【課題】 分散剤の使用量が少なく、緻密性、均一性、表面平滑性に優れた半導体膜を簡便な方法で得ることができる金属酸化物半導体粒子分散体組成物の提供。
【解決手段】
平均粒子径が１〜１００ｎｍである金属酸化物半導体粒子と、下記式（１）で示される化合物からなる分散剤と、溶媒とを含有することを特徴とする金属酸化物半導体粒子分散体組成物である。式（１）のＲは、分岐鎖を有し炭素数が３〜２４のアルキル基またはアルケニル基であり、ＡＯは炭素数が１ないし４のオキシアルキレン基であり、ｎはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す５〜３０の範囲の数値であり、Ｘは炭素原子、水素原子及び／又は酸素原子からなる連結基である。
【化１】
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【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程１、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および／または改質を行う工程２を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第１の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第２の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上にガリュウムを堆積する方法を提供する。
【解決手段】ガリウムを含むガリウム成分；１，３−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物から選択される安定化成分、および１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選択される添加剤、並びに液体キャリアを当初成分として含み、安定な分散物であるガリウムインクを用い基板に堆積し加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが分散媒体中に均一に分散されており、成膜性および成形性に優れ、かつ、簡便な方法で基板に塗工することができる組成物、ならびに該組成物から形成されたカーボンナノチューブ含有膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は（Ａ）カーボンナノチューブと、（Ｂ）金属塩およびオニウム塩から選ばれる少なくとも一種と、を含有する組成物であって、前記組成物中の前記（Ａ）成分の濃度Ｍ_Ａ（質量％）および前記（Ｂ）成分の濃度Ｍ_Ｂ（質量％）がＭ_Ｂ／Ｍ_Ａ＝２．０×１０^−４〜４．０×１０^−２である。 （もっと読む）

【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体粒子１（ナノ粒子）が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各絶縁体粒子１は、その３軸が直交する位置にある４個の絶縁体粒子１が面心の位置にある絶縁体粒子１に接触している。そして、導電体粒子２（ナノ粒子）が絶縁体粒子１の相互間の隙間に位置する。この絶縁体粒子１の直径をＲとすると、立方格子の１辺の長さａは、√２×Ｒとなる。導電体粒子２は、接触していない絶縁体粒子１の相互間の隙間に位置するので、導電体粒子２の直径は、ａ−Ｒ以下であればよい。導電体粒子の代わりに、半導体粒子を使用することもできる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体の、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ、Ｖｇ（ＯＮ））を向上させ、ばらつきを低減させて、生産効率が向上した製造方法を提供することであり、また、この酸化物半導体を用いた半導体素子、薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】金属塩を含有する半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、加熱時の昇温速度が１〜１００℃／分であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、前駆体から形成される酸化物半導体薄膜の半導体特性の向上と、その安定性の向上であり、高性能な薄膜トランジスタを安定して得ることにある。
【解決手段】前駆体の溶液または分散液の塗布膜に半導体変換処理を行って形成される金属酸化物半導体薄膜であって、窒素元素の含有率が０．０１ｐｐｍ〜４５００ｐｐｍであることを特徴とする半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】低温化されたプロセス温度で製造でき、かつ、キャリア移動度や電流オン・オフ比の高い薄膜トランジスタを実現することができる金属酸化物半導体とその製造方法を提供し、当該金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体水溶液を基材上に塗布、乾燥し、金属酸化物半導体前駆体膜を形成し、該金属酸化物半導体前駆体膜を転化することにより金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物半導体前駆体膜の形成から、転化行程までのあいだに加熱処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体及び薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

有機薄膜トランジスタを形成する方法であって、有機半導体の堆積の前に１つ以上の結晶化部位でチャネル領域の外側の表面に種晶付けし、種晶付けされた表面、およびチャネル領域上に有機半導体の溶液を堆積させることにより、有機半導体が結晶化部位または各結晶化部位において結晶領域を形成し始めるようにして、結晶領域または各結晶領域が、その結晶化部位からチャネル領域を越えて、前進する表面蒸発前線により定まる方向に成長するようにし、エネルギーを印加して表面蒸発前線の移動の方向および速度を制御することにより、チャネル領域の外側の１つ以上の結晶化部位からの、チャネル領域を越えた結晶領域または各結晶領域の成長の方向および速度を制御することを含む方法である。 （もっと読む）

【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜、特に、前駆体から熱変換され形成される酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体特性の向上およびその安定性が向上した生産効率の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基材上に設けられた半導体ナノ粒子を含む印刷層を、低温かつ短時間で焼成処理して、ち密かつ平滑で性能に優れ、さらに薄い半導体層を形成してなる半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法、である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの作製過程で成膜に使用可能な水性の有機半導体分散液を提供する。
【解決手段】少なくとも電荷輸送能力のある有機半導体粉体と、水を主成分とする溶媒と、を含有するとともに、有機半導体粉体が前記溶媒中に分散してなる電子デバイス作成用水性分散液が提供される。この電子デバイス作成用水性分散液は、有機トランジスタや感光体などの各種電子デバイスの製造にあたり、被処理体上に適用され、乾燥させることにより有機半導体膜を成膜する用途に用いられる。 （もっと読む）

置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。
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【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板１１上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子２０を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子２０を含む非単結晶膜１２を成膜し、この非単結晶膜１２が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜１２を加熱し、無機結晶粒子２０の一部を結晶核として非単結晶膜１２を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜１を製造する。 （もっと読む）

本発明は、非極性芳香族ポリマーを含む層を導電性ポリマーでコーティングするためのプロセス、およびこのプロセスによって製造される高分子層に関する。 （もっと読む）

【課題】大気中でも製造可能であり、製造が容易であり、かつ、高い結晶配向性を有する単結晶薄膜を形成することが可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体１上の薄膜材料を含む液状体２に側部界面３を形成し、かつ、側部界面３の位置を移動しつつ、液状体２から薄膜材料の結晶を基体１上に成長させる。側部界面３の位置を結晶の成長速度に合わせて移動させる。 （もっと読む）

所望の電気特性の連続膜が、予め作製されたナノ粒子の２つ又は３つの分散液を連続して印刷及びアニールすることによって得られる。
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