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Fターム[5F051DA04]の内容

光起電力装置 (50,037) | 素子構造 (3,383) | 接合形態 (2,084) | pin (847)

Fターム[5F051DA04]に分類される特許

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【課題】光電変換層に対して精度の高い検査を、簡易にかつ確実に実施することができる検査装置を提供する。
【解決手段】少なくとも太陽電池モジュール2を構成する光電変換層13が形成された透光性基板11Aが載せられる支持部と、光電変換層13にエネルギを入力する入力部140と、入力されたエネルギに対する光電変換層13の反応を測定する測定部160と、支持部に対して水平方向に相対移動可能とされ、入力部140および測定部160の一方が配置される移動部150と、支持部を上下方向に移動させ、透光性基板11Aと移動部150との間隔を変更する昇降部と、外光を遮蔽するとともに、支持部、昇降部、入力部140、測定部160および移動部150を内部に収納する暗室110と、が設けられ、入力部140および測定部160の他方は、支持部に配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い長波長感度は保持したまま、開放電圧や形状因子の低下を抑制または向上させた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】i層が、p層側傾斜層が、結晶質シリコンと結晶質シリコンゲルマニウムとを含み、p層側傾斜層中のゲルマニウム濃度が、結晶質シリコンゲルマニウム層に含まれるゲルマニウム濃度以下の濃度範囲で、p層側結晶質シリコン層から結晶質シリコンゲルマニウム層に向かって段階的または単調にゲルマニウム濃度が増加し、p層側結晶質シリコン層の膜厚が、p層側結晶質シリコン層の膜厚とp層側傾斜層の膜厚との和に対して30%以上50%以下の厚さであり、p層側結晶質シリコン層の膜厚とp層側傾斜層の膜厚との和が、p層側結晶質シリコン層の膜厚と、p層側傾斜層の膜厚と、結晶質シリコンゲルマニウム層の膜厚との和に対して20%以上50%以下である光電変換装置100。 (もっと読む)


【課題】高品質の酸化亜鉛系の薄膜を低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】第一原料ガス精製装置3は、成膜チャンバーに導入される亜鉛原料ガスをジエチル亜鉛から生成させるものであり、減圧可能な液体原料気化容器21a,21bとヒータ22a,22bを主要構成としている。ヒータ22a,22bにより液体原料気化容器21a,21b内のジエチル亜鉛を減圧下で加熱することができ、ジエチル亜鉛が減圧蒸留に供される形となる。そのため、純度96.0〜99.8%の低純度ジエチル亜鉛を用いても、高純度ジエチル亜鉛の使用時と変わりなく、低コストで酸化亜鉛系の薄膜を製造することができる。また当該薄膜は、特に光の散乱性能の点で高い性能を有し、太陽電池の透明導電膜として有用である。 (もっと読む)


【課題】太陽電池セルの基板の割れおよび電極の剥離を抑制でき、歩留まりの低下を抑制可能な太陽電池セル、太陽電池モジュールを提供することが課題である。
【解決手段】半導体基板の一方の主面上に形成される一方の主面側電極23と、この半導体基板の他方の主面上に形成される他方の主面側電極22を備え、一方の主面側電極23上及び他方の主面側電極22上に接続用導電性接続部材が設けられる太陽電池セルであって、半導体基板の端部側上に補助膜23cを備え、この補助膜23cはその輪郭領域が半導体基板の端部側上に設けられる接続用導電性接続部材の幅より幅広であり、且つ補助膜23cは輪郭領域内に補助膜23cが存在しない部分234cを有する。 (もっと読む)


【課題】安全かつ低コストで耐熱性および絶縁性等の品質が良好な絶縁層を形成することができるクラッド基板およびその製造方法、このクラッド基板を用いた光電変換装置および薄膜太陽電池モジュール、ならびに薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のクラッド基板は、金属からなる帯状の基体と、この基体の表面に設けられ、前記基板よりも幅が広い第1の金属材と、基体の裏面に設けられ、前記基板よりも幅が広い第2の金属材とを有する。第1の金属材および第2の金属材が基体に圧接されて基体を被覆するとともに、第1の金属材および第2の金属材は、その周縁部が接合されている。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、バッファ層31と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、高濃度アモルファス炭化シリコン層30aよりp型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層30bを設ける。ここで、バッファ層31をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層30aの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層30b及びバッファ層31の膜厚よりも厚くする。 (もっと読む)


【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。
【解決手段】厚みが250μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極において、集電極と半導体層に挟まれた実質的に光が当たらない箇所とそれ以外の箇所でキャリア濃度が異なり、さらに、実質的に光が当たらない箇所の方がそれ以外の箇所よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 (もっと読む)


【課題】反射特性が最適化された中間コンタクト層を備える光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板1上に基板1と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層2と、透明電極層2上に2つの発電層91,92からなる光電変換層3と、光電変換層3上に裏面電極層4と、2つの発電層91,92の間に設けられる中間コンタクト層5とを備え、中間コンタクト層5が、基板1側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、酸化チタン膜の膜厚が、裏面側透明導電膜の膜厚が5nmのときに65nm以上110nm以下、10nmのときに65nm以上95nm以下、15nmのときに65nm以上90nm以下、20nmのときに60nm以上85nm以下、25nmのときに55nm以上70nm以下、及び、30nmのときに55nm以上65nm以下で表される領域の範囲内である光電変換装置100。 (もっと読む)


【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上(1)に背面電極層(2)を形成するステップと、背面電極層(2)上に光電変換層(3)を形成するステップと、光電変換層(3)の上面に複数の開口(5)を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口(5)下の光電変換層(3)に縦長の第1の孔部(5a)を形成するステップと、第1の孔部(5a)の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第1の孔部(5a)下方に、最大幅が第1の孔部(5a)の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第2の孔部(5b)を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層(3)上に透明導電被膜(4)を形成するとともに第1、第2の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 (もっと読む)


【課題】簡単にかつ安価で製造可能で、高い光閉じ込め効果を有する、新規な構造の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池は、基板(1)上に形成された背面電極層(2)と、前記背面電極層(2)上に形成された光電変換層(3)と、前記光電変換層(3)の上面に形成された透明導電被膜よりなる上面電極層(4)と、を備え、前記光電変換層(3)にはその上面から層中に向かう多数の微細な孔部(5)が規則的に形成されており、前記孔部(5)は、その上部である第1の孔部(5a)と下部である第2の孔部(5b)とで形成され、前記第1の孔部(5a)は縦長の筒状であり、前記第2の孔部(5b)はその最大幅が前記第1の孔部(5a)の開口幅よりも広い湾曲した形状を有している。 (もっと読む)


【課題】 この発明は、透明導電膜の結晶粒界密度を減少させ、Naイオンの拡散を抑制し、耐Na性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 この発明は、n単結晶シリコン基板1と、このn型単結晶シリコン基板1表面に真性な非晶質シリコン層2を介して形成されたp型非晶質シリコン層3と、このp型非晶質シリコン3層上に形成された透明導電膜4と、を備えた光起電力装置であって、単結晶シリコン基板1の非晶質シリコン層2が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が1.0nm未満になるように規定している。 (もっと読む)


【課題】 量子効率の高い光電変換素子および光電変換方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子10は、バンドギャップEと、電子準位および励起準位の間のエネルギの差Eと、が同じである第1の量子井戸を有している、複数の励起領域40aと、1つの第1の量子井戸の電子準位から他の第1の量子井戸の励起準位に共鳴トンネル現象で電子を導く複数の第2の量子井戸を有している、複数のトンネル領域40bと、を有しており、励起領域40aと、トンネル領域40bと、が交互に重なって設けられている。 (もっと読む)


【課題】太陽電池セルと金属基板の間の浮遊容量の影響が小さく、また、両者間の電位差が小さく、1モジュール当たりの出力電圧の高い高電圧太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】金属基板と、その上の絶縁層と、その上の、直列接続される複数の太陽電池セルと、2つの出力端子と、接地端子とを有し、各太陽電池セルは、絶縁層上の裏面電極層と、その上の、受光した光を電気に変換する光電変換層と、その上の透明電極層とを備え、2つの出力端子は、一方の端部の太陽電池セルの裏面電極層に接続される第1の出力端子と他方の端部の太陽電池セルの透明電極層に接続される第2の出力端子とからなり、さらに、複数の太陽電池セルの真中の太陽電池セルからプラス10%〜マイナス10%の範囲にある1つの接地用太陽電池セルの裏面電極層と金属基板とを電気的に導通する導電層を有し、接地端子は、金属基板に接続され、金属基板及び導電層を介して接地用太陽電池セルに接続されることにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】高い曲線因子、開放電圧及び光電変換効率を有し、かつ耐久性に優れた有機光電変換素子と、それを構成要素として組み込んだ太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びp型半導体材料とn型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、該陰極と陽極の間に、下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。
【化1】
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【課題】積層型の光電変換装置において中間層の両側に位置する光電変換層間の導電性を向上させること。
【解決手段】非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6とに挟まれた中間層5は、非晶質Si光電変換層4側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層5a、反対側の微結晶Si光電変換層6側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層5bとする2層構造とする。 (もっと読む)


【課題】基板面内にヘイズ率の分布がある透明電極付き基板を用いても、電池出力を低下させない光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板1上に形成され、該基板1と反対側の面に凹凸を有する透明電極層2と、該透明電極層2上に、スパッタ法によって形成されたシリコンを主とする膜7と、該シリコンを主とする膜7上に、基板1側から順にp層とi層とn層、または、n層とi層とp層とを積層させた光電変換層3とを備える光電変換装置100。 (もっと読む)


【課題】透過性が高く、ヘイズに優れ、密着性及び可撓性を有しつつ、高い導電性を有する導電性材料及びそれを製造するための導電膜形成用感光材料並びにこれを用いた表示素子及び太陽電池の提供。
【解決手段】導電膜形成用感光材料は、銀塩含有乳剤層と、導電性繊維を含有する導電層とを有してなり、前記導電性繊維の塗設量が、0.005g/m〜0.2g/mであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造コストの低減を図るとともに、軽量化を図ることにより製造時や施工時の取扱を容易にすることができる太陽電池パネルを提供する。
【解決手段】入射光が入射する側から順に透光性基板11A、透光性基板11A上に配置される光電変換層、および、透光性基板11Aとの間で光電変換層を密封する裏面基板11Bが積層された太陽電池モジュール2と、裏面基板11Bに固定されて、太陽電池モジュール2を支持するリブ部3L,3Sと、が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明電極層から微結晶シリコンp層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板1上に、透明電極層2と、少なくとも1つの光電変換層3とを備え、前記光電変換層3が、p型結晶質シリコン層41と、i型結晶質シリコン層42と、n型シリコン層43とを含み、前記透明電極層2と前記p型結晶質シリコン層41との間に、非晶質シリコン層7が隣接して配置される光電変換装置100。 (もっと読む)


【課題】良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜/光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板1上に、順に透明電極層2と、酸化チタンを主に含む酸化チタン層51と、酸化亜鉛を主に含む酸化亜鉛層52と、光電変換層3とを形成する光電変換装置100の製造方法であって、入射光のスペクトルと光電変換層3の量子効率との積である重み関数を算出し、所定の膜厚の酸化チタン層51及び酸化亜鉛層52を透過する光のスペクトルと、算出された重み関数とから、所定の膜厚の酸化チタン層51及び酸化亜鉛層52を透過する光の平均透過率を算出し、算出された平均透過率と、酸化チタン層51の還元防止効果を考慮した酸化亜鉛層52の膜厚範囲に基づいて、形成する酸化チタン層51及び酸化亜鉛層52の膜厚を決定する。 (もっと読む)


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