【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩにおける酸化シリコン部材によるトレンチ埋め込み工程においては、一般に、ＨＤＰ−ＣＶＤにより、成膜とスパッタ・エッチを同時的に進行させることで、酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜の平坦化を計っている。しかしながら、６５ｎｍプロセス・ノード等の微細製品では、近接したトレンチを均一の埋め込むことが、ますます困難となっている。従って、近接したトレンチ配列部分をより均一に埋め込むことができる技術が待望されている。
【解決手段】本願発明は、近接したトレンチ配列部分をＨＤＰ−ＣＶＤによる酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜によって埋め込む際に、成膜ステップとエッチング・ガスを含むガス雰囲気中でのエッチングを交互に繰り返すことによって、平坦な埋め込み特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの混合を十分に低減して適切な分子層堆積を実現すると共に、スループットを向上し得る成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、気密可能な円筒状の容器２１内に設けられ、開口部を有し、容器の中心軸に沿った第１の方向に一の間隔で配列される複数の第１板状部材２３ｂと、第１の方向に一の間隔で配列され、複数の第１板状部材２３ｂが有する開口部の内側を往復運動可能な複数の第２板状部材２４ｂとを備える。複数の第１板状部材２３ｂのうち第１の一対の第１板状部材２３ｂにより、容器の内周面に向かう第２の方向に第１のガスが流れる第１の流路が画成され、複数の第１板状部材２３ｂのうち第２の一対の第１板状部材２３ｂにより、第２の方向に第２のガスが流れる第２の流路が画成され、複数の第２板状部材２４ｂのうち一対の第２板状部材２４ｂの間に基板が保持される。 （もっと読む）

【課題】表示装置に備えられる金属酸化物半導体からなる薄膜トランジスタにおいて、そのオフ電流をさらに低減させ、かつ動作の安定化を図るようにした表示装置の提供。
【解決手段】基板上に金属酸化物半導体層を半導体層とする薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記基板と薄膜トランジスタの間にシリコン窒化膜がバリア層として形成され、
前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコン窒化膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ステップ構造を維持し、原子レベルで平坦なシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、準備したシリコンウェーハに表面平坦化のための熱処理を行い、ステップ構造を形成する工程と、前記平坦化熱処理されステップ構造が形成されたシリコンウェーハの表面上に１〜２ｎｍの熱酸化膜を形成する工程とを有し、前記平坦化熱処理の工程後に連続して前記熱酸化膜を形成する工程が行われることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 前駆体造成物、薄膜形成方法、これを利用したゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造に利用されることができる薄膜形成用造成物、薄膜形成方法、ゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法において、薄膜造成方法は、前駆体と電子供与化合物を接触させて安定化された前駆体を基板上に提供した後（Ｓ２０）、前駆体と結合を形成できる反応物質を基板上に導入して、薄膜を形成する（Ｓ３０）。電子供与化合物によって安定化された前駆体は、熱的安定性が優秀で、ステップカバレッジが優秀な薄膜を形成することができる。半導体製造工程の安全性、効率性及び信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高精度に平坦化されたＳＯＧ膜を半導体素子上に形成してなる半導体装置を提供する。
【課題の解決手段】半導体装置は、半導体基板上の半導体素子１の周囲をこの半導体素子１とは２μｍ程度の等間隔をおいて壁状突起物２を形成して、半導体素子１が中央に位置するように壁状突起物２で囲んだ状態で、ＳＯＧ膜を形成することにより、壁状突起物２がストッパーとして機能し、流れ込んだＳＯＧは壁状突起物２の側壁に近接した位置では傾斜状態となるが、中央部分の半導体素子１上では平坦状となって、半導体素子１１上のＳＯＧ膜６の膜厚は均一になる。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバー及びその部材や排気系や配管等を腐食することなく、低誘電率、低屈折率、及び高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜を作製する方法、多孔質膜、並びに多孔質膜の前駆体組成物の溶液を提供すること。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物とを含む多孔質膜の前駆体組成物の溶液であって、ｐＨが５〜９である溶液を基板上に塗布し、所定の温度範囲で焼成させ、得られた多孔質膜に対する紫外線照射後、ヘキサメチルジシラザン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール及びトリメチルアミンジメチルアミンから選ばれた疎水性化合物を所定の温度で気相反応させ、疎水化された多孔質膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の焼成温度でＴＦＴ素子上に低誘電率の平坦化膜を形成することが可能なＴＦＴ平坦化膜形成用組成物、及びそのような平坦化膜を有する表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ平坦化膜形成用組成物は、（Ａ）シロキサン樹脂、（Ｂ）重合促進剤、及び（Ｃ）有機溶剤を含有する。（Ｂ）重合促進剤としてはオニウム塩が好ましく、その含有量は、（Ａ）シロキサン樹脂のＳｉＯ_２換算質量に対して１２０〜１０００質量ｐｐｍであることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、ケイ素半導体デバイスおよび光起電力電池用導電性ペーストに有用なガラス組成物に関する。厚膜導体組成物は、１つ以上の電気機能性粉末と、有機媒体に分散された１つ以上のガラスフリットとを含む。厚膜組成物はまた１つ以上の添加剤を有していてもよい。例示の添加剤としては、金属、金属酸化物または焼成中、これらの金属酸化物を生成することのできる任意の化合物を挙げることができる。 （もっと読む）

プラズマ処理装置１のチャンバ２内に、シリコン化合物ガス、酸化性ガス、および希ガスを供給する。マイクロ波をチャンバ２内に供給し、マイクロ波により生成されたプラズマで、被処理基板上にシリコン酸化膜を形成する。希ガスの分圧比は、シリコン化合物ガスと酸化性ガスと希ガスを併せたトータルガス圧の１０％以上の割合であって、シリコン化合物ガスと酸化性ガスの有効流量比（酸化性ガス／シリコン化合物ガス）は、３以上１１以下とする。
（もっと読む）

ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を開示する。ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法も開示する。例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができる。腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態も開示する。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態も開示する。電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態も開示する。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜に含まれる不純物に起因する半導体装置の電気的特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン溶液をシリコン基板１上に塗布して塗布膜６を形成し、塗布膜６を加熱して溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜７を形成し、ポリシラザン膜７を薬液処理することにより、ポリシラザン膜７を二酸化シリコン膜８に変換する。 （もっと読む）

【課題】紫外線を利用して、プラズマによるダメージの少ない良質な膜を基板上に形成することができる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、原料ガスおよび酸化ガスが供給される成膜容器と、成膜容器の成膜室内に配設された、基板が載置される基板ステージと、成膜容器の、成膜室の上方に位置するプラズマ発生室内に配設された、紫外線を発生するプラズマを生成するプラズマ源と、プラズマ発生室と成膜室とを区切るように成膜容器内に配設された、プラズマ発生室から成膜室に紫外線を透過させる紫外線透過板と、を備えている。成膜容器内に供給されたガスは、紫外線透過板を透過した紫外線により活性化されて基板上に酸化膜が生成される。 （もっと読む）

【課題】 常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成できるようにする。
【解決手段】 大気圧近傍の圧力条件でのＣＶＤ法により基板Ｓの表面に酸化膜を形成する装置において、シリコン含有ガスからなる原料ガス（Ａ）、酸化性ガスからなる反応ガス（Ｂ）、Ｈ₂Ｏガス（Ｃ）という３成分のプロセスガスを供給するガス供給源３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、放電処理部１とを備える。放電処理しない原料ガス（Ａ）に、放電処理部１にて放電処理した反応ガス（Ｂ）を基板Ｓ表面付近で混合すると共に、放電処理した又は放電処理しないＨ₂Ｏガス（Ｃ）を添加することによって、常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電体膜を用いたキャパシタ構造を有し、平坦化及び微細分離が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４０と、基板４０上に配置された複数の下部電極１０と、複数の下部電極１０上に連続的に配置された高誘電体膜２０と、高誘電体膜２０上に配置された上部電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５）を含む原料ガスを導入する原料ガス導入工程と、非酸素雰囲気下で、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５）を熱分解しＣＶＤ法により基板上に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）薄膜を形成する薄膜形成工程と、酸素含有雰囲気下で、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）薄膜が形成された基板に後処理を行う後処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤサイドウォール形成時に、ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳ境界領域の２重エッチングによる不具合を克服する。
【解決手段】ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳ境界領域にゲートレベル配線を形成し、ＬＤＤサイドウォール形成時に２重エッチングされるゲートレベル配線の最上層に、サイドウォール絶縁膜層とエッチング選択比のとれる膜１０７をハードマスクとして形成しておくことで、ゲートレベル配線に接続するプラグコンタクト１１２形成時にゲート電極のオーバーエッチによる堆積物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、シーズン前駆体流を該処理チャンバに提供することによってシーズニングされる。高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。該処理チャンバは、該基板の順次移送の間に洗浄される。 （もっと読む）