【課題】 大きい電力を得ることができる太陽電池素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型を示す半導体基板２と、半導体基板２の一主面Ａ側に形成された第１の電極４と、半導体基板２の一主面Ａから他主面Ｂにかけて形成された貫通孔７と、貫通孔７内に形成された第２の電極８と、第２の電極８の他端が接続されて第１の電極４と接続されている第３の電極11と、半導体基板２の他主面Ｂ上に第３の電極11とは絶縁されて形成された、第３の電極11とは極性が異なる第４の電極12とを有しており、貫通孔７は、複数個が半導体基板２の外周の一部に沿って配置されており、第４の電極12は、第３の電極11の近傍から貫通孔７が形成されている半導体基板２の一部と反対側の外周の近傍まで延在している太陽電池素子１である。 （もっと読む）

【課題】変換効率のバラつきが小さな太陽電池セルの製造に使用され、特定の抵抗率特性を有する単結晶シリコンインゴットおよびそれを用いた単結晶太陽電池セルを提供する。
【解決手段】ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上４０Ω・ｃｍ以下であり、他方の平面の抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。単結晶シリコンインゴットの抵抗率が８〜１０Ω・ｃｍを境として、それ以上の高抵抗率の範囲では短絡電流密度Ｊｓｃにほとんど変化がなく、±３％以内の変動に収まる。一方、上記境目より低抵抗率の場合には、ヘッド部の抵抗率の低下とともに短絡電流密度も低下し、変動（バラつき）も増加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来廃材となっていた坩堝残を有効に活用することができ、純度の高い原料を使用した場合と同等の特性が得られる多結晶シリコンインゴットを製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンインゴットの製造方法は、坩堝内に保持された、第１の導電型を規定する第１のドーパントを含有するシリコン融液から、チョクラルスキー法により太陽電池用の単結晶インゴットを引き上げる工程と、単結晶シリコンインゴットを引き上げた後の坩堝内の残留分（坩堝残）を、多結晶シリコンインゴットの原料として用いてインゴットを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン加工プロセスから発生したシリコンスラッジの再利用が図れ、シリコン系太陽電池用原料の低コスト化、脱酸素化によるシリコンの高純度化も図れるシリコン系太陽電池用原料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからのシリコンスラッジを、純水または超純水への分散後に沈降分離し、次に上澄み液の除去後、沈降したシリコンスラッジを乾燥しさらに焼結用原料として造粒する。焼結用原料をチョクラルスキー方式のシリコン単結晶成長装置のルツボに投入し、まずこれを完全乾燥させ、その後、焼結用原料を焼結する。この原料を用いて太陽電池用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】シリコン廃材等の不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを、簡単に、かつ、確実に製造することが可能なシリコンインゴットの製造方法、シリコンインゴットの製造装置及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを製出するシリコンインゴットの製造方法であって、前記シリコン原料に、Ｓｉ元素と共晶反応する合金元素を添加して溶解し、共晶組成よりもＳｉ濃度が高くされたシリコン合金溶湯を生成するシリコン合金生成工程Ｓ１と、前記シリコン合金溶湯を一方向凝固させるとともに、凝固して得られたインゴットを連続的に引き出す凝固工程Ｓ２と、前記凝固工程によって消費されたＳｉ元素を補うように、前記シリコン合金溶湯にシリコン原料を追加供給するシリコン追加工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化がおこらない高品質な太陽電池用のＳｉ結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてＧａとＧｅとを含有し、チョクラルスキー法またはキャスト法で製造される。ドープ元素として、Ｂを含有していてもよい。Ｇａの濃度は２×１０^１４atoms/cm^３以上、３×１０^１８atoms/cm^３以下の範囲であり、Ｇｅの濃度は１×１０^１５atoms/cm^３以上、２×１０^２０atoms/cm^３以下の範囲であることが好ましい。Ｇａを単独で添加したときの結晶（ａ）に比較してＧａとＧｅとを添加した結晶（ｂ）は、Ｖ字模様で表されるＦＰＤ（Flow Pattern Defect）の密度が低下する。 （もっと読む）

【解決手段】シリコン基板１と、前記シリコン基板１の受光面側に形成され、ドーパント高濃度拡散層３とこの高濃度拡散層３よりもドーパント濃度が低い低濃度拡散層４とを有するｐ型セレクティブエミッタ層２と、前記ｐ型セレクティブエミッタ層２の高濃度拡散層３と電気的に接続する受光面電極６と、前記シリコン基板１の裏面側に形成されたｎ型拡散層５と、前記ｎ型拡散層５と電気的に接続する裏面電極７と、を備える太陽電池であって、前記受光面電極直下となる高濃度拡散層３がシリコン窒化膜８と接し、前記低濃度拡散４層がシリコン酸化膜９と接することを特徴とする太陽電池。
【効果】高濃度拡散層と低濃度拡散層とを有するｐ型セレクティブエミッタ層を有する太陽電池を簡便に製造することができ、容易に低オーミックコンタクトが形成でき、製造歩留まりを高レベルで維持しながら高性能の太陽電池及びその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性基板の裏面に設けられた裏面電極に対してその設計の自由度を確保しつつ、結晶性基板の裏面から透過した光の再利用を可能にした結晶太陽電池及び結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する表面１１ｉと該表面１１ｉと対向する裏面１１ｒとの間で光電変換機能を発現する結晶性基板１１を具備する結晶太陽電池１０であって、結晶性基板１１の裏面１１ｒから透過する光を再び結晶性基板１１の中へ反射する白色塗膜１４が結晶性基板１１の裏面１１ｒの側に設けられた。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアを光の進入深さ以上の幅の空乏層内部で発生させて内部電界で加速して電極にキャリアを集めるようにしたシリコンを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】空乏層を光の進入深さより広く設計することにより、表面電極を例えばグリッド状に配置させることが可能となり、反射界面の面積を減少させ、空乏層に表面電極層を通さず光照射してキャリアを発生させ当該キャリアを空乏層の電界で加速して電極に輸送できるので、光の利用効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ストレスに起因するマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制して、長期信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極（４ａ、５ａ）を設け、これらの太陽電池素子のバスバー電極（４ａ、５ａ）同士をインナーリード８で接続し、充填材１０内に封入した太陽電池モジュールにおいて、インナーリード８とバスバー電極（４ａ、５ａ）とは半田６によって接続されるとともに、バスバー電極（４ａ、５ａ）は、その長手方向の端部が充填材１０と直接接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】バスバー電極の長手方向に沿ったエッジ部と半導体基板の境界付近にかかるストレスを低減し、長期信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極（４ａ、５ａ）を設け、これらの太陽電池素子のバスバー電極（４ａ、５ａ）同士をインナーリード８で接続し、充填材１０内に封入した太陽電池モジュールにおいて、インナーリード８とバスバー電極（４ａ、５ａ）とは半田６によって接続されるとともに、バスバー電極（４ａ、５ａ）は、その長手方向の端部が充填材１０と直接接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
太陽電池グレードのシリコン基板を使用して、良好な裏面電界層となるシート抵抗値を持つ太陽電池セルを提供すること。
【解決手段】
シリコン太陽電池セルにおいて、片面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が８Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。また、両面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が１３Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いエネルギー変換効率を持つｐｎ接合型の光起電力装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、第一導電型の半導体基板１を用意する工程Ａと、該半導体基板１にその受光面に対して垂直に溝７ａ又は孔を形成する工程Ｂと、該溝又は孔の形成された半導体基板の表面に第一導電型とは逆の導電型である第二導電型の層２を形成する工程Ｃと、該第二導電型の層２の形成された半導体基板１から電流を取出すための表面電極４及び裏面電極５を形成する工程Ｄとを具備する光起電力装置の製造方法であって、工程Ｃにおいて、少なくとも溝７ａ又は孔を含む半導体基板１の表面に第二導電型の層２を気相成長で形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように透明樹脂層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出させ、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明樹脂層の表面とを、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン基板と接触するようにして密着させる工程と、前記透明樹脂層を硬化させて両基板を貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように絶縁体層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出する工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記絶縁体層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記絶縁体層の表面とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、透明絶縁性基板の表面に透明導電性膜を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面及び／または前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面に表面活性化処理を行う工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と透明絶縁性基板の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と、前記透明絶縁性基板とを、前記表面活性化処理を行った面を貼り合わせ面として貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、第二導電型の拡散領域を複数形成し、前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、前記イオン注入面を貼り合わせ面として、前記単結晶シリコン基板を、透明導電性接着剤を介して透明絶縁性基板と密着させる工程と、前記透明導電性接着剤を硬化させて透明導電性膜とすると共に、前記単結晶シリコン基板と前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にｐｎ接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

本発明は太陽電池級シリコンを含む、半導体級シリコンの鋳塊を生産するための装置および方法に関し、溶解および結晶化工程の加熱ゾーン内において酸素欠如材料を採用することによって、加熱ゾーン内の酸素の存在がほとんど減少されまたは排除されている。方法は、単結晶のシリコン結晶を成長させるためのブリッジマン法、ブロックキャスティング法、およびＣＺ工程のような、太陽電池級シリコン鋳塊を含んだ半導体級シリコン鋳塊の結晶化を含んだ任意の公知の工程に採用されてもよい。本発明は溶解工程および結晶化工程を実施するための装置にも関し、加熱ゾーンの材料は酸素欠如材料である。
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【課題】バスバー部分におけるキャリヤの収集効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができる裏面コンタクト型の太陽電池を提供する。
【解決手段】結晶系半導体基板２の裏面に、集電用のプラス電極７とマイナス電極９とを複数形成し、それぞれをバスバー１０，６で共通に接続し、さらに、バスバー１０，６の外側に、逆極性の補助電極５，８を形成し、それぞれを同極性の集電電極７，９に接続する。 （もっと読む）