【課題】耐熱性、および変換効率が十分に高い光電変換素子並びに陰極バッファ層を極めて薄く均一に成膜する光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、透明基板１の上に、透明陰極６、陰極バッファ層５、活性層（活性層（p-層）４ａ、活性層（i-層）４ｃ、活性層（n-層）４b等からなる活性層を含む）、任意の陽極バッファ層３、陽極２という順に積層された構造を有する。陰極バッファ層５は、活性層と陰極６との間に設けられ、シンノリン骨格を有する化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に結晶質シリコンｉ層を備える高効率の光電変換装置を得る。
【解決手段】基板１上に、結晶質シリコンを主とするｉ層４２を備える光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、前記ｉ層４２中の不純物の濃度の上限値を決定し、該決定された不純物の濃度の上限値以下の前記ｉ層４２を製膜する。または、前記ｉ層４２のラマン比に応じて、製膜雰囲気中の不純物ガスの濃度の上限値を決定し、該決定された上限値以下となるように、前記不純物ガスの濃度を制御して前記ｉ層４２を製膜する。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を発現できる光電変換装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つ以上の光電変換ユニットを有する光電変換装置であって、前記１つ以上の光電変換ユニットのうち、光入射側に最も近くに配置された光電変換ユニットに対して光入射側に希土類元素を含む第１波長変換ユニットを配置し、あるいは前記１つ以上の光電変換ユニットのうち、光入射側から最も遠くに配置された光電変換ユニットに対して光入射側の反対側に希土類元素を含む第２波長変換ユニットを配置し、波長を光電変換に有効な波長に変換する機能を有することを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の光学特性と電気的特性を向上させる為の下地構造付透明電極基板の透明下地構造形成のための金型を提供することにある。
【解決手段】光電変換素子に用いる下地構造付透明絶縁基板の下地構造の製造に用いる、金型基板の表面に印刷用テクスチャ構造を有する金型の製造方法であって、前記金型基板の表面に初期テクスチャ構造を形成する工程の後に、初期テクスチャ構造上にＣＶＤ製膜を行う工程を含むことを特徴とする金型の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、有機樹脂成分を含有する基材又は膜上に塗布型バリア層を形成する際の塗布性及び密着性を改良し、安定にバラツキなく、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを製造する方法及びガスバリアフィルムを提供し、かつ、該ガスバリアフィルムを有する有機光電変換素子を提供することである。
【解決手段】有機樹脂成分を含有する基材又は膜の表面にケイ素化合物を含有する液を塗布することで、少なくとも１層のガスバリア層を形成するガスバリアフィルムの製造方法において、該ケイ素化合物含有液を塗布する前に、該有機樹脂成分を含有する基材又は膜の表面に対して塗れ性向上処理を行う工程を有し、該塗れ性向上処理を行う前、該塗れ性向上処理と同時、あるいは該塗れ性向上処理を行った後に加熱することを特徴とする、ガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、極めて高いガスバリア性能と高い耐久性を達成できるバリアフィルム、バリアフィルムの製造方法、バリアフィルムを用いた有機光電変換素子と該素子を用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】基材の表面上にポリシラザンを含有する塗布液を塗布して塗膜を作製する工程、該塗膜を乾燥する工程の後、前記塗膜に真空紫外光を照射する工程を経て、前記塗膜を改質してバリア層を形成する工程を有するバリアフィルムの製造方法において、
前記塗膜を乾燥する工程と、該真空紫外光を照射する工程が終了するまでの間に、表面処理を行う工程を有することを特徴とするバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な印刷性を保持しつつ、体積抵抗率を低く、かつ、アスペクト比を高くすることができ、また、シリコン基板との密着性にも優れる電極を形成することができる太陽電池電極用ペーストおよびそれを用いた太陽電池セルの提供。
【解決手段】銀粉（Ａ）と、所定の式で表される２種の脂肪酸銀塩（Ｂ）と、ビヒクル（Ｃ）とを含有し、
前記銀粉（Ａ）が、平均粒子径が０．７〜５μｍの球状の銀粉末である太陽電池電極用ペースト。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界によるキャリアの消滅を抑制することで高電流・高電圧を発現できる多結晶シリコン系太陽電池を提供する。
【解決手段】一導電性多結晶シリコン基板を用い、多結晶シリコン基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｐ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、多結晶シリコン基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｎ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極層、集電極、さらにその上に保護層が順に形成された多結晶シリコン系太陽電池において、多結晶シリコン基板のキャリア濃度が１×１０¹⁰〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3の範囲であり、上記パッシベーション層が実質真正な非晶質シリコン系化合物及び／又は非晶質酸化アルミニウムから構成される層である多結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】高いバリア性能、折り曲げ耐性とともに平滑性、及び生産適性に優れるガスバリア性フィルムとその製造方法及びそれを用いた有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも片面に、珪素と酸素を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムにおいて、該ガスバリア層の基材面側（Ｂ面）のナノインデンテーション法で測定した硬度をＨ１とし、反対面側（Ａ面）の硬度をＨ２としたとき、その硬度比（Ｈ２／Ｈ１）が、１．５以上、１０．０以下であり、かつ該Ａ面の硬度Ｈ２が２．０ＧＰａ以上であることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 第一に、集電電極、インターコネクタ又は補助電極となる導体層の接触性、接続信頼性に優れる太陽電池構造体、第２に密着信頼性が優れ、その導体層を含む太陽電池構造体を提供するものである。
【解決手段】 パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材が、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、組み込まれてなる太陽電池構造体。上記の基材はその導体層の存在する面が電気取出面に向かうように積層され、電気取出面には、透明導電膜や金属からなり、光電変換層に接続する電気取出電極又はこれに接続する集電電極を構成する導電層が存在する。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブ法による太陽電池セル分離時における残余物質に起因した出力特性の低下が抑制された高品質の薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板１０上に、第１電極層１２と光電変換層１３と第２電極層１４とがこの順で積層されてなり、透光性絶縁基板１０よりも上部の層１２、１３、１４が分離溝２０、２１、２２により短冊状に分割された複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池の製造方法であって、遮光性材料からなる線形状のマスク層１１を分離溝２０、２１、２２により分割される層よりも下層または同層に形成し、マスク層１１を含む領域に透光性絶縁基板１０側からレーザ光を照射し、透光性絶縁基板１０の面内方向における一部分がマスク層１１によってマスクされることにより成形されたレーザ光により透光性絶縁基板１０よりも上部の層に分離溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の有効利用が可能な、光電変換効率に優れた薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、光電変換を行う第１光電変換層３と、中間層４と、光電変換を行う第２光電変換層５と、第２電極層７と、をこの順で有する薄膜太陽電池であって、前記第１光電変換層３の光入射側に複数の凹凸からなる第１のテクスチャ構造２ａが形成され、前記第２光電変換層５の光入射側であって前記第１光電変換層３と前記第２光電変換層５との間に複数の凹凸からなる第２のテクスチャ構造４ａが形成され、前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１が前記第２光電変換層５で光電変換に用いる光の波長よりも短く、前記第２のテクスチャ構造４ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ２が前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１よりも長い。 （もっと読む）

【課題】損傷した太陽電池を交換する工程を簡略化することが可能な太陽電池の交換方法を提供する。
【解決手段】この太陽電池の交換方法は、裏面側接続配線９を半田ごて１１によって加熱することにより、裏面側接続配線９と太陽電池１３の他方面との間に配置された半田層９ｂを溶融して裏面側接続配線９を太陽電池１３の他方面に接続するとともに、半田ごて１１から裏面側接続配線９を介して太陽電池１３の一方面側に伝達された熱により、表面側接続配線８と太陽電池１３の一方面との間に配置された半田層８ｃを溶融して表面側接続配線８を太陽電池１３の一方面に接続する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン太陽電池において、シリコン基板に対する透明電極層による応力の影響を低減し、生産性を高める。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、基板両面に１２００ｎｍ以上の透明電極層を備える結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、前記の透明電極層が同時に製膜されることを特徴とする結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を低減することによって光電変換素子構造の変換効率を改善することである。
【解決手段】発電層と電極との間に、仕事関数の低い下地金属層を設けることにより変換効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置における光電変換効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型のドーパントを含むｐ型層４０、発電層となる微結晶シリコン層であるｉ型層４２及びｎ型のドーパントを含むｎ型層４４を積層した光電変換ユニットを含む光電変換装置であって、ｐ型層４０は、微結晶シリコン層である第１のｐ型層４０ａと、微結晶シリコンｐ型層４０ａとｉ型層４２との間に配置されたアモルファスシリコンｐ型層及びアモルファス炭化シリコンｐ型層の少なくとも一方を含む第２のｐ型層４０ｂと、の積層構造を有するものとする。第２のｐ型層４０ｂは、ｉ型層４２側に酸化層を備える。 （もっと読む）

【課題】外部から薄膜型太陽電池モジュール内への湿分、水分の浸入を防止して、耐湿性を向上させ薄膜型太陽電池モジュールの性能劣化を防止、かつ電気絶縁性も確保し薄膜型太陽電池モジュールの耐用年数を向上させる。
【解決手段】裏面支持材２０２に設けた貫通孔に、水蒸気透過率が０．２ｇ／（ｍ²・Ｄａｙ）以下、かつ、電気抵抗値が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以上の特性を備え、厚さ１ｍｍ以上の充填材を配置する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】突発故障時においてＣＶＤ装置を停止させることなく運用可能であって、基体を運搬する移動装置が休むことなく効率的に稼働する生産効率のよいＣＶＤ装置及びＣＶＤ方法を提供することである。
【解決手段】ＣＶＤ法によって基体に成膜する成膜室を備えた成膜チャンバーと、基体を仮置きする基体仮置き装置とをそれぞれ複数台備えて一群の成膜グループを構成し、当該成膜グループに属する成膜チャンバーと基体仮置き装置との間で基体の受渡しを行うグループ付移動装置を有し、前記成膜グループとグループ付移動装置の組み合わせを複数組備え、それぞれのグループ付移動装置が他の成膜グループに属する成膜チャンバー又は基体仮置き装置と相互に基体の受渡しを行うことのできるＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】多接合型薄膜太陽電池の特性を改善する。
【解決手段】少なくとも２層以上の光電変換層３，５を含む多接合型太陽電池において、隣り合う光電変換層どうしの間に形成された積層領域４に、該積層領域の平面方向に沿って島状に分布する、表面を酸化させた金属粒からなる中間反射構造体８を形成する。 （もっと読む）