【課題】本発明は、低誘電率および高耐熱性を有する膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む絶縁膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、アルキル基を、Ｒ^２は置換基を表す。ａは１〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を表す。＊は、結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】高耐熱、高機械的強度、低誘電率など優れた特性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、その膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、その絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物、および該化合物を用いて得られる重合体を含む膜形成用組成物。


（Ａは有機結合基、または単結合を表す。Ｘ_１は、炭素炭素三重結合を有する基を表す。ｎは、２〜４までの整数を表す。） （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、貯蔵安定性に優れ、低比誘電率であり、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含み、前記ポリマーはシラノール基を含み、前記シラノール基に含まれる水酸基の数が、前記ポリマー中のケイ素原子の数に対して７０〜１３０％である。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１は１価の有機基を示す。）
Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ａおよびｂは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を表し、ｃは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電性、高耐熱性、かつ優れた機械強度を達成できる膜を形成するための架橋性官能基を有する化合物を含む膜形成用組成物、この膜形成用組成物を用いて得られる膜、および絶縁膜、並びに、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される部分構造を少なくとも１つ有する化合物を含む膜形成用組成物。
【化１】


(一般式（１）中、Ｒ_１およびＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ_１とＲ_２は、互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｒ_３は、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を表す。) （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高接着、高耐熱、低弾性率の良好な性能を与えるポリイミド系スクリーン印刷用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の部分ブロックポリイミド−ポリシロキサン共重合体、（Ｂ）球状金属酸化物微粒子：（Ａ）成分１００質量部に対し５〜３５０質量部、（Ｃ）有機溶剤、（Ｄ）１分子中に少なくとも２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｅ）上記エポキシ樹脂の硬化剤：（Ｄ）成分の硬化有効量を含有し、（Ｄ）及び（Ｅ）成分の合計量が（Ａ）成分１００質量部に対し１〜９００質量部であるスクリーン印刷用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物（塗布液）を提供すること。さらには該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜及び該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表されるモノマー単位を含み、重量平均分子量が１，５００以上である重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


式（１）中、ＸはＯ、Ｓ又はＣＨ₂を表し、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Ｒはさらに置換基を有していてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。ｎは０〜４の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンとカゴ型シルセスキオキサン化合物の重合体であるシルセスキオキサン化合物を含む膜形成用組成物を塗布し、周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成する。
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【課題】素子分離絶縁膜に含まれる不純物に起因する半導体装置の電気的特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン溶液をシリコン基板１上に塗布して塗布膜６を形成し、塗布膜６を加熱して溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜７を形成し、ポリシラザン膜７を薬液処理することにより、ポリシラザン膜７を二酸化シリコン膜８に変換する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、かつ、機械強度に優れた膜を形成することができる膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物及び／又は式（１）で表される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。Ｒ¹はそれぞれ独立に水素原子又は−（Ｒ²）_n−Ｒ³を表し、Ｒ¹のうちの少なくとも２つは−（Ｒ²）_n−Ｒ³であり、Ｒ²はそれぞれ独立に式（２）〜（５）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、Ｒ³はそれぞれ独立に水素原子又は式（６）〜（８）で表される基よりなる群から選ばれた基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、波線部分は他と結合する部分を表す。ただし、−（Ｒ²）_n−Ｒ³は式（９）又は式（１０）で表される基を除く。
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【課題】半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜を、イオン注入により改質する際、クラックが発生する。
【解決手段】半導体基板４２上に配置した複数の下層配線４６とその間隙４７とを覆って、有機ＳＯＧ膜を塗布し平坦化する。有機ＳＯＧ膜を目的深さまで改質する工程は、予備改質工程と本改質工程との２段階で行う。まず、予備改質工程が行われ、目的深さより浅い中間深さまで有機ＳＯＧ膜を第１のイオン注入により改質し、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕを形成する。予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程等で発生する基板クラックの影響を半導体装置の回路素子形成領域に及ばないようにする。
【解決手段】Ｓｉ基板１３に回路素子形成領域１４と当該回路素子形成領域を覆う表面保護膜１６が形成されている。表面保護膜１６の端部における膜厚Ａが、回路素子形成領域１４上の膜厚Ｂよりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】十分な機械的強度を有する改善された誘電体材料、及びそれを作製するための方法を提供する。
【解決手段】構造形成剤前駆体を含んで成る少なくとも１つの化学反応体を化学気相成長させることによって、基材の少なくとも一部の上に有機ケイ酸塩膜を堆積させ、第１材料硬度及び第１弾性率を有する該有機ケイ酸塩膜であり、並びに該有機ケイ酸塩膜を非酸化性雰囲気中で紫外線源にさらして、第２材料硬度及び第２弾性率を有する有機ケイ酸塩膜を提供することを含んで成り、該第２材料硬度及び該第２弾性率が、該第１材料硬度及び該第１弾性率よりも少なくとも１０％高い、有機ケイ酸塩膜の材料硬度及び弾性率を改善するための方法により、材料硬度及び弾性率を改善した誘電体材料を得る。 （もっと読む）

【課題】残留応力が低減された膜を得ることができる膜の形成方法、該方法によって得られた膜、および該膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】膜の形成方法は、酸素濃度が５０〜３，０００ｐｐｍである雰囲気下で、ポリカルボシランを含有する塗膜を硬化させて膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ボラジン化合物を製造する際の当該化合物への塩素イオンの混入を効果的に抑制しうる手段を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物を準備するボラジン化合物準備段階と、準備された前記ボラジン化合物を、塩素イオン濃度１００ｎｇ／ｍ^３以下の雰囲気条件下にて濾過する濾過段階と、を有する精製ボラジン化合物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】 方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】 基板表面を処理する方法を提供する。
【解決手段】 第一有機シリコン化合物と、第一酸化ガスと、一つ以上の炭化水素化合物とを含む第一ガス混合物を基板表面上に第一低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内へ分配させる。第二有機シリコン化合物と第二酸化ガスとを有する第二ガス混合物を、第一低誘電率膜上に第二低誘電率膜を堆積させるのに充分な堆積条件でチャンバ内に分配させる。第二酸化ガスのチャンバ内への流量を増加させ、第二有機シリコン化合物のチャンバ内への流量を減少させて、第二低誘電率膜上に酸化物を多く含むキャップを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】高弾性率かつ密着性に優れる樹脂膜が得られる芳香族エチニル化合物、これを含む樹脂組成物及びワニスを提供し、また、前記樹脂膜を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のエチニル基と、１つ以上のｏ−ヒドロキシアミドフェニル基とを有する芳香族エチニル化合物により達成される。前記芳香族エチニル化合物は、一般式（１）で表される構造を有するものである。


（式（１）中、Ｒはｏ−ヒドロキシアミドフェニル基を含む基を示し、式（１）で表される構造における水素原子上の水素原子は、炭素数１以上２０以下のアルキル基で置換されていても良く、アダマンタン構造を含む基で置換されていても良い。ｎ₁及びｎ₂は、それぞれ、１以上４以下の整数である。） （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）