【課題】塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供する。
【解決手段】塗布型膜の形成方法は、半導体基板Ｗを含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程Ｓ１と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程Ｓ２と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程Ｓ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】ここに記載されるのは、低いウェットエッチ耐性、６．０以下の誘電率、及び／又は高温急速熱アニールプロセス耐性、といった特性のうちの少なくとも１つを示す、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭化ケイ素及びこれらの組み合わせなどの、とは言えこれらに限定はされない、ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法である。同様にここに開示されるのは、例えば半導体ウェーハなどの処理すべき対象物上に誘電体膜又は被覆を形成するための方法である。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

本開示は、障壁層を電子装置に封入するための使用に適した方法および材料を提供する。一実施形態では、たとえば、ケイ素含有結合材料およびセラミック材料の交互する層によって封入された、電気発光装置または他の電子装置を提供する。本封入方法は、たとえば、安定性および貯蔵寿命が増加した電子装置を提供する。本発明は、たとえばマイクロ電子装置の分野において有用である。別の態様では、基材上に配置された複数の構成要素層を含む電子装置と、障壁材料および架橋結合した材料の第１の対の層を含む封入部分とを含み、障壁材料がセラミック材料であり、架橋結合した材料がケイ素含有ポリマーである、封入された電子装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたトレンチ内に絶縁膜を埋め込むために使用するのに好適な、良好なクラック耐性を有し、硬化収縮率が小さい絶縁膜を形成する工程を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物を、トレンチ構造を含む基板に塗布する工程、前記塗布された縮合反応物を非酸化雰囲気下において焼成する工程を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラザン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板１０上に形成されたゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３によりゲート電極１２と絶縁され、ゲート電極１２を覆うようにゲート絶縁膜１３上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層１４と、活性層１４の上部に形成された保護層１５と、活性層１４と接触するソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂと、を備え、保護層１５が、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）またはチタン酸窒化物（ＴｉＯｘＮｙ）で形成される。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの側壁に湿性の高い層間絶縁膜が露出しない構造を、より少ない処理工程数で実現可能な半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の第１の態様に係る半導体素子の製造方法は、基板上に下層金属配線パターンを形成する工程と；前記下層金属配線パターンを覆うようにシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜を形成する工程と；前記第１層間絶縁膜上にＯ_３−ＴＥＯＳ膜または絶縁塗布膜からなる第２層間絶縁膜を形成する工程と；前記下層金属配線パターンの直上部に形成された前記第２層間絶縁膜を除去する工程と；前記第１及び第２層間絶縁膜上に第３層間絶縁膜として、シリコン酸化膜を形成する工程と；前記第１及び第３層間絶縁膜を貫通して前記下層金属配線に達するスルーホールを形成する工程と；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積させる方法は、一様な酸化シリコン成長速度が基板表面全域にわたって実現されるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることを伴う。実施形態により成長した酸化シリコン層の表面粗さは、添加剤前駆体を用いて成長させることにより低減させることができる。本発明の別の態様では、トレンチが、内部のボイドの数量が少なくおよび／またはサイズが小さい酸化シリコンフィラー材料で埋められるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることによって、表面上にトレンチを具備するパターン形成基板上に酸化シリコン層を堆積させる。
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【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に、下部電極としてのポリシリコン膜１０２を形成する工程と、ポリシリコン膜１０２を窒化処理してシリコン窒化膜１０３を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜１０３上に誘電体層１０４を形成する工程と、誘電体層１０４の上に、上部電極１０５を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、上記窒化工程は、複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入して窒素含有プラズマを発生させるプラズマ処理装置により６６．７Ｐａ〜１３３３Ｐａの処理圧力でポリシリコン膜１０２をプラズマ窒化処理する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が大きい凹部の底部においても膜厚方向の組成分布が均一な金属酸化物が形成された半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、凹部の周縁部及び凹部の内部に順次積層された下部電極、金属酸化膜及び上部電極とを備えている。金属酸化膜は少なくとも第１の金属元素及び第２の金属元素を含む。金属酸化膜における凹部の底部に形成された部分は、下部電極側における第１の金属元素の組成と、上部電極側おける第１の金属元素の組成との間の変化率が、凹部の周縁部に形成された部分と比べて小さいか等しい。 （もっと読む）

ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。 （もっと読む）

【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板での埋め込みに優れる、塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物、それより得られる塗布型無機シリカ系被膜、及びその塗布型無機シリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 テトラアルコキシシランを加水分解する際に用いる触媒がマレイン酸であり、得られるシロキサン樹脂の溶液中での重量平均分子量が５００〜３０００である塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）