塗布型膜の形成方法
【課題】塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供する。
【解決手段】塗布型膜の形成方法は、半導体基板Ｗを含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程Ｓ１と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程Ｓ２と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程Ｓ３とを含む。
【解決手段】塗布型膜の形成方法は、半導体基板Ｗを含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程Ｓ１と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程Ｓ２と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程Ｓ３とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布型膜の形成方法に関し、特に電子デバイスの電極の形成および／または配線形成をする際に印刷や塗布などの低コストプロセスにより低抵抗膜、もしくは絶縁膜を形成する塗布型膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの電極膜もしくは配線パターン、または素子分離膜は、一般的に真空蒸着法やスパッタリング法あるいはＣＶＤ（化学的蒸着）法などの真空成膜技術を用いて形成した膜に対してフォトリソグラフイーとエッチングを施すことにより形成している。
【０００３】
しかしながら、真空成膜技術による膜形成はスループットが低く、成膜装置が高価なことからコストアップを招く。このため、真空成膜手法に替わる低コストな膜形成方法として塗布型材料を用いた塗布法での膜形成が有効となる。
【０００４】
塗布法には、スピン塗布法やダイコート法、スプレー法、印刷法などがあり、いずれの方法も真空を利用した成膜方法に比べて、スループットは高く、塗布装置は安価である。特に、印刷法では、所望のパターンが形成された印刷版を用いて印刷することで直接パターンを形成することが可能となるため、塗布膜の形成後のパターニング工程が省略でき、さらなる低コスト化が図れる。
【０００５】
このように、塗布法は低コストで導電膜もしくは絶縁膜が形成できる利点があるが、原子、分子を堆積させることで膜形成する真空成膜法とは異なり、形成された膜の特性は塗布材料加熱焼結条件に大きく左右される。塗料は膜を形成する材料を溶媒に分散させたものであり、溶媒に由来する有機成分を多く含む。塗布膜を単に加熱焼結した場合有機成分は完全には除去しきれず、電極や配線では抵抗値の上昇、絶縁膜ではリークなど不良の原因となる。
【０００６】
関連技術としては、特許文献１には、ポリシラザンの塗布膜に含まれるＯＨ基に由来する成分を熱処理により除去することが開示されている。また、特許文献２には、オゾン水による基板上の残留有機物の除去方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５―１１６７０６号公報
【特許文献２】特開２００７―２０１０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、スピンコート法やスクリーン印刷に代表される塗布法により形成した塗布膜は真空蒸着法やスパッタリング法に代表される真空成膜法により形成した膜に比べ膜の特性は劣る。この原因は、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分が残留しているためであり、塗布膜の特性向上には、塗布膜中の有機成分を除去することが課題となる。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の塗布型膜の形成方法の実施例１を示す工程図である。
【図２】過水素化ポリシラザンの加熱後のＩＲスペクトルの例を示す図である。
【図３】図３（Ａ）は、過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図３（Ｂ）は、 過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【図４】本発明の塗布型膜の形成方法の実施例２を示す工程図である。
【図５】図５（Ａ）は、Ｃｕペーストの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図５（Ｂ）は、 Ｃｕペーストの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【図６】本発明の塗布型膜の形成方法の実施例３を示す工程図である。
【図７】図７（Ａ）は、Ａｇペーストの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図７（Ｂ）は、Ａｇペーストの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００１５】
（実施例１）
図１は、本発明の塗布型膜の形成方法の実施例１を示す工程図である。
【００１６】
図１に示すように、塗布型膜の形成方法の実施例１は、第１工程Ｓ１と、第２工程Ｓ２と、第３工程Ｓ３と、を含む。
【００１７】
まず、第１工程Ｓ１では、シリコン基板１０上に過水素化シラザン重合体（（ＳｉＨ2 ＮＨ）ｎ）を含む溶液（以下、過水素化シラザン溶液という。）２０を、スピン塗布法を用いて塗布した。具体例としては、シリコン基板１０の上には、例えば複数の素子１１が形成され、隣接の素子１１の間には窪み部分１２が形成されており、これらの窪み部分１２内に、絶縁膜としての過水素化シラザン溶液２０が塗布された。シリコン基板１０は半導体基板の一例であり、過水素化シラザン溶液２０は、有機金属化合物を含む溶液の一例である。
【００１８】
次に、第２工程Ｓ２では、１５０℃で３分間程度のベーキング処理を行うことで、過水素化シラザン溶液２０から溶媒が揮発して、過水素化ポリシラザン（polysilazane:以下ＰＳＺと記す）膜２１を形成する。このＰＳＺ膜２１に対して、２００℃より高く６００℃以下の温度、例えば、３００℃の水蒸気雰囲気中で３０分程度の酸化処理（第１の酸化処理）を行うことで、ＰＳＺ膜２１は、二酸化シリコン膜に一部変換する。ここでは、ＰＳＺ膜２１はまだ完全なＳｉＯ2膜ではないことが、図２に示す赤外線吸収法（ＩＲ）測定の結果から分かっている。また、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）による分析から、この時点でＰＳＺ膜２１には不純物が３６％程度含まれていることが分かっている。
【００１９】
さらに、第３工程Ｓ３では、以下に示す（１）〜（６）の処理をして、ＰＳＺ膜２１は、より二酸化シリコン膜２２へと改質し、加えて不純物が除去される。
【００２０】
（１） 基板を加熱しない場合でのオゾンガスによる処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板をオゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００２１】
（２） 基板を加熱しない場合での過熱水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００２２】
（３） 基板を加熱しない場合でのオゾンガスと過熱水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板をオゾンガスと過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００２３】
（４） 基板を加熱した場合でのオゾンガスによる処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、オゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００２４】
（５）基板を加熱した場合での過熱水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００２５】
（６）基板を加熱した場合でのオゾンガスと水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００２６】
ここで、図３を参照する。図３は、ＰＳＺ膜の組成比を示している。図３（Ａ）は、過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図３（Ｂ）は、 過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【００２７】
図３（Ａ）では、室温における不純物除去例を示しており、参照例Ａと、オゾンガスによる処理例Ｂと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃと、過熱水蒸気による処理例Ｄを示している。第３工程での処理前の参照例Ａは、図２に示すようにＰＳＺ膜がまだ完全なＳｉＯ2膜ではない場合を示しており、不純物Ｗが３６％含まれている。
【００２８】
図３（Ａ）では、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｗ１と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｗ２と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｗ３は、参照例Ａにおける不純物Ｗと比較すると、少なくなっており、不純物Ｗ１は最大で５％まで減少した。
【００２９】
図３（Ｂ）では、高温（２５０℃）における不純物除去例を示しており、２５０℃での処理例Ｅと、オゾンガスによる処理例Ｆと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｇと、過熱水蒸気による処理例Ｈを示している。
【００３０】
図３（Ｂ）では、２５０℃での処理例Ｅにおける不純物Ｗ４と、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｗ５と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｗ６と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｗ７は、図３（Ａ）の参照例Ａにおける不純物Ｗと比較すると、少なくなっている。
【００３１】
上述した実施例１の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含んでいる。第２工程では、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる、および／または塗布膜を改質することができる。
【００３２】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。また、前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。
【００３３】
（実施例２）
図４は、本発明の塗布型膜の形成方法の実施例２を示す工程図である。
【００３４】
図４に示すように、塗布型膜の形成方法の実施例２は、第１工程Ｓ１１と、第２工程Ｓ１２と、第３工程Ｓ１３と、を含む。
【００３５】
まず、第１工程Ｓ１１では、シリコン基板上にＣｕを含むペースト（大研化学工業株式会社製）を、スクリーン印刷を用いて塗布した。具体例としては、シリコン基板３０にはスルーホール３１が形成されており、スルーホール３１内の導電体３２は素子３３に電気的に接続されている。このシリコン基板３０の上には、Ｃｕを含むペースト３５が塗布されて導電体３２に電気的に接続された。
【００３６】
次に、第２工程Ｓ１２では、１５０℃で３分程度のベーキング処理を行うことで溶媒が揮発し、Ｃｕ導電膜３６が形成される。
【００３７】
さらに、第３工程Ｓ１３では、以下に示す（１）〜（６）の処理をそれぞれ行うことで、Ｃｕ導電膜３６から不純物が除去される。
【００３８】
（１） 基板を加熱しない場合でのオゾンガスによる処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板をオゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００３９】
（２）基板を加熱しない場合での過熱水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００４０】
（３）基板を加熱しない場合でのオゾンガスと過熱水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板をオゾンガスと過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００４１】
（４）基板を加熱した場合でのオゾンガスによる処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、オゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００４２】
（５）基板を加熱した場合での過熱水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００４３】
（６）基板を加熱した場合でのオゾンガスと水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００４４】
ここで、図５には、Ｃｕ導電膜の組成比を示す。図５（Ａ）は、Ｃｕペースト（Ｃｕ導電膜）の各種処理による不純物除去（室温）を示し、図５（Ｂ）は、 Ｃｕペースト（Ｃｕ導電膜）の各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。この場合には不純物Ｖは炭素である。
【００４５】
図５（Ａ）では、室温における不純物除去例を示しており、参照例Ａと、オゾンガスによる処理例Ｂと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃと、過熱水蒸気による処理例Ｄを示している。第３工程での処理前の参照例Ａには、不純物Ｖが８１％含まれている。
【００４６】
図５（Ａ）では、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｖ１と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｖ２と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｖ３は、参照例Ａにおける不純物Ｖと比較すると、少なくなっており、不純物Ｖ５は最大で１３．４％まで減少した。
【００４７】
図５（Ｂ）では、高温（２５０℃）における不純物除去例を示しており、２５０℃での処理例Ｅと、オゾンガスによる処理例Ｆと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｇと、過熱水蒸気による処理例Ｈを示している。
【００４８】
図５（Ｂ）では、２５０℃での処理例Ｅにおける不純物Ｖ４と、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｖ５と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｖ６と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｖ７は、図５（Ａ）の参照例Ａにおける不純物Ｖと比較すると、かなり少なくなっている。
【００４９】
上述した実施例２の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含んでいる。第２工程では、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる、および／または塗布膜を改質することができる。
【００５０】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。また、前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。
【００５１】
（実施例３）
図６は、本発明の塗布型膜の形成方法の実施例３を示す工程図である。
【００５２】
図６に示すように、塗布型膜の形成方法の実施例３は、第１工程Ｓ２１と、第２工程Ｓ２２と、第３工程Ｓ２３と、を含む。
【００５３】
まず、第１工程Ｓ２１では、シリコン基板上にＡｇを含むペースト（大研化学工業株式会社製）を、スクリーン印刷を用いて塗布した。具体例としては、シリコン基板３０にはスルーホール３１が形成されており、スルーホール３１内の導電体３２は素子３３に電気的に接続されている。このシリコン基板３０の上には、Ａｇを含むペースト４５が塗布されて導電体３２に電気的に接続された。
【００５４】
次に、第２工程Ｓ２２では、１５０℃で３分程度のベーキング処理を行うことで溶媒が揮発し、Ａｇ導電膜４６が形成される。
【００５５】
さらに、第３工程Ｓ２３では、以下に示す（１）〜（６）の処理をそれぞれ行うことで、Ａｇ導電膜４６から不純物が除去される。
【００５６】
（１）基板を加熱しない場合でのオゾンガスによる処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板をオゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００５７】
（２）基板を加熱しない場合での過熱水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００５８】
（３）基板を加熱しない場合でのオゾンガスと過熱水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板をオゾンガスと過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００５９】
（４）基板を加熱した場合でのオゾンガスによる処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、オゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００６０】
（５）基板を加熱した場合での過熱水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００６１】
（６）基板を加熱した場合でのオゾンガスと水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００６２】
ここで、図７には、Ａｇ導電膜の組成比を示す。図７（Ａ）は、Ａｇペースト（Ａｇ導電膜）の各種処理による不純物除去（室温）を示し、図７（Ｂ）は、 Ａｇペースト（Ａｇ導電膜）の各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。この場合に、不純物Ｘは炭素である。
【００６３】
図７（Ａ）では、室温における不純物除去例を示しており、参照例Ａと、オゾンガスによる処理例Ｂと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃと、過熱水蒸気による処理例Ｄを示している。第３工程での処理前の参照例Ａには、不純物Ｗが６５％含まれている。
【００６４】
図７（Ａ）では、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｘ１と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｘ２と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｘ３は、参照例Ａにおける不純物Ｘと比較すると、少なくなっており、不純物Ｘ５では最大で７％まで減少した。
【００６５】
図７（Ｂ）では、高温（２５０℃）における不純物除去例を示しており、２５０℃での処理例Ｅと、オゾンガスによる処理例Ｆと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｇと、過熱水蒸気による処理例Ｈを示している。
【００６６】
図７（Ｂ）では、２５０℃での処理例Ｅにおける不純物Ｘ４と、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｘ５と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｘ６と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｘ７は、図７（Ａ）の参照例Ａにおける不純物Ｘと比較すると、少なくなっている。
【００６７】
上述した実施例３の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含んでいる。第２工程では、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる、および／または塗布膜を改質することができる。
【００６８】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。また、前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。
【００６９】
上述した本発明の各実施例では、第１工程は、塗布溶液をスピン塗布、凸版印刷塗布、孔版印刷塗布、平版印刷塗布、凹版印刷塗布、インクジェット塗布のいずれかを用いて塗布することができる。
【００７０】
また、第２工程では、５０℃から３００℃の範囲において加熱処理される。加熱処理温度が５０℃よりも低いと、溶媒除去が不十分であり、３００℃よりも高いと、下地であるシリコン基板にダメージを与えるので好ましくない。
【００７１】
さらに、第３工程では、２５℃から４００℃の範囲において加熱処理される。加熱処理温度が２５℃よりも低いと、室温よりも低くするための設備が必要であり、４００℃よりも高いと、下地であるシリコン基板にダメージを与えるので好ましくない。
【００７２】
本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。これにより、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる。電子デバイスの電極の形成および／または配線形成をする際に印刷や塗布などの低コストプロセスにより低抵抗膜、もしくは絶縁膜を形成することができる。
【００７３】
また、本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。これにより、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる。電子デバイスの電極の形成および／または配線形成をする際に印刷や塗布などの低コストプロセスにより低抵抗膜、もしくは絶縁膜を形成することができる。
【００７４】
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変更ができる。
【００７５】
さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１０，３０，４０ シリコン基板、２０ 過水素化シラザン溶液、３５ Ｃｕを含むペースト、３６ Ｃｕ導電膜、４５ Ａｇを含むペースト、４６ Ａｇ導電膜、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 第１工程、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３ 第１工程、Ｓ２１、Ｓ２１、Ｓ２３ 第１工程、
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布型膜の形成方法に関し、特に電子デバイスの電極の形成および／または配線形成をする際に印刷や塗布などの低コストプロセスにより低抵抗膜、もしくは絶縁膜を形成する塗布型膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの電極膜もしくは配線パターン、または素子分離膜は、一般的に真空蒸着法やスパッタリング法あるいはＣＶＤ（化学的蒸着）法などの真空成膜技術を用いて形成した膜に対してフォトリソグラフイーとエッチングを施すことにより形成している。
【０００３】
しかしながら、真空成膜技術による膜形成はスループットが低く、成膜装置が高価なことからコストアップを招く。このため、真空成膜手法に替わる低コストな膜形成方法として塗布型材料を用いた塗布法での膜形成が有効となる。
【０００４】
塗布法には、スピン塗布法やダイコート法、スプレー法、印刷法などがあり、いずれの方法も真空を利用した成膜方法に比べて、スループットは高く、塗布装置は安価である。特に、印刷法では、所望のパターンが形成された印刷版を用いて印刷することで直接パターンを形成することが可能となるため、塗布膜の形成後のパターニング工程が省略でき、さらなる低コスト化が図れる。
【０００５】
このように、塗布法は低コストで導電膜もしくは絶縁膜が形成できる利点があるが、原子、分子を堆積させることで膜形成する真空成膜法とは異なり、形成された膜の特性は塗布材料加熱焼結条件に大きく左右される。塗料は膜を形成する材料を溶媒に分散させたものであり、溶媒に由来する有機成分を多く含む。塗布膜を単に加熱焼結した場合有機成分は完全には除去しきれず、電極や配線では抵抗値の上昇、絶縁膜ではリークなど不良の原因となる。
【０００６】
関連技術としては、特許文献１には、ポリシラザンの塗布膜に含まれるＯＨ基に由来する成分を熱処理により除去することが開示されている。また、特許文献２には、オゾン水による基板上の残留有機物の除去方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５―１１６７０６号公報
【特許文献２】特開２００７―２０１０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、スピンコート法やスクリーン印刷に代表される塗布法により形成した塗布膜は真空蒸着法やスパッタリング法に代表される真空成膜法により形成した膜に比べ膜の特性は劣る。この原因は、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分が残留しているためであり、塗布膜の特性向上には、塗布膜中の有機成分を除去することが課題となる。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる塗布型膜の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の塗布型膜の形成方法の実施例１を示す工程図である。
【図２】過水素化ポリシラザンの加熱後のＩＲスペクトルの例を示す図である。
【図３】図３（Ａ）は、過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図３（Ｂ）は、 過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【図４】本発明の塗布型膜の形成方法の実施例２を示す工程図である。
【図５】図５（Ａ）は、Ｃｕペーストの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図５（Ｂ）は、 Ｃｕペーストの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【図６】本発明の塗布型膜の形成方法の実施例３を示す工程図である。
【図７】図７（Ａ）は、Ａｇペーストの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図７（Ｂ）は、Ａｇペーストの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００１５】
（実施例１）
図１は、本発明の塗布型膜の形成方法の実施例１を示す工程図である。
【００１６】
図１に示すように、塗布型膜の形成方法の実施例１は、第１工程Ｓ１と、第２工程Ｓ２と、第３工程Ｓ３と、を含む。
【００１７】
まず、第１工程Ｓ１では、シリコン基板１０上に過水素化シラザン重合体（（ＳｉＨ2 ＮＨ）ｎ）を含む溶液（以下、過水素化シラザン溶液という。）２０を、スピン塗布法を用いて塗布した。具体例としては、シリコン基板１０の上には、例えば複数の素子１１が形成され、隣接の素子１１の間には窪み部分１２が形成されており、これらの窪み部分１２内に、絶縁膜としての過水素化シラザン溶液２０が塗布された。シリコン基板１０は半導体基板の一例であり、過水素化シラザン溶液２０は、有機金属化合物を含む溶液の一例である。
【００１８】
次に、第２工程Ｓ２では、１５０℃で３分間程度のベーキング処理を行うことで、過水素化シラザン溶液２０から溶媒が揮発して、過水素化ポリシラザン（polysilazane:以下ＰＳＺと記す）膜２１を形成する。このＰＳＺ膜２１に対して、２００℃より高く６００℃以下の温度、例えば、３００℃の水蒸気雰囲気中で３０分程度の酸化処理（第１の酸化処理）を行うことで、ＰＳＺ膜２１は、二酸化シリコン膜に一部変換する。ここでは、ＰＳＺ膜２１はまだ完全なＳｉＯ2膜ではないことが、図２に示す赤外線吸収法（ＩＲ）測定の結果から分かっている。また、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）による分析から、この時点でＰＳＺ膜２１には不純物が３６％程度含まれていることが分かっている。
【００１９】
さらに、第３工程Ｓ３では、以下に示す（１）〜（６）の処理をして、ＰＳＺ膜２１は、より二酸化シリコン膜２２へと改質し、加えて不純物が除去される。
【００２０】
（１） 基板を加熱しない場合でのオゾンガスによる処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板をオゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００２１】
（２） 基板を加熱しない場合での過熱水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００２２】
（３） 基板を加熱しない場合でのオゾンガスと過熱水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板をオゾンガスと過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００２３】
（４） 基板を加熱した場合でのオゾンガスによる処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、オゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００２４】
（５）基板を加熱した場合での過熱水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００２５】
（６）基板を加熱した場合でのオゾンガスと水蒸気による処理
ＰＳＺ膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００２６】
ここで、図３を参照する。図３は、ＰＳＺ膜の組成比を示している。図３（Ａ）は、過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（室温）を示し、図３（Ｂ）は、 過水素化ポリシラザンの各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。
【００２７】
図３（Ａ）では、室温における不純物除去例を示しており、参照例Ａと、オゾンガスによる処理例Ｂと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃと、過熱水蒸気による処理例Ｄを示している。第３工程での処理前の参照例Ａは、図２に示すようにＰＳＺ膜がまだ完全なＳｉＯ2膜ではない場合を示しており、不純物Ｗが３６％含まれている。
【００２８】
図３（Ａ）では、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｗ１と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｗ２と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｗ３は、参照例Ａにおける不純物Ｗと比較すると、少なくなっており、不純物Ｗ１は最大で５％まで減少した。
【００２９】
図３（Ｂ）では、高温（２５０℃）における不純物除去例を示しており、２５０℃での処理例Ｅと、オゾンガスによる処理例Ｆと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｇと、過熱水蒸気による処理例Ｈを示している。
【００３０】
図３（Ｂ）では、２５０℃での処理例Ｅにおける不純物Ｗ４と、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｗ５と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｗ６と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｗ７は、図３（Ａ）の参照例Ａにおける不純物Ｗと比較すると、少なくなっている。
【００３１】
上述した実施例１の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含んでいる。第２工程では、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる、および／または塗布膜を改質することができる。
【００３２】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。また、前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。
【００３３】
（実施例２）
図４は、本発明の塗布型膜の形成方法の実施例２を示す工程図である。
【００３４】
図４に示すように、塗布型膜の形成方法の実施例２は、第１工程Ｓ１１と、第２工程Ｓ１２と、第３工程Ｓ１３と、を含む。
【００３５】
まず、第１工程Ｓ１１では、シリコン基板上にＣｕを含むペースト（大研化学工業株式会社製）を、スクリーン印刷を用いて塗布した。具体例としては、シリコン基板３０にはスルーホール３１が形成されており、スルーホール３１内の導電体３２は素子３３に電気的に接続されている。このシリコン基板３０の上には、Ｃｕを含むペースト３５が塗布されて導電体３２に電気的に接続された。
【００３６】
次に、第２工程Ｓ１２では、１５０℃で３分程度のベーキング処理を行うことで溶媒が揮発し、Ｃｕ導電膜３６が形成される。
【００３７】
さらに、第３工程Ｓ１３では、以下に示す（１）〜（６）の処理をそれぞれ行うことで、Ｃｕ導電膜３６から不純物が除去される。
【００３８】
（１） 基板を加熱しない場合でのオゾンガスによる処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板をオゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００３９】
（２）基板を加熱しない場合での過熱水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００４０】
（３）基板を加熱しない場合でのオゾンガスと過熱水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板をオゾンガスと過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００４１】
（４）基板を加熱した場合でのオゾンガスによる処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、オゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００４２】
（５）基板を加熱した場合での過熱水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００４３】
（６）基板を加熱した場合でのオゾンガスと水蒸気による処理
Ｃｕ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００４４】
ここで、図５には、Ｃｕ導電膜の組成比を示す。図５（Ａ）は、Ｃｕペースト（Ｃｕ導電膜）の各種処理による不純物除去（室温）を示し、図５（Ｂ）は、 Ｃｕペースト（Ｃｕ導電膜）の各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。この場合には不純物Ｖは炭素である。
【００４５】
図５（Ａ）では、室温における不純物除去例を示しており、参照例Ａと、オゾンガスによる処理例Ｂと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃと、過熱水蒸気による処理例Ｄを示している。第３工程での処理前の参照例Ａには、不純物Ｖが８１％含まれている。
【００４６】
図５（Ａ）では、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｖ１と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｖ２と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｖ３は、参照例Ａにおける不純物Ｖと比較すると、少なくなっており、不純物Ｖ５は最大で１３．４％まで減少した。
【００４７】
図５（Ｂ）では、高温（２５０℃）における不純物除去例を示しており、２５０℃での処理例Ｅと、オゾンガスによる処理例Ｆと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｇと、過熱水蒸気による処理例Ｈを示している。
【００４８】
図５（Ｂ）では、２５０℃での処理例Ｅにおける不純物Ｖ４と、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｖ５と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｖ６と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｖ７は、図５（Ａ）の参照例Ａにおける不純物Ｖと比較すると、かなり少なくなっている。
【００４９】
上述した実施例２の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含んでいる。第２工程では、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる、および／または塗布膜を改質することができる。
【００５０】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。また、前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。
【００５１】
（実施例３）
図６は、本発明の塗布型膜の形成方法の実施例３を示す工程図である。
【００５２】
図６に示すように、塗布型膜の形成方法の実施例３は、第１工程Ｓ２１と、第２工程Ｓ２２と、第３工程Ｓ２３と、を含む。
【００５３】
まず、第１工程Ｓ２１では、シリコン基板上にＡｇを含むペースト（大研化学工業株式会社製）を、スクリーン印刷を用いて塗布した。具体例としては、シリコン基板３０にはスルーホール３１が形成されており、スルーホール３１内の導電体３２は素子３３に電気的に接続されている。このシリコン基板３０の上には、Ａｇを含むペースト４５が塗布されて導電体３２に電気的に接続された。
【００５４】
次に、第２工程Ｓ２２では、１５０℃で３分程度のベーキング処理を行うことで溶媒が揮発し、Ａｇ導電膜４６が形成される。
【００５５】
さらに、第３工程Ｓ２３では、以下に示す（１）〜（６）の処理をそれぞれ行うことで、Ａｇ導電膜４６から不純物が除去される。
【００５６】
（１）基板を加熱しない場合でのオゾンガスによる処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板をオゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００５７】
（２）基板を加熱しない場合での過熱水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００５８】
（３）基板を加熱しない場合でのオゾンガスと過熱水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板をオゾンガスと過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００５９】
（４）基板を加熱した場合でのオゾンガスによる処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、オゾンガス雰囲気に１５分間さらした。
【００６０】
（５）基板を加熱した場合での過熱水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気雰囲気に１５分間さらした。
【００６１】
（６）基板を加熱した場合でのオゾンガスと水蒸気による処理
Ａｇ導電膜を塗布した基板を２５０℃に加熱し、過熱水蒸気の混合雰囲気に１５分間さらした。
【００６２】
ここで、図７には、Ａｇ導電膜の組成比を示す。図７（Ａ）は、Ａｇペースト（Ａｇ導電膜）の各種処理による不純物除去（室温）を示し、図７（Ｂ）は、 Ａｇペースト（Ａｇ導電膜）の各種処理による不純物除去（高温）を示す図である。この場合に、不純物Ｘは炭素である。
【００６３】
図７（Ａ）では、室温における不純物除去例を示しており、参照例Ａと、オゾンガスによる処理例Ｂと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃと、過熱水蒸気による処理例Ｄを示している。第３工程での処理前の参照例Ａには、不純物Ｗが６５％含まれている。
【００６４】
図７（Ａ）では、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｘ１と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｘ２と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｘ３は、参照例Ａにおける不純物Ｘと比較すると、少なくなっており、不純物Ｘ５では最大で７％まで減少した。
【００６５】
図７（Ｂ）では、高温（２５０℃）における不純物除去例を示しており、２５０℃での処理例Ｅと、オゾンガスによる処理例Ｆと、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｇと、過熱水蒸気による処理例Ｈを示している。
【００６６】
図７（Ｂ）では、２５０℃での処理例Ｅにおける不純物Ｘ４と、オゾンガスによる処理例Ｂにおける不純物Ｘ５と、オゾンガスと過熱水蒸気による処理例Ｃにおける不純物Ｘ６と、過熱水蒸気による処理例Ｄにおける不純物Ｘ７は、図７（Ａ）の参照例Ａにおける不純物Ｘと比較すると、少なくなっている。
【００６７】
上述した実施例３の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含んでいる。第２工程では、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる、および／または塗布膜を改質することができる。
【００６８】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。また、前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液である。
【００６９】
上述した本発明の各実施例では、第１工程は、塗布溶液をスピン塗布、凸版印刷塗布、孔版印刷塗布、平版印刷塗布、凹版印刷塗布、インクジェット塗布のいずれかを用いて塗布することができる。
【００７０】
また、第２工程では、５０℃から３００℃の範囲において加熱処理される。加熱処理温度が５０℃よりも低いと、溶媒除去が不十分であり、３００℃よりも高いと、下地であるシリコン基板にダメージを与えるので好ましくない。
【００７１】
さらに、第３工程では、２５℃から４００℃の範囲において加熱処理される。加熱処理温度が２５℃よりも低いと、室温よりも低くするための設備が必要であり、４００℃よりも高いと、下地であるシリコン基板にダメージを与えるので好ましくない。
【００７２】
本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。これにより、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる。電子デバイスの電極の形成および／または配線形成をする際に印刷や塗布などの低コストプロセスにより低抵抗膜、もしくは絶縁膜を形成することができる。
【００７３】
また、本発明の塗布型膜の形成方法は、半導体基板を含む基板の表面に少なくとも金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする。これにより、塗布法を用いても、塗布膜中に溶媒に由来する有機成分を除去できる。電子デバイスの電極の形成および／または配線形成をする際に印刷や塗布などの低コストプロセスにより低抵抗膜、もしくは絶縁膜を形成することができる。
【００７４】
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変更ができる。
【００７５】
さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１０，３０，４０ シリコン基板、２０ 過水素化シラザン溶液、３５ Ｃｕを含むペースト、３６ Ｃｕ導電膜、４５ Ａｇを含むペースト、４６ Ａｇ導電膜、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 第１工程、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３ 第１工程、Ｓ２１、Ｓ２１、Ｓ２３ 第１工程、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を含む基板の表面に少なくとも
有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、
前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、
前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする塗布型膜の形成方法。
【請求項２】
半導体基板を含む基板の表面に少なくとも
金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、
前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、
前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする塗布型膜の形成方法。
【請求項３】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布型膜の形成方法。
【請求項４】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布型膜の形成方法。
【請求項１】
半導体基板を含む基板の表面に少なくとも
有機金属化合物を含む溶液を塗布する第１工程と、
前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、
前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする塗布型膜の形成方法。
【請求項２】
半導体基板を含む基板の表面に少なくとも
金属微粒子を含む溶液を塗布する第１工程と、
前記塗布膜を加熱し溶剤を揮発させる第２工程と、
前記塗布膜を加熱処理、オゾン処理、水蒸気処理からなる少なくとも１つを含む処理をすることにより不純物を除去する第３工程と、を含むことを特徴とする塗布型膜の形成方法。
【請求項３】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、およびケイ素、もしくはこれらの酸化物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布型膜の形成方法。
【請求項４】
前記溶液は、銅、銀、インジウム、スズ、亜鉛、ケイ素、もしくはこれらの有機化合物の群から選択された少なくとも1つを含む溶液であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布型膜の形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２２１１５２（Ｐ２０１０−２２１１５２Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７２３３６（Ｐ２００９−７２３３６）
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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