【課題】平面性を失わないようにテトラベンゾポルフィリンの特性を変化させ、半導体材料として提供する。
【解決手段】２か所のメソ位が１価の有機基で置換されたテトラベンゾポルフィリンを含む、半導体材料。 （もっと読む）

【課題】可視光の短波長領域における光吸収を抑制することにより、高い光電変換効率を有する光電変換装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に基板側透明電極層２を形成する工程、隣接する２つの電池層９１，９２の間に中間コンタクト層５を形成する工程、及び、光電変換層３上に裏面側透明電極層６を形成する工程のうち少なくとも１つの工程が、前記基板側透明電極層２、前記中間コンタクト層５、及び前記裏面側透明電極層６として、ＧａがドープされたＺｎＯを主とする透明導電膜を、該透明導電膜の単位膜厚当たりの不活性ガス分圧に対するＮ_２ガス分圧の比が所定値以下となるように、前記Ｎ_２ガス分圧を制御して製膜する光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの面内における微結晶シリコン膜の結晶性の不均一性による特性の低下を抑制する。
【解決手段】光電変換ユニット１４に微結晶シリコン膜のｉ型層を発電層として含み、そのｉ型層は、面内において第１の領域３０と、第１の領域３０より結晶化率が低い第２の領域３２とを有しており、太陽電池モジュール１００の端子ボックス２４へのタブ電極２２を第２の領域３２に重畳させて配置する。 （もっと読む）

【課題】良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜／光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、順に透明電極層２と、酸化チタンを主に含む酸化チタン層５１と、酸化亜鉛を主に含む酸化亜鉛層５２と、光電変換層３とを形成する光電変換装置１００の製造方法であって、入射光のスペクトルと光電変換層３の量子効率との積である重み関数を算出し、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光のスペクトルと、算出された重み関数とから、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光の平均透過率を算出し、算出された平均透過率と、酸化チタン層５１の還元防止効果を考慮した酸化亜鉛層５２の膜厚範囲に基づいて、形成する酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２の膜厚を決定する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた光起電力装置において、光電変換効率に優れた光起電力装置を提供する。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備えた結晶シリコン太陽電池であって、前記基板の厚みが１５０μｍ以下であり、前記基板の入射側表面及び裏面側表面に四角錐で構成されるテクスチャ構造を備え、前記基板の入射側表面における算術平均粗さが１５００ｎｍ以下であり、裏面側表面の算術平均粗さが２０００ｎｍ以上であることを特徴とする結晶シリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、低温かつ大気圧下でｐ−ｉ−ｎ積層構造を有するバルクへテロジャンクション型の有機光電変換素子の製造方法、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクへテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、２座以上で金属と配位可能な配位子部分を分子内に２以上有する化合物（ａ）と、２価以上の金属イオン（ｂ）とを含有し、前記化合物（ａ）と金属イオン（ｂ）の配位によって形成された架橋構造を有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】 ラミネート時の出力配線の位置ズレを防ぐともに、開口部からの水分の浸透を防ぎ、太陽電池モジュールの信頼性を向上させるとともに、その歩留まりも向上させる。
【解決手段】 表面保護部材１２と、裏面保護部材１３と、配線部材１６によって電気的接続された複数の太陽電池１１と、表面保護部材１２と裏面保護部材１３との間に、複数の太陽電池を封止する封止部材１４と、太陽電池１１の出力を取り出すための出力配線２０と、を備え、裏面保護部材１３に開口部1３ａが設けられ、この開口部１３ａを覆うように封止フィルム３０が配設されるとともに、封止フィルム３０に、出力配線２０が挿入されるスリットが設けられる。そして出力配線２０が封止フィルム３０のスリット部から開口部１３ａを経て裏面部材１３の外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供すること。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板を用い、前記基板の光入射面に他導電型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記他導電型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記実質的に真正なシリコン系薄膜層が、水素化鎖状シラン化合物、水素化環状シラン化合物および水素化かご状シラン化合物から選ばれる少なくとも一種のシラン化合物に光照射して合成されたポリシラン化合物、並びにシクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有する液体状のシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程、を含む形成方法により形成されていることを特徴とする結晶シリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】中間層を有する積層型光起電力素子において、変換効率の向上した素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の積層型光起電力素子の製造方法は、第１の態様において、基板上に少なくとも１つの光起電力素子を含む第１の光起電力素子部を積層する工程と、第１の光起電力素子部上に、金属酸化物からなる中間層であって、単膜の導電率が２×１０^-12Ｓ／ｃｍ以上１×１０^-8Ｓ／ｃｍ以下である中間層を積層する工程と、中間層を水素を含むプラズマにさらす工程と、水素を含むプラズマにさらした中間層上に少なくとも１つの光起電力素子を含む第２の光起電力素子部を積層する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流電圧特性を高精度に求めることができ、理論式を解析的に解くことなく、内部直列抵抗及び内部並列抵抗を高精度に求めることができる太陽電池の特性測定方法及び特性測定装置の提供。
【解決手段】電流電圧特性を求める太陽電池の特性測定方法であって、太陽電池の所定領域に、異なる条件で光を複数回照射する照射工程と、光の照射ごとに、光照射時の前記所定領域における電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉを測定する測定工程と、前記電流Ｉ_ｉ及び電圧Ｖ_ｉの測定値を使用して、下記式（１）に従って算出されるΔが最小となるように、下記式（２）におけるＩ_ｐｈ、Ｉ_０、Ｒ_ｓ及びＲ_ｓｈを算出する演算工程と、を有することを特徴とする太陽電池の特性測定方法。
［数１］
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【課題】反射防止機能とアルカリバリア機能を兼ね備えた単層の透明薄膜を、透光性基板と透明電極層との間に挿入することによって、光電変換層への光透過率を向上させ、発電効率の高い光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１と、該透光性基板１上に設けられた透明電極層２及び光電変換層３とを備え、前記透光性基板１と前記透明電極層２との間に、Ｙ_２Ｏ_３を主成分とする透明薄膜２０１が設けられた光電変換装置９０を提供する。それによって、単層で反射防止機能及びアルカリバリア機能を有する透明薄膜２０１を備えた、発電効率の高い光電変換装置９０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】中間層を有する積層型光起電力素子において、変換効率の向上した素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の積層型光起電力素子の製造方法は、第１の態様において、基板側から順に第１の光起電力素子部と第２の光起電力素子部とを積層した積層型光起電力素子であって、第１の光起電力素子部と第２の光起電力素子部との間に中間層を少なくとも１層備え、該中間層は、酸素原子濃度／金属原子濃度比率が０．９６０以上０．９７５以下の金属酸化物膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高波長領域の光電変換効率を、より幅広い波長領域において向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】少なくともｐ型半導体層４１と光電変換層４２とｎ型半導体層４３とを含む光電変換装置１であって、前記光電変換層４２はシリコンまたはシリコン化合物からなり反転オパール構造を備え周期的屈折率変化とフォトニックバンドギャップとを有し、前記反転オパール構造の空孔内にはシリコンまたはシリコン化合物とは異なる半導体粒子を備え、該半導体粒子は１２００〜１８００ｎｍの波長領域に少なくとも極大吸収波長を有する、光電変換装置１とする。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、かつ入射角度による光利用効率依存性が改善された太陽電池用光散乱膜及びそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】マトリックス中に散乱体が含有された光散乱層を少なくとも二層有する太陽電池用光散乱膜であって、（１）太陽光入射側の第１の光散乱層の膜表面が平坦であり、（２）前記第１の光散乱層は、膜面に対して法線方向から入射した光の当該第１の光散乱層での全光線透過率が７０％以上であり、（３）前記第１の光散乱層に対し太陽光入射側から遠い側に設置された第２の光散乱層は、膜面に対して法線方向から入射した光の当該第２の光散乱層での全光線透過率が６０％以下であり、かつ、（４）前記第１及び第２の光散乱層の膜面の法線に対して４５°の角度で入射した光に対する当該光散乱層での全光線透過率が所定の関係式を満たすことを特徴とする太陽電池用光散乱膜。 （もっと読む）

【課題】工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のＧａＡｓ層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。
【解決手段】ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記ＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体６は、複数のＩｎＧａＡｓ量子ドット４を設けたＩｎＧａＡｓ薄膜層３と、そのＩｎＧａＡｓ量子ドット４を埋め込むようにＩｎＧａＡｓ薄膜層３上に設けたＧａＡｓバッファ層５から構成するＩｎＧａＡｓ量子ドット構造体６を任意数層積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】 光電池セル及び光電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】 前記方法には、ソーラーセルを通る光の反射又は透過に負に影響しない厚さの裏面接触部内に中間層を配置するステップが含まれる。中間層は、レーザスクライビング中の裏面接触部からの金属剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い集積型の光電変換装置を実現する。
【解決手段】 透明絶縁性の基板上に透明電極、光電変換層、裏面電極層が順次積層されてなる光電変換装置であって、光電変換装置は透明電極および光電変換層を分離する第１の分離溝と裏面電極および光電変換層を分離する第２の分離溝を有し、第１および第２の分離溝によりユニットセルに分離され、ユニットセルは透明電極および裏面電極層により電気的に直列に接続されてなる光電変換装置であって、第２の分離溝は、裏面電極を分離する間隙が前記光電変換層を分離する間隙より大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、受光面にフローティング電位を無くし、特性の安定した太陽電池を提供する。
【解決手段】 この発明の裏面接合型太陽電池は、ｎ型の単結晶シリコン基板１の非受光面側に形成された線状のｎ型領域３とｐ型領域４、ｎ型領域３と接続されるｎ電極６と、ｐ型領域４と接続されるｐ電極７と、基板１の受光面側に形成されたパッシベーション膜８と、パッシベーション膜８上に形成された透明導電膜９とを備え、透明導電膜９は基板１側面にまで延びて形成され、ｎ電極６と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として成膜した薄膜シリコンの膜厚が、基板の中央から周縁部に向かって不均一であった場合でも、薄膜シリコンの膜厚の分布に応じて各光電変換素子の受光部の面積を変化させることができる集積薄膜型の光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光電変換装置は、絶縁基板１と、複数の光電変換素子１２ａ〜１２ｚとを備えている。複数の光電変換素子１２ａ〜１２ｚは、相対的に内側に形成されている光電変換素子の外周を順次取り囲むように絶縁基板１の中央部から絶縁基板１の外周に向かって複数形成されており、中央部を含む最も内側に形成されている光電変換素子１２ａから、最も外周に形成されている光電変換素子１２ｚに向かって順次電気的に直列接続されている。 （もっと読む）

【課題】 放熱機構を設けた構造に適したパッシベーション層を有する光電変換部材を提供する。
【解決手段】 光電変換部材１は、第１の電極層２０、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）によって形成されたｎｉｐ構造を備えた単一の発電積層体２２、及び、当該発電積層体２２上に、ニッケル層２４を介して成膜されたＡｌの第２の電極層２６を有している。
第２の電極層２６上にはＳｉＣＮを含む材料で構成されたパッシベーション層２８が形成される。パッシベーション層２８上には、接着剤層２９を介してヒートシンク３０（例えばＡｌによって形成）が取り付けられている。 （もっと読む）