【課題】保護層の剥離を防ぐことができるキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るキャパシタ１００の製造方法は，第１導電層の上方に誘電体層５を形成する工程と、誘電体層の上方に第２導電層６０を形成する工程と、少なくとも第２導電層および誘電体層をパターニングする工程と、第１導電層および第２導電層のうちの少なくとも一方の露出している表面に対して、酸化性ガスを用いたプラズマ処理を行って酸化物層４２，６２を形成する工程と、少なくとも誘電体層を被覆するように酸化物からなる保護層１６を形成する工程と、を含み、保護層は，酸化物層のうちの少なくとも一部に接するように形成される。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と電極パッドとの密着性が向上された半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体素子２上に設けられシリコン原子を含む樹脂層４ａの表面４ａｓを、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスから生成されたプラズマＰ１によって処理することにより、酸化膜６ａを形成する第１のプラズマ処理工程と、酸化膜６ａ上に金属からなる電極パッド８を形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、およびソース電極、ドレイン電極からなる薄膜トランジスタにおいて、良好なトランジスタ特性を保ちつつ、膜がはがれにくい信頼性の高いフレキシブルなトランジスタを実現する。
【解決手段】可撓性プラスチックの基材上に、無機材料からなる密着層、金属からなるゲート電極、ゲート電極と接する側のゲート絶縁層がシリコン及び酸素を主体として化学蒸着法（ＣＶＤ法）で炭素を０．５〜４％（原子分率）を含有するように形成した層と、半導体活性層と接する側のゲート絶縁層が、シリコン及び窒素を主体としてスパッタ法で炭素を０．０５〜０．５％（原子分率）を含有するように形成した層の２層以上の異なる組成からなるゲート絶縁層、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極の順に多層構成であって、可撓性プラスチック基材とゲート電極の層間に密着層を形成した薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＣ法で形成されたスルーホールを備え、薄い配線保護膜を有し、且つ、配線の露出を防止可能な配線構造を備える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ソース・ドレイン領域が表面に露出するゲート酸化膜１２を形成する工程と、ゲート酸化膜１２上に、ゲート電極１３及びゲート電極１３を保護するＳｉＣＮ保護膜（１６）を形成する工程と、ＳｉＣＮ保護膜（１６）を覆う層間絶縁膜１７を堆積する工程と、ＳｉＣＮ保護膜（１６）と自己整合的に層間絶縁膜１７をエッチングして、ソース・ドレイン領域を露出させるコンタクトホール１８を形成する工程と、コンタクトホール１８内にソース・ドレイン領域と接続するコンタクトプラグ２０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ容量素子において、容量絶縁膜と上部金属電極の界面および下部金属電極と容量絶縁膜の界面の各膜の配向が不安定であり、十分な耐圧を満足できない。
【解決手段】半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成し、層間絶縁膜２上に下部金属電極３を形成し、下部金属電極３の表面を酸化処理し、下部金属電極３上に容量絶縁膜４を形成し、容量絶縁膜４の表面を酸化処理し、容量絶縁膜４上に上部金属電極５を形成する。下部金属電極３と容量絶縁膜４の界面において、下部金属電極３の表面に薄い金属酸化膜層３ａが形成され、容量絶縁膜４と上部金属電極５の界面において、容量絶縁膜４の表面に薄い酸化膜層４ａが形成されている。金属酸化膜層３ａ、酸化膜層４ａを形成することにより、下部金属電極３と容量絶縁膜４の界面および容量絶縁膜４と上部金属電極５の界面の配向を安定化させる。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】電極からの誘電体膜の剥離を十分に防止できるキャパシタを提供すること。
【解決手段】本発明は、第１電極２と、第２電極４と、第１電極２及び第２電極４間に設けられる誘電体膜３とを備え、誘電体膜３が窒化珪素を含み、誘電体膜３において、下記式Ａ＝（Ｓｉの原子数）／（Ｎの原子数）で表されるＡが０．７０以下であるキャパシタ１００である。このキャパシタ１００によれば、第１電極２及び第２電極４からの誘電体膜３の剥離を十分に防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】本発明は液体材料の下地となる下地層のもたらす弊害を回避することを可能とした半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発明の半導体装置は、基板上に形成されてソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層と、上記チャネル領域に対応して配置されるゲート電極と、上記チャネル領域と上記ゲート電極相互間を絶縁するゲート絶縁層と、上記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されるソース電極及びドレイン電極と、上記ソース電極又はドレイン電極と接続される電極配線層と、上記半導体層、上記ゲート絶縁層及び上記ゲート電極を含むトランジスタ部と上記電極配線層との相互間を絶縁する第１の層間絶縁層とを備え、上記第１の層間絶縁層は、第１の無機絶縁層と多孔性又は表面が微小凹凸を有する第１の下地層との２層構造を含み、該第１の下地層は上記電極配線層をマスクとしてパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ多孔質絶縁膜において、機械的強度を向上させる。
【解決手段】ＳｉＯＣＨ膜を複数のＳｉＯＣＨ膜部分の積層により形成し、各々のＳｉＯＣＨ膜部分は、プラズマＣＶＤ法による堆積工程と、水素プラズマ処理による改質工程により形成される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜及び他の部材、特に無機材料で形成された低誘電率膜及び他の部材どうしの密着性を強化することができる密着強化層形成用材料、該密着強化層形成用材料を用いて形成され密着性に優れた密着強化層、高速で信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】本発明の密着強化層形成用材料は、塩基性官能基を有するオルガノアルコキシシラン、並びに、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランの少なくともいずれかを含むことを特徴とする。本発明の密着強化層は本発明の密着強化層形成用材料を用いて形成される。本発明の半導体装置の製造方法は、被加工基材上に低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、該低誘電率膜形成工程の前及び後の少なくともいずれかに、前記密着強化層形成用材料を用いて密着強化層を形成する密着強化層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するＭＩＭ型容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、半導体基板１上に、第１の導電膜１１、誘電体膜１２、及び第２の導電膜１３を順に形成する。そして、第２の導電膜１３をエッチングして上部電極１３ａを形成し、上部電極１３ａ形成後に誘電体膜１２をエッチングして容量絶縁膜１２ａを形成し、容量絶縁膜１２ａ形成後に第１の導電膜１１をエッチングして下部電極１１ａを形成する。以上の工程により形成されたＭＩＭ型容量素子１上に層間絶縁膜１４が形成され、層間絶縁膜１４に上部電極１３ａに到達するスルーホール１５ａが形成された時点で。スルーホール１５ａの底部に露出した上部電極１３ａに紫外光を照射する。本構成によれば、スルーホール１５ａの形成過程で上部電極１３ａに蓄積された電荷を除去することができ、当該電荷により、容量絶縁膜１２ａの絶縁耐圧が劣化されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成される被膜の剥離、ダストの発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の被膜を形成する工程と、前記半導体基板の外周部において、第１の被膜の少なくとも一部を除去し、段差を形成する工程と、少なくとも前記段差の形成された領域に、選択的に第２の被膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

本発明は、絶縁体、半導体、二元化合物若しくは三元化合物、又は複合材料表面上に芳香族基をグラフトするための芳香族基Ｒを保有するジアゾニウム塩Ｒ−Ｎ_２^＋の使用に関し、上記ジアゾニウム塩は、その溶解限度に近い濃度で、特に０．０５Ｍよりも高い濃度で、好ましくは約０．５Ｍ〜約４Ｍの間の様々な濃度で存在する。 （もっと読む）

【課題】結晶化シリコン膜に絶縁膜を積層した後、結晶化シリコン膜と絶縁膜との間の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を、局所的かつ精度良く測定することができるとともに、基板の歩留まりを向上する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ラマン散乱分光法を用いて、基板上に積層した膜の引っ張りまたは圧縮応力を測定する電気光学装置の製造方法であって、基板上に積層した半導体層１ａの被測定面１１０に光の焦点を合わせて、被測定面１１０の応力を測定し、第１の応力Ｆ１を求める手順と、被測定面１１０上に、絶縁膜４１を積層する手順と、被測定面１１０に光の焦点を合わせて、被測定面１１０の応力を再度測定し、第２の応力Ｆ２を求める手順と、第１の応力Ｆ１と第２の応力Ｆ２とに基づいて、被測定面１１０における直上の絶縁膜４１から付与される応力を求める手順と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なギャップフィルを提供可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１１は、シャワーヘッド１３と、ステージ１５と、ホルダ１７と、チャンバ１９とを備える。シャワーヘッド１３は、原料ガスＧを供給するものである。ステージ１５は、基板Ｗを搭載するものである。ホルダ１７は、ステージ１５上に基板Ｗを取り付けるために用いられる。チャンバ１９は、シャワーヘッド１３、ステージ１５およびホルダ１７を収容する。ステージ１５およびシャワーヘッド１３は、この順に所定の軸Ａｘに沿って配置されており、ステージ１５は、基板Ｗの裏面Ｗ_Ｂを支持するための支持面１５ａを有している。支持面１５ａは、所定の軸Ａｘの方向に盛り上がる曲面を含む。 （もっと読む）

本発明は、レシーバ基板と呼ばれる基板（２）と、ドナー基板と呼ばれる基板（１）から得られる活性層と呼ばれる層（１４）との間に挿入される少なくとも１つの絶縁層（３、６）を備える半導体オン・インシュレータ型のヘテロ構造（５、８）を製造する方法に関し、ヘテロ構造の種々の界面に存在する可能性がある気体種を保持し、上記へテロ構造の活性層の表面上の欠陥の形成を制限する捕捉層と呼ばれる層を上記絶縁層の少なくとも１つが備え、上記方法がステップを備える。本発明によると、結合の前に、上記絶縁層の少なくとも１つに少なくとも１つのカテゴリの原子種を注入することによって上記捕捉層が形成され、原子種の上記カテゴリが、これらの原子種が注入される絶縁層を構成する原子種の１つと同一であるか、それらが注入される絶縁層を構成する原子種の１つと同一の周期律表の列に属しているかのどちらかであるようにするために選択される。
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【課題】 本発明の課題は、段差被覆性、密着性に優れ、成膜レートが早く、生産性の
高い、プラズマダメージの少ない半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供するこ
とにある。
【解決手段】 原料ガスを供給する工程に引き続き、プラズマにより励起した反応ガス
を供給して基板上に薄膜を成膜する工程を、1ステップとして、それを繰り返す、いわゆ
るCVD(Chemical Vapor Deposition)法、あるいは、ALD(Atomic Layer Chemical Vapor De
position)法による半導体装置の製造方法において、前記プラズマ生成部を、被成膜基板
と対向して、原料ガスおよび反応ガスの前記被成膜基板への直接の供給口と同じ位置、あ
るいは、前記供給口よりも被成膜基板に近い位置に配置し、対向する少なくとも一組以上
の電極間に印加された高周波により生成されるプラズマを使用するようにした。 （もっと読む）

【課題】 結晶質炭素材料又は非晶質炭素材料等の炭素材料からなる基材上に酸化膜又は窒化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び／又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 （もっと読む）