【課題】強誘電体膜の材料としてＳｒ、Ｂｉ、及びＴａを含有した金属化合物膜を用いる場合に、第１電極を構成する第３サブ電極膜及び第４サブ電極膜間の剥離を防止し、第１電極の破損を防ぐ。
【解決手段】強誘電体膜４５を形成するに当たり、第３工程では、第１電極３１上にＳＴ膜またはＳｒＯ_Ｘ膜を材料とした第１前駆強誘電体膜４３を形成する。そして、第４工程ではＳｒ、Ｂｉ、及びＴａ含有の化合物を材料とした第２前駆強誘電体膜４３を形成する。その結果、第１前駆強誘電体膜がバリアとして機能するため、第２前駆強誘電体膜を形成する際に、原料ガスであるＴａ及びＢｉのそれぞれの成分を含有した各原料ガスは、第１電極に接触することはない。そのため、Ｔａ及びＢｉの各成分が、第１電極に拡散せず、剥離が防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む第１の絶縁膜を形成する工程（Ａ）と、該第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜に積層する工程（Ａ）と、非酸化雰囲気下で紫外線を照射する工程（Ｂ）と、を順次含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】 方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】薄膜の絶縁物バリアー膜を緻密にして、上記リーク電流の増加を十分に防止できるようにする。
【解決手段】ウェハ７に形成されている配線接続孔に対して絶縁体バリアー膜を形成する手段１０３１等と、絶縁体バリアー膜に紫外線を照射する手段３等とを有する。詳しくは、ウェハ７が載置されるヒーター６が設置される第一領域Ｂと、ヒーター６上のウェハ７に紫外線を照射するランプ３が設置される第二領域Ａとの間を仕切る仕切り板１０６８と、第二領域Ａに配置されていてクリーニングを行うプラズマ発生用の電極１０６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス全体の小型化を図ることが可能であり且つデバイス性能の安定化を図れる真空封止デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】気密パッケージＰ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部４により気密パッケージＰ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、デバイス本体１の一部とパッケージ用基板２，３とで気密パッケージＰを構成している。ゲッタ部４は、気密パッケージＰ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子４ａと、隣り合うゲッタ粒子４ａ間を繋ぐ多数のバインダ４ｂとを有する複合化層により構成されている。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ、（Ｒ^１は、Ｈ若しくはＦ、又はＢ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ若しくはＴｉを含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、ｎが２のとき、各Ｒ^１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｅ）成分：ヒドロキシル基を含む側鎖を有する重合体と、を備え、重合体が、式（２）；０＜Ｍ_ＯＨ＜０．４×１０^−２、Ｍ_ＯＨ：重合体における前記ヒドロキシル基の濃度（ｍｏｌ／ｇ）、で表される関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンＴＦＴやＳｉＯ_２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供する。
【解決手段】所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための圧力容器１１と、圧力容器１１内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段１２とを備えるものであって、圧力容器１１が、所定の温度Ｔ１に設定されて所定の蒸気圧Ｐの下で被処理物２１を処理するための第１領域１３と、第１領域１３よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有するように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】熱軟化性絶縁体と共に化合物半導体をシリコンウェハ上に形成するための方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０２上に熱軟化性絶縁体層１０４を形成する。そして、熱軟化性絶縁体層１０４の直上にシリコン酸化物層２００を形成し、シリコン酸化物層２００上に上部Ｓｉ層２０４を形成する。上部Ｓｉ層２０４上には格子不整合バッファ層２０８を形成する。化合物半導体層１０６は、格子不整合バッファ層２０８上に形成する。この熱軟化性絶縁体の液相温度は、Ｓｉおよび化合物半導体の液相温度よりも低い。例えば、熱軟化性絶縁体のフロー温度範囲は約５００℃〜９００℃であり、このフロー温度は固相温度よりも高く、液相温度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法によりスイッチング特性が良好で安定した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体、ゲート電極及び前記有機半導体と該ゲート電極との間にある複数の膜でなる絶縁膜、を有し、前記有機半導体と接する前記絶縁膜は、導入するガスに水素ガスを含む大気圧プラズマ法で設けた無機酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ボラジン骨格を含む絶縁膜を用いた半導体装置のデバイス信頼性を向上させる。
【解決手段】ボラジン化合物を原料として成膜し、当該膜に波長４５０ｎｍ以下の波長を有する紫外線または電離放射線を照射することを特徴とする層間絶縁膜の製造方法および当該製造方法を用いて製造された層間絶縁膜、ならびに当該層間絶縁膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびに前記絶縁膜形成用組成物を用いたシリカ系絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物と、（Ｂ）成分；下記一般式（３）で表される構造を有するカルボシランとを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。Ｒ^１_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ ・・・・・（１） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・・（２）


・・・・・（３） （もっと読む）

【課題】 貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料との間の付着性を向上させた相互接続構造を提供する。
【解決手段】 化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させた相互接続構造およびこれを製造する方法を提供する。本発明によれば、化学的にエッチングした誘電材料に処理ステップを行って、処理した表面が疎水性になるように誘電材料の化学的性質を変更する。処理ステップは、貴金属ライナの堆積前に実行して、化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させるのに役立てる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、パッシベーション効果を保ったままで絶縁膜とレジストとの密着性を改善して、デバイス特性及び信頼性を向上する。
【解決手段】 化合物半導体基体１の表面の少なくとも一部を化合物半導体基体１に接する側４の被覆性が表面側３より高く、且つ、表面側３のレジスト膜に対する密着性が化合物半導体基体１に接する側４より高い窒化珪素系絶縁膜２で被覆する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における相互接続構造の信頼性を高くすること。
【解決手段】シリコン層と、シリコン層上に配置され、複数のトレンチを有する第１の絶縁層501と、複数のトレンチ中に配置されている導電性の相互接続層602と、相互接続層602と第１の絶縁層501との両者上に配置されている第２の絶縁層801とを具備し、第１及び第２の絶縁層501、801の少なくとも１つの熱膨張係数は、相互接続層602の熱膨張係数以上の大きさである。 （もっと読む）

【課題】微細な強誘電体メモリを製造する場合においても、強誘電体膜の劣化を防止できるようにする。
【解決手段】半導体基板の上方に形成された強誘電体キャパシタ１００を覆うように、アルミニウム酸化物膜１５０をＡＬＤ法により形成し、当該アルミニウム酸化物膜１５０を形成した後、強酸化作用のあるオゾン（Ｏ₃）を含む酸化性ガス雰囲気中においてアニール処理を行うようにして、アルミニウム酸化物膜１５０を緻密化した膜とする。これにより、強誘電体膜１００ｂへの水素等の侵入を阻止し、強誘電体膜１００ｂが還元されるのを回避する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化されたゲート絶縁膜として高誘電率材料が使用されている。しかしゲート絶縁膜として要求されるボロンもれの抑制、界面準位密度増加の抑制、固定電荷発生の抑制、リーク電流増加の抑制などの特性を満足するゲート絶縁膜が得られていないという問題がある。
【解決手段】 本発明におけるゲート絶縁膜の形成は、絶縁膜の表面側に窒素原子分率のピーク値を有する高誘電率膜に、プラズマ酸化を行う。プラズマ酸化はシリコン基板界面近くの絶縁膜中にその酸素原子分率のピーク値を有するように形成する。この形成方法によりシリコン基板界面側には窒素が存在しない、酸化膜のみの領域とする。さらに酸素と窒素の原子分率のピーク位置を異ならせることで高品質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧下でのプラズマＣＶＤにより、基材Ａの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマＣＶＤにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が５〜９０ｋＨｚの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Ａの温度が２５〜９０℃の範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】 多層配線の層間絶縁層の膜剥れや、クラックを防止する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造のシリコンカーバイド層表面を、Ｏ₂より分子量が大きく、酸素を含む弱酸化性ガスのプラズマで親水化処理する工程と、親水化処理したシリコンカーバイド層表面上に、酸化シリコンより比誘電率の小さい低誘電率絶縁層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）