【課題】 熱膨張による応力を緩和する効果に優れるとともに、幅の広いバスバー配線を用いた場合でもバスバー配線と集電電極との間に空洞が発生しにくい薄膜太陽電池モジュールを実現する。
【解決手段】 薄膜太陽電池素子１０に形成された集電電極２２上に、バスバー配線１７を配置して集電電極２２と電気的に接続する接続工程において、集電電極２２とバスバー配線１７とが互いに間隔をあけた複数の接続部１３で電気的に接続され、その間隔領域内に熱可塑性樹脂を含有するスペーサ１５が集電電極２２とバスバー配線１７との間に設置されるようにする。 （もっと読む）

【課題】光電変換部材において、光電変換に寄与しない波長の光による加熱を防止することである。
【解決手段】位相差フィルムとコレステリック液晶フィルムを含む反射シートを備え、光電変換に寄与する波長を透過し、当該反射シートにより特定波長の入射光を反射するように構成された光電変換部材が得られる。 （もっと読む）

【課題】光や酸素、熱に対して安定であり、有機薄膜太陽電池に用いたときに高効率の光電変換特性を示す有機化合物の提供。
【解決手段】下記式（１）で表されるインドール誘導体。


（式中、Ａｒは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換のアルキル基であり、Ｒ^１〜Ｒ^８はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアルキルアミノ基である。Ｒ^１〜Ｒ^８のうち隣接するものは、互いに結合して環を成してもよい。） （もっと読む）

【課題】膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】透光性を有する被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板の被製膜面に向けて原料ガスを供給した状態で前記原料ガスのプラズマ６を発生させて前記プラズマ６により前記原料ガスを分解して前記被製膜面に堆積させることで微結晶シリコン膜７の製膜を行う製膜室Ｒと、前記微結晶シリコン膜７の結晶化率を、前記被処理基板２における前記被製膜面と反対側からラマン分光法により前記基板ステージ１および前記被処理基板２を通して測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】中間層の形成に起因した光電変換効率の低下が防止された、光電変換効率に優れた積層型薄膜太陽電池を得ることを目的とする。
【解決手段】透光性基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、第１のｐ型半導体層３ａと第１のｉ型半導体層３ｂと第１のｎ型半導体層３ｃとが前記第１電極層２側から順次積層されてなり光電変換を行う第１光電変換層３と、中間層４と、第２のｐ型半導体層５ａと第２のｉ型半導体層５ｂと第２のｎ型半導体層５ｃとが前記第１電極層２側から順次積層されてなり光電変換を行う第２光電変換層５と、第２電極層７と、をこの順で有する薄膜太陽電池であって、前記中間層４は、前記第１のｎ型半導体層３ｃの屈折率と前記第２のｐ型半導体層５ａの屈折率との間の範囲内とされた屈折率を有し、且つ面内方向において屈折率分布を有する。 （もっと読む）

【課題】内部電界を維持しつつ電子の消滅を抑制することが可能な炭素材料からなる半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｐ層１５と、該ｐ層に接続されるｎ層１３と、を備え、ｎ層に、ｓｐ２結合により構成される炭素材料及びｎ型材料が含有されている、半導体装置とする。具体的には、ｎ層がｎ型アモルファスカーボン及びカーボンナノチューブによって構成され、ｉ層１４がｉ型アモルファスカーボン、ｐ層がｐ型アモルファスカーボンによって構成された太陽電池が例示される。 （もっと読む）

【課題】
ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。
【解決手段】
多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池である半導体装置の製造方法において、半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザを利用して大粒径多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成し、この多結晶Ｓｉ層の表面側の領域に、Ｐ型領域とＮ型領域を、近接して設けてＰＮ接合を形成すること、さらにＰ型領域とＮ型領域を結ぶ方向が多結晶Ｓｉの結晶粒界の走る方向と概略平行になるようにすること、部分的にＳｉ層の存在しない領域を含むようにして半透明な半導体装置になるようにしたこと特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高性能の積層型光電変換装置を製造工程を融通性を高めつつ生産効率を改善し得る製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換ユニットを複数含み、相対的に光入射側の前方光電変換ユニット３内の逆導電型層３３がシリコン複合層を少なくとも一部具備する、積層型光電変換装置の製造方法であって、プラズマＣＶＤ工程を有し、シリコン複合層形成工程と、その直後の工程として、一旦大気中に取り出し該シリコン複合層の最外表面を大気に暴露する工程を有し、その直後の工程として、後方光電変換ユニット４の結晶質の一導電型層形成工程を有し、前記後方光電変換ユニットの結晶質の一導電型層形成工程のパワー密度／製膜圧力は、前記シリコン複合層形成工程のパワー密度／製膜圧力の０．０１倍以上０．８倍未満である製造方法によって、解決する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上げることなく、かつ、貫通穴が原因となって生じる歩留を向上させ、薄膜デバイスに適用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、表面から裏面までを貫通する貫通穴を有するアンドープＧａＮ層１０２と、アンドープＧａＮ層１０２の表面上および貫通穴内に形成された、導電性を有するアルミニウム層１０３とを備え、アルミニウム層１０３における貫通穴内に形成された領域のうち、裏面側に露出している絶縁領域１０６は、化学変化により絶縁化されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた高効率な太陽電池を提供する。
【解決手段】タンデム型の太陽電池１００であって、ｐ型の窒化物半導体である第１超格子層１１１とｎ型の窒化物半導体である第２超格子層１１４とを含み、第１の光を吸収する窒化物半導体太陽電池層１１０と、積層されたｐ型アモルファスシリコン層１３１とｎ型アモルファスシリコン層１３３とを含み、前記第１の光より長波長の第２の光を吸収するアモルファスシリコン太陽電池層１３０とを備え、ｐ型の前記第１超格子層１１１、ｎ型の前記第２超格子層１１４、前記ｐ型アモルファスシリコン層１３１、及び前記ｎ型アモルファスシリコン層１３３は、この順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な光電変換効率を有するとともに量産および基板の大面積化に適した実用的な光電変換装置に適した半導体膜の成膜方法およびその半導体膜を含む光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、非晶質構造を含む半導体膜をプラズマＣＶＤ法により製造する半導体膜の成膜方法であって、半導体膜は、ＳｉＧｅ系化合物の非晶質膜またはＳｉＧｅ系化合物の微結晶膜であり、プラズマＣＶＤ法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間／（オン時間＋オフ時間）×１００（％）をＤｕｔｙ比とすると、該Ｄｕｔｙ比が１０％以上５０％以下を満たす範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変換効率および信頼性の向上した裏面電極型太陽電池および、電極形成工程の少ない、導電性ペーストを用いた裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の太陽電池は、第１導電型の半導体基板の一表面に第１導電型と同じ導電型の第１ドーピング領域と、第１導電型と異なる導電型である第２導電型の第２ドーピング領域とを備え、第１ドーピング領域上に形成された第１電極と、第２ドーピング領域上に形成された第２電極とを含む裏面電極型太陽電池であって、上記第１電極と第２電極とは焼成電極であり、第１電極および第２電極のうち少なくとも第１電極は、その表面に導電性被覆層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池等の電子装置には、無アルカリガラスを使用するか、安価なアルカリガラスを使用した場合には、拡散防止層を設ける必要があった。
【解決手段】透明導電性層のうち、酸化亜鉛層がナトリウムの拡散を防止する作用を有することを見出し、当該酸化亜鉛層を電子装置の電極と同時に、ガラス基板からのナトリウムの拡散を防止する拡散防止層として利用した電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池１００において、第１実施形態に係る太陽電池１００において、保護層１７の第２表面１７Ｓ_２は、第１表面１７Ｓ_１の耐酸性よりも高い耐酸性を有する。 （もっと読む）

【課題】
電磁気学的あるいは光学的デバイスにおいて、特性調整が正確かつ容易なこと、製法上従来工程への付加に障害がないこと、高価な材料を使用しないことなどを踏まえた上で特性を向上させる。
【解決手段】
スパッタ等の手法を用い、平面的に微粒子２を分散させた平面構造で、これを複数層積層することで、微粒子層を形成し、これをデバイスに付加する。この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。また、この微粒子２を金属粒子とすることで、局在表面プラズモンによる効果を利用できる。両者を単独または同時にデバイスに付加し、電磁気学的あるいは光学的特性向上のための補助層とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い光電変換装置を、低い製造コストで製造する。
【解決手段】ｐ型のアモルファスシリコン層５上に、水素化ポリシランをデカヒドロナフタレンに溶かした溶液と、結晶性ＰｂＳ微粒子をトルエンに分散させた溶液の混合溶液を塗布し、乾燥後に熱処理を施すことにより、結晶性ＰｂＳ微粒子を含有するｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ａと結晶性ＰｂＳ微粒子を含有しないｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子、特に、有機薄膜太陽電池として用いたときに高効率の光電変換特性を示す新規な光電変換素子用材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


（式中、Ｌは２価又は３価の基であり、Ｒｇはそれぞれ、置換もしくは無置換の、ベンゼン環又はナフタレン環であり、Ｘはそれぞれ、酸素原子、又はＮ−Ｒ^１であり、Ｒ^１はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、Ｃ_１〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ_２〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ_２〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアルキニル基、Ｃ_６〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ_３〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、Ｃ_１〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ_６〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_２０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であり、ｎは２又は３である。） （もっと読む）

【課題】ｉ層が結晶質シリコンゲルマニウムからなる光電変換層を備え、長波長領域における高い発電特性を示す光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、光入射側から順に、ｐ層４１と結晶質シリコンゲルマニウムｉ層４２とｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層４２中のゲルマニウム濃度が、前記ｐ層４１側から前記ｎ層４３側に向かって段階状に減少するように変化していることを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にクラックが発生することを抑制可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、ｎ型半導体領域１２ｎは、レーザの照射によってｎ型ドーパントを半導体基板１１内にドーピングすることによって形成された領域である。ｎ型半導体領域１２ｎは、半導体基板１１の劈開面と交差する方向に沿って形成されている。 （もっと読む）