表面結合したシラノール基を有するプラズマエッチングされた低誘電率の誘電材料を修復する方法は、（ａ）触媒と、表面結合したシラノール基との間に水素結合を形成して、表面結合したシラン化合物を形成するようにシランキャッピング剤と反応する触媒中間体を得るように、誘電材料の少なくとも片方の面を触媒にさらすか、又は、（ｂ）触媒と、表面結合したシラノール基との間に水素結合を形成して、表面結合したシラン化合物を形成するようにシランキャッピング剤と反応する触媒中間体を得るように、超臨界溶媒、触媒及びシランキャッピング剤を含む溶液に絶縁材料の少なくとも片方の面をさらすことを含む。隣接する表面結合したシラン化合物間に水平網状構造が形成され得る。表面結合したシラン化合物のアルコキシ基との加水分解反応に触媒作用を及ぼし、シラノール基を形成するように、誘電材料を有機酸で更に処理できる。副産物である水を除去するために、シラノール基は熱によって縮合できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光ＣＶＤ膜において、段差被覆性及び表面平坦性を低下させることなく、耐クラック性を向上する。
【解決手段】段差を有する基板Ｓを１００℃以下の温度に保ったままで、真空紫外光ＣＶＤにより主面ＳａにＣＶＤ膜３４を成膜する。まず、直鎖状有機ケイ素化合物からなる第１材料ガスと、環状有機ケイ素化合物からなる第２材料ガスとを混合した第１原料ガスを用いて、下層ＣＶＤ膜２６を成膜する。これに引き続き、環状有機ケイ素化合物からなる第２原料ガスを用いて、下層ＣＶＤ膜上に上層ＣＶＤ膜２８を成膜する。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦性に優れ、高段差や入り組んだ構造への埋め込み性がよく、ゲート部位に与える応力が低く、かつ低温で形成可能であり、製造過程においてもゲート電極部位に悪影響を与える恐れのない比較的低誘電率の塗布型樹脂膜でゲート電極部位を完全に被覆保護したＦＥＴを提供すること。
【解決手段】台形型構造、Ｔ型構造またはＹ型構造をもつゲート電極を有する制御回路基板と封止樹脂とを備えてなる電界効果型トランジスタにおいて、
前記制御回路基板と前記封止樹脂との間に塗布型樹脂膜を介在させることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 流動性に優れ、平坦化効果が良好であり、かつ、クラックが入りにくく、酸化珪素膜やアルミニウム等の基板又は配線材料に対して優れた接着性及び耐熱性を有する膜を形成するためのシリコーン系材料組成物を提供する。
【解決手段】 熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料と、１気圧下の沸点が１５０〜３００℃であり熱硬化前で５質量％以下の高沸点溶剤と、を含有してなるシリコーン系材料組成物であり、該シリコーン系材料組成物を基体表面上に塗布した後に形成された塗膜をリフローさせる用途に用いられるシリコーン系材料組成物。 （もっと読む）

【課題】 アルコキシシラン化合物含有塗布液により基板上にＳＯＧ膜を形成する際に、温度制御を正確に行って、塗膜の急激なシュリンクを抑制し、また塗布液中のガラス質形成材の消失を防ぐことでＳＯＧ膜のクラックの発生を防ぎ、さらに、回路を形成している金属材を熔融、変形させることのない理想的な塗膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも３段階の被処理物表面温度範囲を設定して、低温から段階的に温度を上昇させてＳＯＧ膜形成用塗布液を塗布した被処理物を乾燥し、次に、被処理物表面温度を２５０〜５００℃の範囲に昇温させ、±３℃の範囲に保持して前記被処理物の焼成処理を行い、ＳＯＧ膜を形成させる塗膜形成方法。 （もっと読む）

置換パラシクロファンは、プロセス中の電子デバイスなどの蒸着用基板に架橋可能なポリマーを形成する前駆体として特に有用である。アルキニルなどの架橋可能な置換基を含むパラシクロファン前駆体のフェニル連鎖を分解し、分解した前駆体に基板を接触させる。その結果、基板上に有機ポリマーが形成される。架橋可能な置換基の熱誘導反応などの反応を介してこのポリマーを架橋することによって、熱的に安定した架橋したポリマーを生成する。このような架橋したポリマーの蒸着は、集積回路の製造におけるダマシン法で用いられる超低ｋ誘電材料の封止に特に有用である。また、このポリマーはウエハとウエハを結合する際の接着剤としても有利である。さらに、このポリマーは電子デバイスのバックエンドオブザライン処理において、窒化シリコンおよび炭化シリコンに代わるハードマスクとしても有用である。 （もっと読む）

【課題】 スピンコート方法、低誘電率絶縁膜、及び、半導体装置に関し、簡単な装置構成によって、機械的強度、比誘電率、或いは、膜密着性に優れた絶縁膜を成膜する。
【解決手段】 スピンコート中に、スピンコート材料３と反応する気相材料４をスピンコータカップ１内に導入する。 （もっと読む）

【課題】 金属間誘電体として用いられる低ｋ及び極低ｋ有機シリケート膜の疎水性の回復方法を提供する。
【解決手段】 集積回路におけるＲＣ遅延を低減するためにしばしば使用されるのは、多孔質有機シリケートの誘電体膜であり、これはシリカ様の骨格とその網目構造中のＳｉ原子に直接結合したアルキルまたはアリール基を（材料に疎水性を与え、空隙を生成するために）有する。Ｓｉ−Ｒ結合は加工処理において通常用いられるプラズマへの暴露又は化学処理に耐えて残存することはほとんどなく、このことはとくに開放気孔構造を有する材料の場合に当てはまる。Ｓｉ−Ｒ結合が破壊されると、その材料は親水性のシラノールの形成のために疎水性を失い、低誘電率が損なわれる。一般式（Ｒ_２Ｎ）_ＸＳｉＲ’_Ｙを有し、ここでＸ及びＹは、それぞれ、１から３まで及び３から１までの整数であり、Ｒ及びＲ’は水素、アルキル、アリール、アリル及びビニル部分から成る群から選択される、新規な種類のシリル化剤を用いて、材料の疎水性を回復する方法が開示される。シリル化処理の結果、多孔質有機シリケートの機械的強度も向上する。 （もっと読む）

【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ）
【化１】


（式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ′は炭素数１〜３のアルキル基、ｍは０、１または２を意味する）で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する１価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１０００℃で焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。 （もっと読む）

本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。
そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ₂ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。 （もっと読む）