【課題】ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、シーズン前駆体流を該処理チャンバに提供することによってシーズニングされる。高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。該処理チャンバは、該基板の順次移送の間に洗浄される。 （もっと読む）

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ_３プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含む。第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。 （もっと読む）

【課題】ハイドロジェンシロキサン系ポリマーを使用して、無機質基材上の凹凸、段差を平坦化でき、クラック、ピンホールがなく、シラノール基等を実質的に含有していないセラミック状酸化ケイ素系被膜を形成する方法、かかる被膜を有する無機質基材の製造方法、かかる被膜に変換可能な被膜形成剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基材にオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを被覆し不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス（酸素ガスは２０体積％未満である）中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することによる、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、該被膜を有する無機質基材の製造方法。オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー又はその溶液からなるセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。無機質基板の酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成したトレンチに埋め込む塗布型酸化膜の膜質の改善を図る。
【解決手段】シリコン基板１にシリコン酸化膜４、多結晶シリコン膜５、シリコン窒化膜６を積層形成し、フォトリソグラフィ処理でトレンチ１ａを形成する。トレンチ１ａ内にＰＳＺ塗布液を塗布してＰＳＺ膜２ｂを形成し、水蒸気酸化処理を行う。この後、洗浄装置７の温水８中で超音波（ＵＳ）を印加しながら温水処理を行う。この後、再び水蒸気酸化処理を行う。温水処理で超音波を印加することでシリコン酸化膜２ａを形成するので、酸化の促進とクラックの発生を防止できる。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に対して膜厚分布が均一となるように製膜する。
【解決手段】複数種類の有機シリコンが気化状態となる温度領域のもとで前記反応ガスを前記基板に供給する。酸化膜形成装置１は基板９を格納する処理炉２を備える。基板９にはガス供給系４からオゾンガスと複数種類の有機シリコンガスとを含んだ反応ガスが供給される。処理炉２は炉内温度が前記複数種類の有機シリコンが気化状態となる温度領域に調節される。複数種類の有機シリコンガスとしてはテトラメチルシランとヘキサメチルジシラザンとが例示される。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に不純物ドーピング酸化膜ライナが形成されているＳＴＩ構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域１０２に接するようにトレンチの内壁を覆う側壁ライナ１３０と、側壁ライナ１３０上に形成された不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａと、トレンチを埋め込むギャップフィル絶縁膜１５０とを備える半導体素子である。不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａを形成するために、側壁ライナ１３０上に酸化膜ライナを形成した後、プラズマ雰囲気下で酸化膜ライナに不純物をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の過剰な研磨を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、オリエンテーションフラット部１１１が形成された半導体基板１１上に、配線層１３および導体膜１４を形成する工程と、前記配線層１３および前記導体膜１４上に、前記配線層１３および前記導体膜１４を被覆する絶縁層１５を形成する工程と、前記絶縁層１５を研磨する工程とを備える。
前記配線層１３および前記導体膜１４を形成する前記工程では、オリエンテーションフラット部１１１に近傍領域のみにオリエンテーションフラット部１１１に略直交する方向に延在する導体膜１４を形成する （もっと読む）

【課題】基板表面にダメージを与えたり、工程を増加させたりすることなくＴ型ゲートの庇部の下に空間を形成し寄生容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】周囲を保護絶縁膜６ａで被覆されるとともに、その庇部５ａの下に空間７ａを有するＴ型ゲート５を備えた半導体装置の製造方法であって、保護絶縁膜６ａをＣＶＤ法を用いて形成するに際し、予め、成膜圧力と、Ｔ型ゲート５の庇部５ａの内側および外側にそれぞれ形成された保護絶縁膜５ａの膜厚比Ｙとの関係式を求めるステップと、その関係式を用いて、空間７ａが得られる成膜圧力を算出するステップと、算出された成膜圧力に設定してＴ型ゲート５上に保護絶縁膜６ａを形成するステップとを有する。 （もっと読む）

その中に高アスペクト比のトレンチを有する超小型電子デバイス基板および当該トレンチ中に完全に充填された二酸化ケイ素の塊を含む完全充填型のトレンチ構造であって、当該二酸化ケイ素は、そのバルク塊全体にわたり、実質的にボイドが無いという特徴を有し、実質的に均一な密度を有する、完全充填型のトレンチ構造。半導体製品を製造する対応する方法を記載し、この方法では、超小型電子デバイス基板のトレンチを完全に充填する場合に使用するために、特異的なケイ素前駆体組成物を使用し、その場合、二酸化ケイ素前駆体組成物を処理して、実質的にボイドが無くかつ実質的に均一密度の二酸化ケイ素材料をトレンチ中に形成するための加水分解反応および縮合反応を実施する。充填処理によって、ケイ素およびゲルマニウムを含む充填用前駆体組成物を用いて実施して、ＧｅＯ_２／ＳｉＯ_２トレンチ充填用材料を含む超小型電子デバイス構造を得ることができる。充填用前駆体組成物中で抑制剤成分、例えば、メタノールを利用して、硬化させたトレンチ充填用材料中でのシーム形成を排除または最小化することができる。
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【課題】溝の内部に埋設されたＳＯＧ膜の一部が粗になり、ウェットエッチングレートが高くなる現象を抑制し、かつ体積膨張率を低く抑えることが可能な酸化膜形成用塗布組成物、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンまたは水素化シルセスキオキサンと、ポリシランとを含有する酸化膜形成用塗布組成物を、溝を有する基板上に塗布し、その後に酸化性雰囲気下で熱処理することで、溝の内部に酸化膜を形成する。この方法は、素子分離領域や配線層間絶縁膜の形成に好適である。 （もっと読む）

【課題】十分に低い比誘電率及び良好な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるとともに、凹凸面を覆うシリカ系被膜を形成したときの凹凸緩和性に優れるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）成分：テトラアルコキシシラン及びオルガノトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを、マレイン酸及び／又はマロン酸の存在下に加水分解重縮合して得られる、５００〜１５００の重量平均分子量を有するシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：アンモニウム塩とを含有する塗布型のシリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

半導体素子の微細ギャップ充填用化合物、及び前記化合物を含む組成物が提供される。前記組成物は、一般的なスピンコーティング技術で、基板にある直径が７０ｎｍ以下、アスペクト比（高さ／直径の比）が１以上の孔を空気の細孔などの欠陥がなく完全に埋めることが可能である。さらに、前記組成物は、焼成による硬化後に、フッ酸溶液で処理することにより、制御可能な速度で孔から残余物を全く残さないで完全に除去されうる。さらに前記組成物は保管中に非常に安定である。 （もっと読む）

【課題】被覆率としては従来と変わることなく、かつシリコン酸化膜との間で選択比の取れるシリコン窒化膜を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板の主表面上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記半導体基板の主表面に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記側壁にシリコン窒化膜が形成されたコンタクトホール内にＴｉ層およびＴｉＮ層を有するバリアメタル層を形成する工程と、前記バリアメタル層が形成されたコンタクトホール内に導電層を形成する工程と、Ｓｉ_ｎＣｌ_２ｎ＋２とＮＨ_３との混合ガス、またはＳｉ_ｎＣｌ_{２ｎ−２−ｘ}とＮＨ_３との混合ガスを用い（ｎは２以上の自然数、ｘは２ｎ＋２以下の自然数）、７００℃以下の成膜温度で、前記コンタクトホール内の導電層上に塩素を含有するシリコン窒化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって複数の特徴部を形成するステップであって、少なくとも１つの空間が２つの隣接する特徴部間にあるステップを含む。第１の誘電層が該特徴部上かつ該少なくとも１つの空間内に形成される。該第１の誘電層の一部が、第１の前駆体および第２の前駆体から導出された反応剤と相互作用し、第１の固体生成物を形成する。該第１の固体生成物は分解されて、該第１の誘電層の該一部を実質的に除去する。第２の誘電層が形成されて、該少なくとも１つの空間を実質的に充填する。 （もっと読む）

【課題】純度の高い水蒸気を大流量をもって供給する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理炉１０に水蒸気を供給する水蒸気発生装置４９は、酸素と水素とを燃焼させて水蒸気を生成する燃焼装置５０と、燃焼装置５０により生成した水蒸気を液化させる液化部７０と、液化部７０にて液化した超純水７６を貯留する貯留部７１と、貯留部７１にて貯留した超純水７６を気化して高純度の水蒸気７７を大流量をもって発生させる気化部としてのヒータ７４とを備えており、大流量かつ高純度の水蒸気７７を水蒸気供給管７５によって処理炉１０内に供給する。大流量かつ高純度の水蒸気を供給することにより、ウエハ１に所望のアニールを施すことができる。
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【課題】半導体装置を構成する素子の微細化を進めつつ製造不良や動作上の信頼性不良の低減と素子間の特性ばらつきの低減とを実現する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン層１４上にシリコン窒化膜７を含む絶縁層を形成する工程と、形成された絶縁層上に第２のシリコン層１０を形成する工程と、所定領域のシリコン層、絶縁層、第２のシリコン層を選択的に除去して溝を形成する工程と、溝の形成により露出されたシリコン層、絶縁層、第２のシリコン層の側壁を酸素ラジカルを含む雰囲気で酸化してシリコン酸化膜層１５に変える工程とを有する。 （もっと読む）

接触平坦化装置は、下シートアセンブリ、上シートアセンブリ、差圧アセンブリおよび硬化またはリフローアセンブリを含む。下シートアセンブリは、平坦化される回路基板を支持し、差圧アセンブリの作用により、それを上シートアセンブリの方へ偏らせる。上シートアセンブリは、差圧アセンブリの作用により、回路基板上のコーティングを平坦化するものであり、差圧アセンブリによって適用された真空力を通して、回路基板ステージの上、かつ、硬化またはリフローアセンブリの下に支持された可撓シートを含む。差圧アセンブリは、真空および圧力の応用を通して、回路基板上のコーティングを完全に平坦化するため相対的に下および上シートアセンブリを移動させる。差圧アセンブリは、上シートの上面の上に配置された上部圧力チャンバ、下シートの下面の下に配置された下部圧力チャンバ、および上シートの下面と下シートの上面との間に概して配置された中央圧力チャンバを含む。
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【課題】シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。
【解決手段】表面に素子領域を有する半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた第１の配線層と、第１の配線層上に設けられたプラズマシリコン窒化膜と、プラズマシリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜と、プラズマシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を貫通するエッチングによって形成された開口と、少なくとも開口を埋めて形成された第２の配線層とを有する。 （もっと読む）