【課題】信頼性および出力特性に優れた薄膜太陽電池を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板上に、透明導電材料からなる第１電極層と、半導体薄膜からなり光電変換を行う光電変換層と、光を反射する導電層を含む第２電極層と、が順次積層されてなる複数の薄膜太陽電池セルが配設されるとともに、隣接する前記薄膜太陽電池セル同士が電気的に直列接続された薄膜太陽電池であって、前記第２電極層は、前記光電変換層上に順次積層された銀膜からなる導電性反射膜と、窒化チタン膜からなり前記導電性反射膜の保護膜である表面保護膜と、を含み、前記直列接続された複数の薄膜太陽電池セルのうち、両端の前記薄膜太陽電池セルは、前記表面保護膜上に、導電性接着剤または導電性粒子含有樹脂からなる導電性接着層を介して、前記薄膜太陽電池セルからの電力の取り出し用の取り出し配線が配設されている。 （もっと読む）

【課題】大面積の薄膜太陽電池に単位セルを画成するパターニングラインを高速かつ高精度で加工できるとともに、装置を小型化するうえでも有利な薄膜太陽電池のレーザ加工装置および加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１００は、可撓性基板１の長手搬送方向に並設された加工ステージ（４）上の２つの加工領域Ｒ１，Ｒ２（ｙ１，ｙ２）に対して、それぞれレーザ光を走査し、同時並行してパターニングを行なう２つのガルバノスキャナ（１４，２４）と、それらに共通の制御部（１９）とを備えている。各ガルバノスキャナは、直交２軸方向の走査に対応した第１ミラー（１４ａ，２４ａ）および第２ミラー（１４ｂ，２４ｂ）を有し、各第１ミラーの走査方向が、可撓性基板の単位セル直列接続に係るパターニングライン（Ｇｙ）と平行な長手搬送方向（ｙ）に設定され、各第２ミラーの走査方向が、各加工領域の境界および可撓性基板の各単位モジュールを区分するパターニングライン（Ｇｘ）と平行な幅方向（ｘ）に設定されている。 （もっと読む）

【課題】従来に比して薄膜太陽電池の製造コストを抑えるとともに、中間層の下に形成される光電変換層の光電変換効率の低下を引き起こさない薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】絶縁透光性基板２上に、表面電極層１１と、シリコンを含む半導体材料からなるｐ型半導体層１３１、ｉ型半導体層１３２およびｎ型半導体層１３３を順に積層した第１の光電変換層１３と、ｎ型の微結晶シリコンとアモルファスシリコンとが混在する複合層１４Ａと、を順に形成し、酸素ガスを含むプラズマを複合層１４Ａに照射して、微結晶シリコンとアモルファス酸化シリコンとが混在する中間層１４を形成した後、中間層１４上に、第１の光電変換層１３よりもバンドギャップの小さいシリコンを含む半導体材料からなるｐ型半導体層１５１、ｉ型半導体層１５２およびｎ型半導体層１５３を順に積層した第２の光電変換層１５と、裏面電極層１６と、を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた熱寸法安定性と低吸水率を太陽電池の基材として用いたときに製造時の信頼性の高い太陽電池基材用フィルムを提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂からなり、１２０℃から２００℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温したときの熱膨張率が長手方向および幅方向のいずれも５０ｐｐｍ／℃以下であり、吸水率が１％以下であることを特徴とする、太陽電池基材用フィルム。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く高精度にスクライブ加工を実施する。
【解決手段】スクライブ加工装置１は、表面に被スクライブ加工膜Ｍが形成された連続した帯状の可橈性基板Ｂを、張力を付与しながらウェブ搬送する搬送手段１０と、被スクライブ加工膜Ｍが形成されていない側から可橈性基板Ｂに対して凸曲面２１Ｓを接触させて、可橈性基板Ｂを押圧する押圧手段２０と、被スクライブ加工膜Ｍに対してスクライブ加工を行うスクライブ手段３０とを備えた装置であり、スクライブ加工の際に可橈性基板Ｂに掛かる単位断面積あたりの張力Ｔ_ｎ及び押圧力Ｐが、下記式（１）〜（３）を充足する。
１．５ＭＰａ≦Ｔ_ｎ≦２５ＭＰａ・・・（１）、
４ｋＰａ≦Ｐ≦５０ｋＰａ・・・（２）、
５ＧＰａ²≦Ｔ_ｎ×Ｐ≦８００ＧＰａ²・・・（３） （もっと読む）

【課題】優れた熱寸法安定性と低吸水率を太陽電池の基材として用いたときに製造時の信頼性の高い太陽電池基材用フィルムを提供する。
【解決手段】熱可塑性樹脂からなり、１２０℃から２００℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温したときの熱膨張率が長手方向および幅方向のいずれも５０ｐｐｍ／℃以下であり、
波長４００〜９００ｎｍの範囲での全光線透過率が平均７０％以上であり、吸水率が１％以下であることを特徴とする、太陽電池基材用フィルム。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの損傷が抑制される薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、それぞれが一定の幅を有する３つ以上のセルストリングを含むセルモジュールとを備え、各セルストリングは、直列接続された複数の太陽電池セルを備え、前記セルストリングは、前記基板上に、前記太陽電池セルが直列接続された方向に対して垂直な方向に並べて設けられかつ双方的に互いに並列接続され、前記太陽電池セルは、それぞれ表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順で重ねて備え、各セルストリングは、該セルストリングに含まれかつ隣接する前記太陽電池セルの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続しかつ該セルストリングの幅と同じ幅を有するコンタクトラインを備え、前記３つ以上のセルストリングのうち両端の前記セルストリングの少なくとも一方は、他の前記セルストリングより広い幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流による薄膜太陽電池モジュールの出力の低下を小さくすることができる薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、それぞれが一定の幅を有する３つ以上のセルストリングを含むセルモジュールとを備え、各セルストリングは、該セルストリングの幅と同じ幅を有しかつ直列接続された複数の太陽電池セルを備え、前記セルストリングは、前記太陽電池セルが直列接続された方向の長さが同じであり、かつ前記基板上に、並べて設けられかつ並列接続され、前記太陽電池セルは、それぞれ表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順で重ねて備え、各セルストリングは、前記太陽電池セルの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続しかつコンタクトラインを備え、前記３つ以上のセルストリングのうち両端の前記セルストリングは、他の前記セルストリングより狭い幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】背面電極内に光透過部をパターン形成することによって光透過部を通して太陽光が透過されるようにし、従来の薄膜型太陽電池に比べて光透過領域が増加し、ガラス窓の代用とするのに充分な可視圏を確保できる薄膜型太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に所定間隔離間して形成される前面電極と、前面電極上にコンタクト部または分離部を介在して離間して形成される半導体層と、コンタクト部を通じて前面電極と連結され、分離部を介在して離間して形成される背面電極と、を含んでなり、ここで、光透過領域を増大させるために、所定部分に光透過部が設けられるように背面電極がパターン形成されたことを特徴とする薄膜型太陽電池及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窓材ガラスとして用いられるような、十分に透明な光起電デバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、基体（３）上に配置されたｐ−ｉ−ｎ型の複数の光電池（２）を含む光起電デバイス（１）に関する。この本発明の光起電デバイス（１）は、単層の形で、互いに平行に配置されており、導電層（７）が、各電池（２）の連続するｎ層（６）とｐ層（５）との間に配置されており、それによって複数の光電池（２）が直列に電気的に接続されている。また本発明は、グレージングとしてのこのような光起電デバイス（１）の使用、このような光起電デバイス（１）の製造方法、透明なこのような光起電デバイス（１）の検査方法、及びこのような検査方法を実施するための設備に関する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑化させることなく、高効率な光電変換装置を提供する。
【解決手段】一導電型である第１不純物半導体層と、結晶質半導体の占める割合が非晶質半導体よりも多い第１半導体領域と、非晶質半導体の占める割合が結晶質半導体よりも多く、且つ非晶質半導体中に放射状結晶と針状の成長端を有する結晶が混在する第２半導体領域と、を含む半導体層と、第１不純物半導体層と逆の導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層され半導体接合を構成するユニットセルを有する。 （もっと読む）

【課題】基体が非磁性体である場合に当該基体を搬送しながら成膜でき、当該基体に損傷を与えず、長いゲート面間長を要さずにガス分離機能を十分に持つことができるロール・ツー・ロール方式半導体素子生産装置１を提供する。
【解決手段】ゲート５の内部に３本のロール１１ａ等を配置して略Ｕ字形の基体１８の搬送経路を設けた。中央部ロール１１ｂの径は他のロールの径より太い。基体１８は３本のロール１１ａ等のロール面に掛けられている。容器１３内に、３本のロール１１ａ等の各円周面及び略Ｕ字形の搬送経路に沿う基体１８の搬送経路に相当するゲート隙間を極小の隙間とするように、ゲート隙間形成部材１０ａ等を配設した。パージ・ガスはガス・パージ導入部材１２ａ等の吹出し口１６等からロール面に向い吹出される。中央部ロール１１ｂの回転軸は容器１３の穴を連通し端部シール体１５を介してロール支持体１４により両端を支持されている。 （もっと読む）

【課題】ｉ層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制すると同時にドーパントの活性化を行うことにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１上に、第１透明電極１２と、ｐ型シリコン層１３、ｉ型シリコン層１４及びｎ型シリコン層１５からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極１６とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、ｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層上にｉ型シリコン層１４を積層し、更にｉ型シリコン層１４上にｎ型シリコン層１５またはｐ型シリコン層を積層することにより、前記ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の単結晶半導体層を有する半導体基板をＣＭＰ処理や高温の熱処理を必須とせずに作製することを目的の一とする。又、半導体基板の生産性の向上を目的の一とする。
【解決手段】第１の基板上に設けられた第１の単結晶半導体層をシード層として気相エピタキシャル成長を行うことで、第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成し、両層の界面で分離を行い、第２の基板上に第２の単結晶半導体層を転載し半導体基板を得るとともに、該シード層に対しレーザー処理を行い再利用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高ＴＡＴと加工不良低減を両立できるレーザ加工装置を提供することにある。
【解決手段】レーザ照射部（４，５，６）と、基板のうねりを測定するうねり測定部（１１，１２）や基板上に形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定部、基板上の薄膜がレーザ加工されて形成された溝を光学的に検査する光学的検査部（８，９，１０）との位置関係が一定に保たれるように互いに固定して配置されたレーザ加工装置。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造を必要とせず、出力低下やホットスポット現象を防止することができ、信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明に係る太陽電池モジュール１０は、基板１１上に第一電極層１３、発電層１４、第二電極層１６を順に重ねてなる積層体１２が、スクライブ線２０により区画されて複数の太陽電池セル２１とされ、隣接する位置にある該太陽電池セル同士を直列に接続し、複数段の該太陽電池セルから構成される太陽電池モジュールであって、前記第二電極層は、膜厚が厚い第一部位１６ａと、該第一部位に比べて膜厚が薄い第二部位１６ｂとを有しており、前記第一部位と前記第二部位は何れも、前記スクライブ線に交差するように、かつ交互に配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】高出力の光電変換装置とすることができる裏面電極構造を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１層の光電変換層３と、裏面電極構造とを備える光電変換装置１００であって、前記裏面電極構造が、基板１側から順に、第１裏面透明電極層７と、低屈折率層８と、第２裏面透明電極層９と、金属膜からなる裏面電極層４とを積層されて構成され、前記低屈折率層８の屈折率が、前記第１裏面透明電極層７及び前記第２裏面透明電極層９の屈折率よりも低いことを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】地球資源に対する影響を最小限に留めて、大面積、大電力を可能にする光電変換素子及び太陽電池を得ることである。
【解決手段】非晶質シリコンによって形成されたｎｉｐ構造を備え、ｎ＋型ＺｎＯ層により形成された透明電極に対して、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層を接触した構造によりエネルギ変換効率を向上させた光電変換素子が得られる。 （もっと読む）