させて、溶融状態において前記溶融シリコンよりも小さな比重を持つスラグを形成させる第１精製工程と、前記溶融シリコンの溶湯面の少なくとも一部が前記スラグにより覆われた被覆状態において、前記溶融シリコンに中空回転冷却体を浸漬する浸漬工程と、前記中空回転冷却体を回転させた状態において、前記中空回転冷却体の中空部に冷却流体を流すことにより前記中空回転冷却体の外周面に固体シリコンを晶出させる第２精製工程とを含むシリコン精製方法。 （もっと読む）

【課題】
太陽電池グレードのシリコン基板を使用して、良好な裏面電界層となるシート抵抗値を持つ太陽電池セルを提供すること。
【解決手段】
シリコン太陽電池セルにおいて、片面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が８Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。また、両面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が１３Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

【課題】結晶系薄膜シリコン光起電力装置は単結晶シリコンに比べて結晶の質が悪く、光電変換特性が依然劣っている。また、結晶性シリコン膜を化学気相成長法によって、１μｍ以上の厚さで堆積する必要があり生産性が悪いといった問題がある。また、成膜に必要なガスの収率が悪く、経済的にも十分なメリットを見いだせないでいる。
【解決手段】絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に設けた単結晶半導体層を光電変換層とする光起電力装置であって、単結晶半導体層は絶縁層を介して該基板と接合させる所謂ＳＯＩ構造を備えたことを要旨とする。光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用される。 （もっと読む）