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電子ビーム露光 (6,230) | 制御対象 (984) | 電子銃 (125)

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【課題】電子銃室内におけるパーティクルを効率良く、かつ確実に除去することによって放電の可能性を低減させることができる電子銃、荷電粒子ビーム描画装置及びパーティクルの除去方法を提供する。
【解決手段】電子を放出する電子源11cと、電子源11cから放出される電子を収束するウエネルト11dと、を含むカソード11aと、電子源11cとの間で加速電圧が印加されるアノード11bと、カソード11aとアノード11bとを納める電子銃室11eに接続され、電子銃室11e内を真空状態に作出する真空排気系11lと、真空排気系11lと対向する位置に設けられ、電子銃室11e内に気体を導入する気体導入口11mと、を備え、ウエネルト11dには、ウエネルト11dに付着するパーティクルPを除去する際にウエネルト11dに電圧を印加するパーティクル除去用電源機構26が接続されている。 (もっと読む)


【課題】装置の動作時においてダウンタイムを短縮できる電子銃、電子ビーム描画装置および電子銃の脱ガス処理方法を提供する。
【解決手段】電子銃20は、電子を放出する電子源4と、電子源4との間で加速電圧が印加されるアノード6と、電子源4とアノード6との間に配置され、電子源4から放出された電子を収束させるウェネルト5と、ウェネルト5に向けて熱電子を放出する電子放出部12とを有する。電子放出部12から放出される熱電子をウェネルト5に衝突させて、ウェネルト5の温度を上昇させる方法に従い、効率の良い電子銃20の脱ガス処理を実現する。電子ビーム描画装置80は電子銃20を用いて構成し、脱ガス処理に伴う装置のダウンタイムを低減する。 (もっと読む)


【課題】マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置100は、試料を配置するステージ105と相対移動しながら、電子ビーム200,300を用いて試料にパターンを描画する複数のカラム220,320と、パターンが描画される試料101の描画領域が複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプレイヤ作成部50と、を備え、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、同時期に、試料のチップ領域に描画を行う。 (もっと読む)


【課題】電子銃の異常放電を効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】加熱により電子を放出するカソードと、カソードとの間でバイアス電圧が印加されるウェネルトと、カソードとの間に加速電圧が印加され、カソードから放出された電子を集束して電子ビームを形成するアノードとを備えた電子銃に対し、アノードとウェネルトの間に電圧を印加してこれらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法である。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電圧を所定値まで増加させた後にこの所定値を超えない範囲で電圧を周期的に変化させて行う。そして、放電の停止を確認し所定時間が経過してから、電圧を周期的に変化させての電圧の印加を停止する。 (もっと読む)


【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第1の基板2上に第1のパターン5を形成し、当該第1のパターン5に沿って1または2以上の第1のエミッタ10を設けて第1のフィールドエミッション部1を形成するステップと、前記第1のエミッタ10から電子線を照射して表面が導電性を有する第2の基板16上に第2のパターン18を形成し、当該第2のパターン18に沿って1または2以上の第2のエミッタを設けて第2のフィールドエミッション部15を形成するステップとを備え、前記第2のフィールドエミッション部15を複数形成してパターン状電子源25を製造する。 (もっと読む)


【課題】ブランカを用いない光スイッチング電子源及びそれを用いた電子線描画装置を提供する。
【解決手段】光スイッチング電子源1は、光源2と、光源2からの断続光が照射されることで電子を発生する電子発生部3と、を備え、電子発生部3は、光励起によって電子を発生する電子源9と、電子源から電子を引き出す電極7と、電子を引き出す電源8と、を備えている。電子源9は、pn接合又はpin接合9a等を用いることができ、pn接合9ap層6a又はn層6bが突起形状を有していてもよい。pn接合9aがアレイ状に配設されていれば、複数の電子線12を発生することができる。さらに、電子発生部3の電子出射側に電子線整形部4が配設されていてもよい。電子線整形部4は、アインツェルレンズ41と、アインツェルレンズ用電源11と、から構成することができる。 (もっと読む)


【課題】時間的にも空間的にも均一な電子ビームを供給する電子源を提供する。さらに、射出面積の小さい電子源を提供する。
【解決手段】射出面4と、加熱されたときに仕事関数の低い粒子を放出する材料のためのリザーバ2と、このリザーバ2から前記射出面4への仕事関数の低い粒子の拡散を可能にするための少なくとも1つの通路7とを有するディスペンサ陰極であって、前記射出面4は、少なくとも1つの射出エリア9と、射出を抑える材料でカバーされ、前記射出エリア9を囲んでいる少なくとも1つの非射出エリア8とを有している。前記非射出エリア8は、少なくとも1つの通路7を有しており、前記通路7は、前記リザーバ2と前記非射出エリア8とを接続し、前記リザーバ2から前記射出エリア9への仕事関数の低い粒子の拡散を可能にするために、射出エリア9から拡散長の距離だけ離れて延びている。 (もっと読む)


【課題】所望のパターン寸法とパターン精度を実現することが可能な電子銃および荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子源であるカソードと、前記カソードからの荷電粒子ビーム放出方向に順次、前記カソード以下の電位が印加されたウェネルトと、前記カソードより高い電位が印加されたアノードとを配置し、前記荷電粒子ビームを、前記ウェネルトの具備する開口部分を通過させて収束し、クロスオーバを形成するよう構成された電子銃について、前記ウェネルトと前記クロスオーバとの間の距離bを、前記カソードと前記ウェネルトとの間の距離であるギャップaにより除して算出される倍率M(=b/a)が1以下であり、かつ前記ギャップaが0.9mm以上となるように構成し、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法で使用する。 (もっと読む)


【目的】カソード交換があってもマルチカラム方式の装置での停止時間を短縮することが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置100は、試料を配置するXYステージ105と、1列に並べられ、XYステージ105と相対移動しながら、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する3つ以上の複数のカラム214,314,414,514と、カラム毎に配置された複数のカソード22と、を備えたことを特徴する。本発明の一態様によれば、カソード交換があってもマルチカラム方式の装置の稼働率を向上し、スループットを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子ビームの安定性とともに、カソードの長寿命化を図ることが可能な電子ビーム発生装置、電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子ビーム発生装置は、加熱により電子を放射するカソード11と、このカソード11を加熱するための直流フィラメント供給電源13と、カソードとの間にバイアス電圧が印加されるウェネルト16と、カソード11との間に加速電圧が印加され、カソード11から放射された電子を集束して電子ビームを形成するアノード19と、直流フィラメント供給電源13とカソード11の間に配置され、直流フィラメント供給電源13の極性を変更する機構14を備える。 (もっと読む)


【課題】Langmuir limitを超える高輝度と高エミッタンスを同時に得る。
【解決手段】円形のカソード、引出し電極又はアノード、及びウエーネルト電極を有し、ウエーネルト電極は円錐台の側面の形状を少なくとも有し、その半径はカソード側で小さく、アノード側で大きく、上記円錐の半角をθwとし、カソード半径Rcをμmとし、カソードと引出し電極又はアノード間距離をDac (mm)とした時、
75 ≦ Rc ≦ 250,
11 ≦ Dac ≦ 21及び
62 ≦θw ≦ 90
の範囲内の値にすると良い。 (もっと読む)


【課題】カソード寿命を改善させることが可能なタレット電子銃及び電子ビーム描画装置を提供すること。
【解決手段】本発明のタレット電子銃は、複数の空気抜き用開口部20が設けられた円筒型の側部151と、この側部の一端に形成され電子ビーム射出用開口部16が設けられた底部を有するウェネルト15と、このウェネルト15の内部に設けられたエミッタ17と、このエミッタ17に電流を供給するフィラメント18を挟み込み、ウェネルトの側部151の他端を封止する碍子を備える複数のカソード14と、複数のカソード14をそれぞれ保持し、ウェネルト15の側部の空気抜き用開口部20においてウェネルト15との間に所定幅の間隙を有する複数の開口部133を側面に備えるバレル13を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数の光軸を有する電子光学系で高スループットにパターン形成或いは試料の評価を行う装置では、電子銃を高輝度にすることが困難であった。
【解決手段】パターン形成あるいは試料の評価を行う装置に用いられる電子銃に於いて、カソード、第1アノード、第2アノード、ウエーネルト電極を有し、ウエーネルト電極及び第1アノード電極を円錐台形状とし、光軸からウエーネルトの角度をθw、光軸から第1アノードまでの角度をθa とした時、
40.1°<θa<90°あるいは48.6°<θw<149°
とすることにより図12に示した様にLangmuir限界を超える輝度を得た。 (もっと読む)


【課題】高精度で荷電粒子小ビームを操作することのできる粒子光学部品及び粒子光学システムを提供する。
【解決手段】物体7への一次電子ビームのための一次電子ビーム経路13を与え、かつ、物体7から検出器装置200へ至る二次電子ビーム経路11を与える粒子光学装置。粒子光学装置は、一次電子ビーム経路13が電子源装置301から物体7へ至る、電子源装置301と、集束磁界を与える第1の集束レンズと、対物レンズ102と、電子源装置301と対物レンズ102との間の一次電子ビーム経路13中と、対物レンズ102と検出器装置200との間の二次電子ビーム経路11中とに配置されたビームスプリッタ・コンバイナ装置400とを備えている。対物レンズ102は、一次電子ビームの電子と二次電子ビームの電子とのための集束磁界を与え、電子源装置301は、第1の集束レンズによって与えられる磁界の中に配置される。 (もっと読む)


【課題】
電子ビーム描画装置のスループット向上のために、複数の陰極を備えた電子銃を実現し、各電子ビームの調整方法を提供する。
【解決手段】
加速空間内に全ての電子ビームに作用する偏向器(408)と回転コイル(409)を設置する。加速空間外に各電子ビームに作用する偏向器(410)を設置する。加速空間外に放熱機構を有する電子ビーム遮断板(411)を設置する。各陰極を温度制限領域にて使用する。 (もっと読む)


【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部2は、下部突起3と上部突起4とで構成されている。上部突起4を含む先端突起部2の少なくとも一部には、収束イオンビーム(FIB)法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 (もっと読む)


【目的】本発明は、複数のカソードを備えた荷電粒子銃を収容するチャンバー内に存在するパーティクルを除去することができるパーティクル除去装置、パーティクル除去用補助具およびパーティクル除去方法を提供する。
【構成】本発明は、複数のカソードを備えたタレット電子銃を収容するチャンバー101の開口部107aに、吸気部109を有するアダプタ108を取り付け、チャンバー101の開口部107bには、排気部を有し、この排気部111に真空掃除機115を接続したアダプタ110を取り付け、チャンバー101内に吸気部109から排気部111に流れる気流112を形成することで、チャンバー101内に存在するパーティクルを除去する。これによりチャンバー101内において、パーティクルの存在に起因する放電を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 マルチビーム荷電粒子線装置における個々のビームの照射タイミングをずらすことによって、クーロン効果による解像度の劣化を低減し、同時に高スループットを実現するマルチビーム荷電粒子線装置及びマルチビーム荷電粒子線の制御方法およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 所望の荷電粒子線を試料へ照射する時刻を制御する為のショットタイミング発生手段と、1クロック内における複数の荷電粒子線は、同時ではなく異なる時に試料へ到達するように制御する手段とを有するマルチビーム荷電粒子線装置である。このため、個々のビームの照射タイミングをずらすことによって、クーロン効果による解像度の劣化を低減し、高スループットを同時に実現する。 (もっと読む)


【課題】簡単な制御で高いスループットが得られる電子線描画装置、電子線描画方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半アレイ状に配置された複数のマイクロエミッタ型電子銃20と、マイクロエミッタ型電子銃にそれぞれ接続された複数の電荷蓄積部10と、電荷蓄積部に電荷を書き込み可能な電荷書込回路と、マイクロエミッタ型電子銃から放出される電子線を被処理体に照射する電子光学系とを備え、電荷書込回路は描画する電子線パターンに応じて電荷蓄積部に電荷を蓄積し、それぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷量に応じた電子線を、それぞれに接続されたマイクロエミッタ型電子銃から一括して放出することにより被照射体に電子線パターンを照射する。 (もっと読む)


【課題】 ZrO/Wエンハンスドショットキー放出型電子銃に関し、加速電圧に制限を受けずに、引出電極に起因するエミッターの先端近傍での圧力上昇を抑制して安定な動作を実現する。
【解決手段】 引出電極6の開孔7は、直径がシミュレーションにおいてタングステンエミッター2から放出される電子の引出電極6に衝突する割合が1%以下となる開口径である円筒面8と直径がサプレッサー電極5の平坦部にかかる電界強度がKilpatric臨界電界となる開口径である円筒面10との間に存在する円筒面11と、タングステンエミッター2の先端から0.14mm後退した点を頂点とする頂角90°の円錐面9を含むより外側の領域に存在し円筒面11の下端に連なる回転対称曲面12と、からなる側面形状を有している。 (もっと読む)


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