【課題】絶縁膜の接続孔側壁の寸法制御を高精度に且つ低コストで行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基材１０の主面を被覆し、下部電極１１の上面に達する接続孔１２ｈを有する絶縁膜１２を備える。絶縁膜１２の膜密度は、基材１０の主面から絶縁膜１２の厚み方向に離れるに従って低減する。接続孔１２ｈの内径は、絶縁膜１２の膜密度の低減に伴って拡大する。 （もっと読む）

【課題】ａ）紫外線スペクトル領域において強力かつ均一に吸収でき、ｂ）レジスト材料を、「倒れ込み」および意図したレジストラインの外側への広がりまたは内側への接触から守ることができ、およびｃ）フォトレジスト現像剤に対して不浸透性であることのできる反射防止コーティングならびにスピンオンガラス反射防止コーティングの製造方法を提供。
【解決手段】吸収組成物は、少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物および少なくとも１つの材料変性剤を含む。更に、吸収組成物の製造方法は、ａ）少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物、少なくとも１つの材料変性剤、および１つまたは複数の溶媒を組み合わせて反応混合物を形成する工程であって、少なくとも１つの材料変性剤が、少なくとも１つの酸および水を含む工程、およびｂ）反応混合物を、吸収材料、コーティングまたはフィルムに形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温でシリコン含有窒化膜を成膜することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハにＳｉＮ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ウエハが収容される処理室に、ＤＣＳ（ジクロロシラン）を供給するシラン系ガス供給工程と、前記シラン系ガスの供給と同時ではないタイミングで、前記処理室にＮＨ_３（アンモニア）を供給する窒化ガス供給工程と、前記処理室にＴＥＡ（トリエチルアミン）を供給するアミン系ガス供給工程と、前記処理室の前記シラン系ガスまたは前記窒化ガスを排気する排気工程と、を有し、前記アミン系ガス供給工程は、前記シラン系ガス供給工程及び前記窒化ガス供給工程と合わせて行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられた微細空間内に、充填不全などを回避して、絶縁物を確実に充填しえる方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板２に設けられた微細空間２１内に絶縁物を充填するにあたり、微細空間２１の開口する半導体基板２の一面側から、微細空間２１内に流動性絶縁物４を充填する。そして、流動性絶縁物４を、加圧したままで、硬化させる。 （もっと読む）

【課題】エネルギーコストを抑制できるシリコンオキシナイトライド膜の製造方法とそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板の提供。
【解決手段】基板表面にポリシラザン化合物を含む被膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成させ、前記塗膜に含まれる過剰の溶媒を除去し、溶媒除去後の塗膜を１５０℃未満の温度条件下で紫外線を照射することを含むシリコンオキシナイトライド膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板（３５）上にフィルムを蒸着する方法を提供する。
【解決手段】基板（３５）は、約０．１ミリトールから約１００ミリトールの圧力で反応容器（１）に入れられる。この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反応性をもつガス（ラジカル）を利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを５０モル％以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が１０００〜５００００であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して１４質量％超３０質量％以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜１４により、基板１０表面上に形成されたトレンチ１２を埋め込む。 （もっと読む）

炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層（例えばシリコン−窒素−水素（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）膜）を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
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【課題】透明導電膜を配線電極とした場合における段差部での絶縁不良や断線を解決し、酸化物半導体膜が持つ高い移動度を生かした高速応答ディスプレイや周辺回路等を実現することができる、薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に設けられた透明導電膜からなるゲート電極２と、ゲート電極２を覆って平坦化するように設けられたゲート絶縁膜３と、ゲート電極２の上方であって前記ゲート絶縁膜３上に設けられた酸化物半導体膜４と、酸化物半導体膜４上に該酸化物半導体膜４の中央部を開けて離間して設けられたソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを有し、前記ゲート絶縁膜３が、塗布型材料からなる絶縁性の平坦化膜３ａを有するように構成した。ゲート絶縁膜３は、平坦化膜３ａからなるように構成してもよいし、平坦化膜３ａと平坦化膜３ａ上に設けられた絶縁膜３ｂとからなるように構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成する減圧容器と、原料ガスを成膜空間に供給する原料ガス供給ユニットと、を有する。原料ガス供給ユニットは、原料ガス管と、パージガス管と、原料ガス管とパージガス管とが接続されて原料ガスおよびパージガスを成膜空間に供給するガス供給管とを有する。原料ガス管には、原料ガス管とパージガス管との接続部分から近い順に第１制御バルブと第２制御バルブと、が設けられている。原料ガス供給ユニットは、第２制御バルブを開いて、第１制御バルブと第２制御バルブ間の減圧状態にある原料ガス管内に原料ガスを導入した後、第１制御バルブを開くように制御することにより、原料ガスを、成膜空間に供給する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉチヤネルを有するＮＭＯＳとＳｉＧｅチャネルを有するＰＭＯＳで、ＮＭＯＳには引張り歪みを与える、ＰＭＯＳには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板５０の一部領域にシリコンゲルマニウムチャネル膜５４ａを形成し、ＰＭＯＳトランジスタを、シリコン膜６０ａを形成し、ＮＭＯＳトランジスタを形成する。単結晶シリコン基板、シリコンゲルマニウムチャネル膜、ＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタの表面上に、反応ガス、雰囲気ガス及び水素ガスを含む蒸着ガスを用いて、シリコン窒化膜８２を形成し、ＰＭＯＳトランジスタは、シリコンゲルマニウムチャネル膜表面のダングリングボンドの除去により、ホールスキャタリングが抑制され、ＮＭＯＳトランジスタには引張り歪みを与えることにより動作特性の改善ができる。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜２２の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。また膜２０は酸素が透過しやすい性質を有するので、酸素熱処理により強誘電体キャパシタ１９における分極特性のばらつきも十分防止できる。 （もっと読む）

【課題】埋設性と塗布性とに優れ、すぐれた膜物性を有するシリカ質膜を形成することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量８００〜２，５００の範囲と、分子量３，０００〜８，０００の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎの比Ｍｗ／Ｍｎが６〜１２である、コーティング組成物。このコーティング組成物ギャップを有する基板上に塗布し、１０００℃以下で加熱することにより、ギャップ深部まで埋設されたシリカ質膜を形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填するケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行する方法が提供される。一実施形態では、誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
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酸化ケイ素層を形成する方法が記載される。方法は、無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合すること、シリコン−窒素含有層を基板上に堆積することを含む。ラジカル−窒素前駆体は、プラズマ内に水素−窒素含有前駆体を流すことによって、プラズマ中で形成される。シリコン−窒素含有層を堆積する前に、酸化ケイ素ライナ層が形成され、シリコン−窒素含有層の接着、平滑性、流動性を改善する。シリコン−窒素含有層は、膜を硬化およびアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換することができる。方法は、酸化ケイ素ライナ層を形成し、その後スピンオンシリコン含有材料を塗布することも含む。
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