【課題】シリコン結晶分率を向上させるシリコン層の形成方法及びそれを用いた表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層の形成方法は、ＳｉＦ４、ＮＨ３及びＳｉＦ４−Ｈ２ガスのうち選択されたガスを第１反応ガスとして使用するプラズマ化学気相蒸着方法を通じて基板に形成されたシリコン窒化物層表面をプラズマ前処理する工程と、ＳｉＦ４、Ｈ２及びＡｒが混合された第２反応ガスを使用するプラズマ化学気相蒸着方法を通じて前記前処理されたシリコン窒化物層上にシリコン層を形成する工程を含む。従って、シリコン層でシリコン結晶の結晶分率が向上され、シリコン結晶のグレインサイズ及び分布の均一性が向上されたシリコン層を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩ構造において素子分離絶縁膜を、高密度プラズマＣＶＤ法を使って、引張り応力を蓄積するように形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に、素子分離溝を形成する工程と、前記半導体基板表面にシリコン酸化膜を、高密度プラズマＣＶＤ法により、前記シリコン酸化膜が前記素子分離溝を充填するように、また前記シリコン酸化膜中に水分が、前記シリコン酸化膜を脱水処理した場合、前記シリコン酸化膜に収縮が生じるような量で含まれるように堆積する工程と、前記シリコン酸化膜を脱水し、前記シリコン酸化膜に収縮を誘起する工程と、前記シリコン基板上に堆積したシリコン酸化膜を、前記半導体基板表面が露出するまで化学機械研磨により除去する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】低温条件での成膜に優れ、安定した成膜が可能であり、かつ段差被覆性に富んだ薄膜を形成することができる。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ法用原料は次の式（１）で示される有機金属化合物を用いたことを特徴とする。
【化１０】


但し、Ｍは２価のＰｂ、４価のＰｂ、４価のＺｒ又は４価のＴｉであり、Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基であってＲ¹とＲ²は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ³は炭素数２〜４の直鎖又は分岐状アルキル基であり、Ｍが２価のＰｂであるときｎが２でかつｍが２であり、Ｍが４価のＰｂであるときｎが２でかつｍが０であり、Ｍが４価のＺｒ、４価のＴｉであるときｎが４でかつｍが４であるか或いはｎが２でｍが０である。 （もっと読む）

【課題】金属層上への表面の平坦かされた絶縁膜を化学的機械平坦化プロセスを適用しないでも済む形成方法を提供する。
【解決手段】０．３ミクロンの金属層を形成し、ＴＥＯＳ系の方法により金属層上に第１の成膜速度で酸化物層の一部を形成し、ＴＥＯＳ系の方法により第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度で酸化物層の一部を形成し、酸化物層をファセットエッチングし、金属層の少なくとも一部をリフローさせるステップより成る形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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【課題】 基板上に既に形成された薄膜を熱により劣化させたり、プラズマダメージを生じさせたりせずに、基板表面に良質な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハＷを載置台に載置し、ウエハの温度調節を行なう工程と、成膜原料をウエハＷの表面に吸着させる吸着工程と、パージガスによってチャンバ内雰囲気を置換するパージ工程と、エネルギー媒体ガスによってウエハＷ表面の成膜原料に熱エネルギーを供給して成膜反応を起こさせる反応工程と、を繰り返し行なうことにより、ウエハＷ上に１層ずつ薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ、ホールを埋め込むための多孔質シリカ材料がエッチングなどのプロセス過程で受けるダメージを減じるようにするトレンチ内部の埋め込み方法の提供。
【解決手段】 ５０〜５０００ｎｍの大きさの開口部を有するトレンチ、ホールからなる構造物を設けてある半導体基板に対して、その構造物の内部に配線を形成した後、疎水性多孔質シリカ材料の前駆体を含有する所定の粘度の溶液を基板上に塗布し、加水分解し、焼成して、配線の形成された構造物内部を疎水性多孔質シリカ材料で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のような高負荷プロセスを経ることなく、均一かつ高精度な塗布膜の平坦化を図れるようにした塗布膜の成膜方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸を有する被処理基板である半導体ウエハＷに対して塗布液を供給し、ウエハの表面に塗布膜を成膜する成膜方法において、塗布液の塗布膜が形成されたウエハを、処理室６内の溶剤ガス雰囲気下においた状態で、溶剤ガス供給ノズル１０から溶剤ガスをウエハの表面に向かって噴射すると共に、ウエハと溶剤ガス供給ノズルを相対的に平行移動させて、塗布液の塗布膜を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成された高アスペクト比の凹部に、十分な埋め込み性を得ることができるとともに、良好な絶縁膜を形成することが可能な半導体製造方を提供する。
【解決手段】凹部の形成されたシリコン基板１上に、高密度プラズマＣＶＤを用いて第１のシリコン酸化膜１ｃを形成する工程と、前記第１のシリコン酸化膜をＯ_２プラズマ処理する工程と、前記Ｏ_２プラズマ処理された第１のシリコン酸化膜上に、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて第２のシリコン酸化膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成される被膜の剥離、ダストの発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の被膜を形成する工程と、前記半導体基板の外周部において、第１の被膜の少なくとも一部を除去し、段差を形成する工程と、少なくとも前記段差の形成された領域に、選択的に第２の被膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】段差の上段と下段とを接続する、従来よりも傾斜の緩やかな傾斜面の形成方法を提供する。
【解決手段】上面１４と、主面１１ａと、側面１６とを有する段差構造を備えていて、側面から内部へと両平面にわたる深さの凹溝２２が形成されている下地１３を用意する第１工程と、下地上に凹溝を通り、かつ、上面及び主面の間にわたって、粘性流体を塗布することによって、粘性流体塗布層２４であって、凹溝中における粘性流体塗布層の表面が、上面側から主面側に向かうにつれて高さが低くなる傾斜面２６を有する粘性流体塗布層を形成する第２工程と、粘性流体塗布層を凹溝中の傾斜面を残すようにパターニングする第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】プレメタル誘電体を含む半導体構造および半導体構造にプレメタル誘電体を堆積形成する方法を実現する。
【解決手段】本発明は、各構成要素２、３、４、９、１１を表面に有する基板１を有し、上記各構成要素２、３、４、９、１１は、少なくとも一つのギャップを形成するように互いに離間されており、上記ギャップは、層の有利な組み合わせにより充填され、上記組み合わせが、少なくともスピンオン形成用の誘電体１４の層を含み、さらに、他の絶縁層が配置、または、リンがドープされたシリケートガラスの層１６が配置されているプレメタル誘電体を含む半導体構造に関する。上記の各層の組み合わせの使用により、上記ギャップの充填において、ボイド１７の発生の抑制または防止できて、上記半導体構造では、化学的および／または機械的および／または電子的に有利な各特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光ＣＶＤ膜において、段差被覆性及び表面平坦性を低下させることなく、耐クラック性を向上する。
【解決手段】段差を有する基板Ｓを１００℃以下の温度に保ったままで、真空紫外光ＣＶＤにより主面ＳａにＣＶＤ膜３４を成膜する。まず、直鎖状有機ケイ素化合物からなる第１材料ガスと、環状有機ケイ素化合物からなる第２材料ガスとを混合した第１原料ガスを用いて、下層ＣＶＤ膜２６を成膜する。これに引き続き、環状有機ケイ素化合物からなる第２原料ガスを用いて、下層ＣＶＤ膜上に上層ＣＶＤ膜２８を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することで、リーク電流特性とカバリッジ性の改善を可能とする。
【解決手段】トレンチ１２の内面に形成された第１電極２１と、前記第１電極２１表面に形成されたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜２２を介して前記第１電極２１表面に形成された第２電極２３とを備えたトレンチキャパシタ１を有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜２２をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、段差被覆性、密着性に優れ、成膜レートが早く、生産性の
高い、プラズマダメージの少ない半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供するこ
とにある。
【解決手段】 原料ガスを供給する工程に引き続き、プラズマにより励起した反応ガス
を供給して基板上に薄膜を成膜する工程を、1ステップとして、それを繰り返す、いわゆ
るCVD(Chemical Vapor Deposition)法、あるいは、ALD(Atomic Layer Chemical Vapor De
position)法による半導体装置の製造方法において、前記プラズマ生成部を、被成膜基板
と対向して、原料ガスおよび反応ガスの前記被成膜基板への直接の供給口と同じ位置、あ
るいは、前記供給口よりも被成膜基板に近い位置に配置し、対向する少なくとも一組以上
の電極間に印加された高周波により生成されるプラズマを使用するようにした。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み性に優れ、誘電率の小さい絶縁膜を用い、電気的特性の優れた半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 真空排気したチャンバ１内に酸素ガス及び塩素ガス１８を導入すると共に、プラズマアンテナ２７に給電することにより、ガスプラズマ１４を発生させた後、主として、ケイ素製の被エッチング部材２０を塩素ガスラジカルによりエッチングして前駆体１５を生成させ、温度制御手段６の調整により基板３に前駆体１５を吸着させてから、塩素ガスラジカルにより前記基板に吸着した前駆体１５を還元すると共に酸素ガスラジカルにより酸化してＳｉＯ₂膜とする反応により、アスペクト比の大きい溝にＳｉＯ₂膜を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ギャップ充填特性に優れながら欠陥が発生しない半導体素子のトレンチ素子分離方法を提供する。
【解決手段】トレンチが形成された基板を高密度プラズマ化学気相蒸着装置にローディングする段階、基板を第１昇温する段階、装置に第１のバイアスパワーを印加してトレンチの内壁と底面に高密度プラズマ酸化膜ライナーを形成する段階、第１のバイアスパワーをオフし、基板を第２昇温する段階、第１のバイアスパワーより大きい第２のバイアスパワーを印加してトレンチ内部のギャップを充填する高密度プラズマ酸化膜を形成する段階、及び基板を装置からアンローディングする段階を含む。これにより、優秀なギャップ充填特性を確保でき、側壁酸化膜とライナーの分離及びバブル欠陥が発生せず、単純化された工程でＳＴＩを完成できる。 （もっと読む）

【課題】 カバレッジ性が良好であり、フッ素を含む薬液に対する耐性が大きいシリコン酸化膜を低い成膜温度で形成すること。
【解決手段】 処理容器内に被処理体を載置し、この処理容器内にＴＥＯＳガスと酸素ガスと水素ガスとを導入し、前記処理容器内を減圧雰囲気下でＴＥＯＳガスの分解温度よりも低い温度で加熱することにより、前記被処理体の上にシリコン酸化膜を形成する。ＴＥＯＳガスは気相中での分解が抑えられ、被処理体の上に吸着する。一方水素ガスと酸素ガスとは、被処理体の上で水酸基活性種と酸素活性種とを生成し、これら活性種により被処理体に吸着されたＴＥＯＳが分解されて、こうして被処理体の上にシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 まず、反応管２内にＤＣＳを供給し、半導体ウエハＷにＤＣＳを吸着させる。次に、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＤＣＳを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。続いて、反応管２内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸窒化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体素子を備えた半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の主面に形成され、絶縁ゲート型トランジスタを有するメモリセルＭＣと、メモリセルＭＣ上に形成された絶縁膜１４と、メモリセルＭＣと電気的に接続され、絶縁膜１４上に形成された金属配線２１と、絶縁膜１４および金属配線２１を覆うように形成された絶縁膜２２とを有する。絶縁膜１４は、窒素の含有量が１ａｔｏｍ％乃至１５ａｔｏｍ％の範囲内の酸窒化シリコン膜である。 （もっと読む）