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Fターム[5F051DA04]の内容

光起電力装置 (50,037) | 素子構造 (3,383) | 接合形態 (2,084) | pin (847)

Fターム[5F051DA04]に分類される特許

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【課題】太陽電池の構造を大幅に変更することなく、任意の場所に設置できる太陽電池を提供する。
【解決手段】一枚のガラス基板の裏面に発電層を設けた薄膜構造の太陽電池の製造方法であって、ガラス基板より大きい耐酸性のプラスチックシートを、ガラス基板の裏面を被覆して接着させる第1工程(ST1)と、プラスチックシートに接するガラス基板の周縁に、ガラス基板の裏面への液浸入を阻止する耐酸性の封止層を、ガラス基板の板厚より薄く形成する第2工程(ST2)と、プラスチックシートが接着されたガラス基板の表面全体に、化学研磨液に接触させてガラス基板を薄型化する第3工程(ST3)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】融着部により取出電極と取出配線とを接合する場合にも、取出電極が剥離し易くなることを抑制することにより信頼性が低下してしまうことを抑制することが可能な薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池モジュール1は、複数の薄膜太陽電池セルからなる発電部と、発電部の端部に位置する薄膜太陽電池セルに接続された表面電極41を含む電気取出部4と、電気取出部4上に形成され、発電部により発電された電気を取り出すためのタブ電極6と、表面電極41とタブ電極6とを接合する半田5と、タブ電極6から電気を取り出すために設けられ、平面的に見て半田5と重ならないようにずれた位置において半田8によりタブ電極6に接合されたタブ配線9とを備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池において、光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供することにある。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記n型シリコン系薄膜層と接して酸化亜鉛層を主成分とする導電性酸化物層を備えた結晶シリコン太陽電池であって、前記n型シリコン系薄膜層が、前記実質的に真正なシリコン薄膜層と接してなるn型非晶質シリコン系薄膜層と、該n型非晶質シリコン層及び前記酸化亜鉛層を主成分とする導電性酸化物層と接してなるn型微結晶シリコン系薄膜層を含む、結晶シリコン太陽電池。 (もっと読む)


【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池において、各半導体接合界面や集電極付着界面で各層の剥離が起こりやすく、生産性および耐久性に悪影響を与えるという課題があった。
【解決手段】
厚みが200μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも1層に1〜20nmの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 (もっと読む)


【課題】薄いp型単結晶あるいは多結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】厚みが150μm以下のp型単結晶シリコン基板2あるいはp型多結晶シリコン基板を用い、前記基板の光入射面にn型シリコン系薄膜層4を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層3を備え、前記基板の裏面にp型シリコン系薄膜層7を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層6を備えた結晶シリコン太陽電池。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率を向上させることが可能な、光電変換素子を提供する。
【解決手段】p層及びn層、並びに、p層とn層との間に配設されたi層を備え、i層は、第1半導体によって構成される壁層、及び、該壁層中に配設された第2半導体によって構成される量子構造部を有し、第1半導体のバンドギャップは第2半導体のバンドギャップよりも広く、第1半導体よりもバンドギャップが広い材料によって構成される障壁が、少なくともi層の厚さ方向中央部に配設された量子構造部と壁層との間に配設され、i層のp層側端部に配設された量子構造部の少なくともp層側、及び/又は、i層のn層側端部に配設された量子構造部の少なくともn層側に、障壁が配設されていない、光電変換素子とする。 (もっと読む)


【課題】発電効率を高効率化した、CIS太陽電池を用いたタンデム型薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】タンデム型薄膜太陽電池1は、カルコパイライト型化合物の半導体を含んでなるカルコパイライト型化合物の半導体層(CIS半導体層103)を含むボトムセル100と、前記ボトムセル100の上に形成され、前記CIS半導体層103の禁制帯準位よりも大きな禁制帯準位を有する非晶質の半導体を含んでなる混合層111を含んで形成されるトップセル110と、前記ボトムセル100と前記トップセル110を接合するために前記ボトムセル100と前記トップセル110の間に形成された、多孔質構造を有する金属酸化物を含んでなる金属酸化物層105とを有する。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は波長600nmの光に対する吸収係数が膜厚方向に互いに異なる高吸収アモルファス炭化シリコン層30aと低吸収アモルファス炭化シリコン層30bとを含み、低吸収アモルファス炭化シリコン層30bとi型層32との間にバッファ層30cを設ける。 (もっと読む)


【課題】太陽電池モジュールの製造コストを低減することができる太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】第1導電型不純物拡散領域および第2導電型不純物拡散領域が形成された半導体基板と、第1導電型不純物拡散領域に対応して半導体基板の一方の表面側に設けられた第1導電型用電極と、第2導電型不純物拡散領域に対応して半導体基板の一方の表面側に設けられた第2導電型用電極とを有し、第1導電型用電極および第2導電型用電極の少なくとも1つが複数に分割されてなる太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 (もっと読む)


【課題】光電変換特性の優れた集積型薄膜光電変換装を低コストで提供する。
【解決手段】透光性基板1上に順次積層された裏面透明導電層2、レーザ光吸収層3、裏面電極層4、半導体光電変換ユニット5、および受光面透明電極層6を含み、これらの層をレーザビームによって加工する。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを積層したアモルファスシリコン太陽電池ユニットを備え、p型層30は、p型ドーパントが添加された高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、p型ドーパントが実質的に添加されていないアモルファスシリコンバッファ層30bとを含んだものとする。ここで、アモルファスシリコンバッファ層30bのバンドギャップは1.65eV以上とする。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、高濃度アモルファス炭化シリコン層30aよりp型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層30bと、低濃度アモルファス炭化シリコン層30bとi型層32との間に形成されたバッファ層30cとを設ける。ここで、バッファ層30cの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層30a及び低濃度アモルファス炭化シリコン層30bの膜厚よりも厚くする。 (もっと読む)


【課題】GaN系半導体からなる太陽電池に良好なタンデム構造を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体太陽電池は、III-V族窒化物半導体からなり、第1のpn接合を含む第1の半導体層102と、III-V族窒化物半導体からなり、第1の半導体層102とは禁制帯幅が異なる第2のpn接合を含む第2の半導体層104とを有している。第1の半導体層102と第2の半導体層104との間には、第1の半導体層102及び第2の半導体層104のそれぞれとオーミック接触して形成され、且つ亜鉛を含む酸化物層である第1のコンタクト層103が形成されている。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を有し、かつ相対効率の低下が少ない有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明電極、対電極、および透明電極と対電極の間に単数または複数の有機層を有する有機光電変換素子であって、前記有機層中にシクロファン構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイ。 (もっと読む)


【課題】セル分離時における裏面電極層の金属残渣の発生に起因したセル分離部の絶縁抵抗の低下や短絡の発生を防止して発電効率および歩留まりに優れた薄膜太陽電池を製造することができる薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】光電変換層上に中間導電体層を形成する工程と、中間導電体層の表面から第1電極層の表面まで達する分離溝を形成する工程と、中間導電体層が光電変換層の側壁部から分離溝の内部方向に突出した突出部を形成する工程と、中間導電体層の表面から第1電極層の表面まで達する接続溝を形成する工程と、接続溝内において第2電極層と第1電極層とを電気的に接続するとともに分離溝内において第2電極層と第1電極層とを電気的に絶縁するように、突出部の下面または光電変換層の側壁部の少なくとも一部には導電膜を被覆せずに、導電膜を中間導電体層上および接続溝内に形成して第2電極層を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換特性、および信頼性に優れた積層型薄膜光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】透光性基板1上に順次積層された裏面透明導電層2、導電性を有するレーザ光吸収層3、裏面電極層4、半導体光電変換ユニット5、および受光面透明電極層6を含み、これらの層をレーザビームによって加工する。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34とを備え、p型層30は高濃度アモルファス炭化シリコン層30aと、p型ドーパントが実質的に添加されていないシリコン層30bと、シリコン層30bとi型層32との間に形成されたバッファ層30cとを設ける。 (もっと読む)


【課題】選択的波長の反射率を高めた透明複合シートにより光閉じ込め効果を誘起させ太陽電池の変換効率の高い太陽電池用基板を提供すること。
【解決手段】透明樹脂と球状ナノ微粒子を含む透明複合シートで、前記球状ナノ粒子が充填配列構造を成している透明複合シートから構成される太陽電池用基板であり、好ましくは透明複合シートが光照射下で全光線透過率が80%以上かつ構造発色による光を反射するものであり、前記球状ナノ粒子の一次粒子の平均粒子径が15〜500nmである太陽電池用基板。 (もっと読む)


【課題】光や酸素、熱に対して安定であり、有機薄膜太陽電池に用いたときに高効率の光電変換特性を示す有機化合物の提供。
【解決手段】下記式(1)で表されるインドール誘導体。


(式中、Arは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換のアルキル基であり、R〜Rはそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアルキルアミノ基である。R〜Rのうち隣接するものは、互いに結合して環を成してもよい。) (もっと読む)


【課題】膜質の安定した微結晶シリコン膜を歩留まり良く形成可能な微結晶シリコン膜の製造装置および微結晶シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】透光性を有する被処理基板2が基板ステージ1上に保持され、前記被処理基板の被製膜面に向けて原料ガスを供給した状態で前記原料ガスのプラズマ6を発生させて前記プラズマ6により前記原料ガスを分解して前記被製膜面に堆積させることで微結晶シリコン膜7の製膜を行う製膜室Rと、前記微結晶シリコン膜7の結晶化率を、前記被処理基板2における前記被製膜面と反対側からラマン分光法により前記基板ステージ1および前記被処理基板2を通して測定する測定手段と、を備える。 (もっと読む)


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