【課題】
浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
メモリセルの制御ゲート電極１０５上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として窒化珪素膜１１５を、膜中水素（Ｈ_２）濃度が１．５×１０^２１〜２．６×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の範囲内となるように形成する。更に、窒化珪素膜１１５は、減圧ＣＶＤ法を用いて、７００℃以下の温度にて形成する。 （もっと読む）

コーティング済み基板を形成する方法は、流れから基板の上に材料を堆積することに基づくことができ、ここで、コーティング材料は、流れ内部での反応によって形成される。プロセスチャンバ（３００）において、生成物材料を、光入口（３２０）を経て供給される照射ビームから吸収された光子エネルギーによって駆動される反応において形成してよい。生成物流れを有する流れを、ノズル（３０８）に接続し、排気口（３２２）によって出るガス／紙入口管（３０６）を経て基板において指向してよい。例えば基板キャリア（３１６）を生成物流れを通して並進運動させるアーム（３１８）によって、基板を流れに対して移動させてよい。コーティング材料を、十分に緻密化したコーティング材料の６５％〜９５％の密度を有し非常に高いレベルのコーティング均一性を有して形成することができる。
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【課題】 常圧で、比較的低温下において、ＳＴＩやＰＭＤパターン中に、低水分の絶縁酸化膜を、シーム（合わせ目）やボイド（空洞）なく埋め込むことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板Ｗ上に、シャロートレンチパターンＴや配線パターン等のパターンを形成し、該パターンの凹部を埋め込むように絶縁酸化膜５３を形成する工程を有し、絶縁酸化膜は、オゾンと、有機シリコンソースと、水蒸気とを含む原料ガスから形成され、水蒸気は、有機シリコンソースに対する水蒸気の流量の比が1〜１０００で供給され
る。有機シリコンソースは、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）であると好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温での膜成長が可能な有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供する。高い平坦性の膜を形成することができ、かつ高く安定な成長速度が得られる有機シリコン化合物及び該化合物を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機シリコン化合物は、ＳｉＨ₂［Ｒ(ｔ-Ｂｕ)Ｎ］₂で表される有機シリコン化合物である。但し、式中のＲはメチル基、エチル基又はイソプロピル基を示し、ｔ-Ｂｕはターシャリーブチル基を示す。また、本発明のシリコン含有膜の製造方法は、上記有機シリコン化合物を用いてＭＯＣＶＤ法によりシリコン含有膜を作製することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 容器から吐出部まで基板に塗布する液体を気密に搬送する半導体製造装置において、容器を取り替える際にも液体が空気と接触することを可及的に抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置１０は、基板に対して塗布液を吐出する吐出部と、塗布液を収容する液体容器２０内へ不活性ガスを供給し、該液体容器２０内を加圧する気体供給管１６と、気体供給管による加圧を利用して、液体容器から吐出部へ塗布液を気密状態で供給する塗布液供給管１２と、液体容器と塗布液供給管とを接続／取外し可能な第１の接続部Ｃ１ａと、液体容器と気体供給管とを接続／取外し可能な第２の接続部Ｃ２ａと、塗布液を溶かすことができる溶媒を第１の接続部へ供給する溶媒供給管１５とを備えている。 （もっと読む）

このＣＶＤ方法では、被処理基板（Ｗ）上にシリコン窒化膜を形成する。この方法は、基板（Ｗ）を処理容器（８）内に収納して処理温度に加熱する工程と、処理温度に加熱された基板（Ｗ）に対してヘキサエチルアミノジシランガスとアンモニアガスとを含む処理ガスを供給し、基板（Ｗ）上にシリコン窒化膜を堆積する工程と、を含む。
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【課題】容量部のリークを防止することによって歩留まりを向上させ、基板製造工程における工程短縮化が実現できる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記素子基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、前記画素電極の電位を保持する容量部を形成する工程と、前記容量部を規定の形状にパターニングする工程と、前記容量部上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、積層された前記容量部と前記第２の絶縁膜とを、所定量の酸素及び窒素を用いて焼成する焼成工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路において使用するのに適した厚さおよび質の金属酸化物の薄膜の製造。
【解決手段】キシレン／メチルエチルケトン溶媒中にストロンチウム、タンタルおよびビスマス２−エチルヘキサノアート（ethylhexanoate）などのいくつかの金属２−エチルヘキサノアート（ethylhexanoate）を含む前駆体液体が調製され、基板（５、858）が真空堆積チャンバ（２）内に配置され、少量のヘキサメチル−ジシラザンが前駆体液体に添加され、噴霧化され、噴霧は堆積チャンバ内に流入させられて基板上に前駆体液体の層が堆積される。液体は乾燥、焼成およびアニールされ、基板上にストロンチウムビスマスタンタル酸塩などの層状超格子材料の薄膜（506、860）が形成される。次いで、集積回路（600、850）が完成され、集積回路の構成要素（604、872）中に層状超格子材料膜の少なくとも一部が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成し、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出し、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成し、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する。 （もっと読む）

処理用温度が比較的に高く（典型的には、少なくとも５００℃で）、圧力が比較的に高い（典型的には、少なくとも５０トル）間に、窒化シリコン層の高速形成を得る為に、窒化シリコン層がトランジスタ用ゲートを覆って形成される。処理条件は、窒化シリコン層をより均一に形成するように制御される。一般的に、ＮＨ_３ガスとシリコン含有ガスとの容積比は、充分に高く選択されるが、トランジスタ用ゲート間に０．１５ミクロンの幅、少なくとも１．０の幅対高さ比、少なくとも５ミクロン×５ミクロンの専ら平坦なエリア低領域を表面が有する場合、層は、低領域のベース上より平坦エリア上の方が２５％以下の速度で形づくる。
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【課題】 処理容器内の雰囲気の時間的な変動要素に左右されずに安定した圧力を形成し、設置条件や経年変化等に対してプロセスレシピの内容を変更することなくプロセス再現性を保証すること。
【解決手段】 このＡＬＤ装置においては、ＡＬＤ成膜処理に先立つ準備時間中に、処理容器１０にガス供給部１４よりＡＬＤ成膜処理を模擬したガス負荷でガスを供給し、圧力制御部２４でＡＰＣ式のフィードバック制御を行い、処理容器１０内のガス圧力が設定値にほぼ一致しているときのコンダクタンスバルブ２２のバルブ開度を基準値として同定する。そして、ＡＬＤ処理時間中は、圧力制御部２４でコンダクタンスバルブ２２のバルブ開度を基準値に一致させるためのフィードバック制御を行う。これにより、ＡＬＤサイクルで処理容器１０に送り込まれるガスが数秒単位で切り換わっても排気コンダクタンスを一定に保持し、プロセス圧力を安定に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線の間にボイドのない優れた膜を形成しながらプラズマによる接合漏洩電流を防止することが可能な半導体素子のパッシベーション層形成方法を提供する。
【解決手段】多数の金属配線が形成された基板を高密度プラズマＣＶＤ法の蒸着装備にローディングする段階と、プラズマによるダメージを防止するために、前記金属配線を含んだ全体構造上に第１工程条件で第１絶縁膜を形成する段階と、前記金属配線の間をギャップフィルするために、前記第１絶縁膜上に第２工程条件で第２絶縁膜を形成する段階と、前記蒸着装備から前記基板をアンローディングした後、前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の段差被覆性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、基板上に形成された、表面に凹部又は凸部を有する電極９と、電極９の上に形成されたＳｒ，Ｂｉ，Ｔａ又は、Ｂｉ，Ｌａ，Ｔｉを含む強誘電体膜１０とを備える。凹部又は凸部に存在する段差における強誘電体膜の段差被覆率が８０％以上であり、強誘電体膜を構成する金属元素の組成比のばらつきが±１５％以下である。チャンバー内に原料ガス祖構成する、各々が有機金属化合物を含む複数種類のソースガスを導入するとともに、複数種類のソースガスの主成分同士を反応律速で化学反応させることにより、電極の表面に強誘電体膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の段差被覆性を向上させる。
【解決手段】 凹部若しくは凸部を有するか又は凸状に形成された電極の表面に、絶縁性金属酸化物である強誘電体膜を形成する方法は、電極における強誘電体膜の段差被覆率が所望の段差被覆率以上となるように、強誘電体膜の成長条件である基板温度及びチャンバー圧力を決定し、決定された基板温度及びチャンバー圧力において、チャンバー内に導入する、各々が有機金属化合物を含む複数種類のソースガスよりなる第１の原料ガスの混合比を変化させて、強誘電体膜におけるＡサイトを構成する金属元素の組成比を調整する。次に、Ａサイトを構成する金属元素の組成比を一定にした条件下で、チャンバー内に導入する、各々が有機金属化合物を含む複数種類のソースガスよりなる第２の原料ガスの混合比を変化させて、強誘電体膜におけるＢサイトを構成する金属元素の組成比を調整することにより、強誘電体膜の組成比を決定する。決定された成長条件及び組成比に基づいて、電極の表面に強誘電体膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 近年の微細化・低温化された半導体装置は、配線間の寸法が極めて細く、アスペクト比が極めて大きくなっている。また微細化にともない熱処理温度を高くできなくなり、微細配線間を埋設する最適な絶縁膜が形成できない。本発明は微細配線間を埋設する最適なＢＰＳＧ膜等の絶縁膜を成膜できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 成膜手順として、オゾンＯ３を含む酸化ガスで成膜装置のチャンバーを充満させた後に、ソースガスを導入することで成膜する。オゾン／ＴＥＯＳの重量比を３．７以上、成膜速度を４５ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることステップカバレッジの良い、膜収縮率が低い良質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体膜の段差被覆性がよく、かつ誘電体物質の廃棄量を少なくする。
【解決手段】 下地膜８上に、パターニングされた下部電極１１を形成する工程と、インクジェット方式の塗布機構を用いて、下部電極１１上に誘電体物質を塗布する工程と、塗布された誘電体物質を加熱することにより、下部電極１１上に誘電体膜１２を形成する工程と、誘電体膜１２上に上部電極を形成する工程とを具備する。上部電極を形成する工程は、下地膜８上及び誘電体膜１２上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの単一パルス段階中に前駆体の混合物がチャンバ内に共に存在して多成分薄膜を形成するように前駆体を混合するシステム及び方法を提供する。前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分からなり、このような異なる成分は多成分薄膜を製造するために単層を形成することになる。本発明の別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。
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基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと、燐含有プロセスガスと、酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。 （もっと読む）

半導体基板中の間隙の充填方法、及び蒸着速度均一度の改善方法を提供する。反応室内へ基板及び少なくとも１種の重水素化合物を含むガス混合物を供する。ガス混合物が反応し、層への蒸着及びエッチングが同時に行われて基板上へ所定材料から成る層が形成される。間隙内は所定材料層によって、間隙内の該材料が実質的に空隙のない状態となるように充填される。また、所定材料を、Ｄ_２、ＨＤ、ＤＴ、Ｔ_２及びＴＨから選択される少なくとも１種のガスの存在下で表面上へ蒸着する。蒸着処理中の正味蒸着速度は表面全体においてある程度不均一であるが、この不均一の程度は、実質的に同一な条件下においてＨ２を用いる蒸着中に生ずる不均一の程度よりも明らかに改善される。

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